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初学入门

功率器件熱設計基礎（七）——熱等效模型: 功率半導體熱設計是實現IGBT、SiC MOSFET高功率密度的基礎，只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識，才能完成精確熱設計，提高功率器件的利用率，降低系統成本，並保證系統的可靠性。功率器件熱設計基礎系列文章會比較 ...; 2025-2-12 08:33

深度 | GaN還是SiC，電氣工程師該如何選擇？: 氮化鎵電晶體和碳化矽MOSFET是近年來新興的功率半導體，相比於傳統的矽材料功率半導體，他們都具有許多非常優異的特性：耐壓高，導通電阻小，寄生參數小等。他們也有各自與眾不同的特性：氮化鎵電晶體的極小寄生參數 ...; 2025-2-12 08:32

功率器件熱設計基礎（九）——功率半導體模塊的熱擴散: 功率半導體熱設計是實現IGBT、碳化矽SiC高功率密度的基礎，只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識，才能完成精確熱設計，提高功率器件的利用率，降低系統成本，並保證系統的可靠性。功率器件熱設計基礎系列文章會比較 ...; 2025-2-12 08:31

功率器件熱設計基礎（十）——功率半導體器件的結構函數: 功率半導體熱設計是實現IGBT、碳化矽SiC高功率密度的基礎，只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識，才能完成精確熱設計，提高功率器件的利用率，降低系統成本，並保證系統的可靠性。功率器件熱設計基礎系列文章會比較 ...; 2025-2-12 08:29

並聯功率MOSFETs 在開關上的應用（2）: 3.管理並聯MOSFET應用中潛在的電位振盪當並聯兩個MOSFET時，許多設計人員傾向於將兩個柵極和兩個漏極直接連接在一起。然而，這種方法很容易導致柵極振盪。在最壞的情況下，振盪幅度甚至可能超過最大額定柵極電壓 ...; 2025-1-3 09:00

並聯功率MOSFETs 在開關上的應用（1）: 摘要：這篇文章討論的問題涉及並聯MOSFETs在高功率，高頻開關上的應用；通過對PCB走線和重要電路參數的調測，研究了並聯驅動MOSFETs電路上，電壓，電流不平衡問題的起因；介紹由於具有低導通阻抗，快速開關特性， ...; 2025-1-3 08:58

第Ⅱ章：二极管: 在这门电子学习课程中，您将学习到“半导体”的定义和半导体器件的基础知识，包括二极管、晶体管、光学半导体器件和电源IC。; 2024-12-25 11:03

什么是半导体？: “半导体”是一种特性介于“导体”和“绝缘体”之间的物质，前者像金属一样导电，后者几乎不导电。电流流动的容易程度与物质电阻的大小有关。如果电阻高，电流很难流动；如果电阻低，电流容易流动。用电阻系数表示电 ...; 2024-12-25 10:15

Flash ROM: 微控制器的存储器微控制器具有存储程序和数据的存储器。程序存储器将存储微控制器正确运行所需的程序。在微控制器运行期间，不应重新写入程序。即使微控制器已关闭，它应该保存在存储器中。另一方面，存储在存储器中 ...; 2024-12-25 10:08

逆变器控制: 逆变器控制什么是逆变器控制？“逆变器控制”的基本定义是从DC（直流电）转换为AC（交流电）。众所周知，直流电的电压是与时间无关的常数值，但交流电压具有时间依赖性。最常见的直流电例子是干电池的输出电压，交流 ...; 2024-12-25 10:04

功率MOSFET零電壓軟開關ZVS的基礎認識: 高頻高效是開關電源及電力電子系統發展的趨勢，高頻工作導致功率元件開關損耗增加，因此要使用軟開關技術，保證在高頻工作狀態下，減小功率元件開關損耗，提高系統效率。功率MOSFET開關損耗有2個產生因素：1）開關過 ...; 2024-12-25 09:29

功率器件的熱設計基礎（二）——熱阻的串聯和並聯: 前言功率半導體熱設計是實現IGBT、碳化矽SiC高功率密度的基礎，只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識，才能完成精確熱設計，提高功率器件的利用率，降低系統成本，並保證系統的可靠性。功率器件熱設計基礎系列文章將 ...; 2024-12-24 11:09

功率器件熱設計基礎（一）——功率半導體的熱阻: 前言功率半導體熱設計是實現IGBT、碳化矽SiC高功率密度的基礎，只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識，才能完成精確熱設計，提高功率器件的利用率，降低系統成本，並保證系統的可靠性。功率器件熱設計基礎系列文章會 ...; 2024-12-24 10:35

滿足汽車電氣隔離要求的數字隔離器: 1.英飛凌AEC-Q100認證ISOFACE™數字簡介隔離電流隔離提供電平轉換功能，提高電氣噪聲抗擾度，並確保高壓（HV）汽車應用的安全性。滿足不斷增長的電氣隔離要求汽車（EV）應用，英飛凌科技推出第一代ISOFACE™四通道 ...; 2024-12-24 09:14

基於Semtech GN1159 4G Wireless 光纖模組前傳技術方案: Semtech既GN1157B之後，再推出1159 Wireless光纖模組傳輸技術方案，專門用於SFP長距離雷射，瞄準波長ＤＦＢ的雷射光源，傳輸距離為10公里的市場。延續Wireless光纖模組傳輸技術方案優勢，專門用於SFP長距離雷射，優 ...; 2024-11-19 09:13

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