设为首页收藏本站官方微博官方QQ群帮助

开启辅助访问

无线电爱好网 › 首页 › 技术应用›初学入门

初学入门

如何評估功率MOSFET 的熱效應和結溫（二）: 4熱因素如前所述，有幾個因素會影響矽器件的熱行為。在規格書中，通常會標明熱阻抗Zθ（thermal impedance）和熱阻Rθ（thermal resistance）。由於熱阻抗（thermal impedance）描述的是快速瞬態的行為，因此會與熱 ...; 2025-2-13 08:51

如何評估功率MOSFET 的熱效應和結溫（一）: 電源設計中，越來越重視系統效率和半導體器件的結溫.在半導體器件中，電晶體是迄今為止最重要的一類。幾乎所有的電晶體都是三引腳器件(MOSFET, BJT, IGBT)，與二極體不同，它們有一個驅動引腳，這使它們對輸入信號與 ...; 2025-2-13 08:50

ROHM LiDAR（雷射探測與測距）的介紹與產品應用: 什麼是LiDAR？LiDAR是LightDetectionAndRanging（雷射探測與測距）的縮寫, 是使用近紅外光,可見光或紫外光照射物件, 並透過光學感測器捕獲其反射光來測量距離的遙測（使用感測器從遠處進行感測）方法.也被稱為LaserI ...; 2025-2-12 08:41

CMOS邏輯IC的使用注意事項(一): 在現今的電子設計領域，CMOS邏輯IC因其低功耗、高整合度和良好的雜訊抑制能力而廣泛應用。然而，要充分發揮CMOS邏輯IC的性能優勢，確保系統的穩定可靠運行，必須嚴格遵守一系列使用注意事項。向大家奉上一份詳細的設 ...; 2025-2-12 08:40

功率器件熱設計基礎（三）——功率半導體殼溫和散熱器溫度定義和測試方法 ...: 功率半導體熱設計是實現IGBT、碳化矽SiC高功率密度的基礎，只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識，才能完成精確熱設計，提高功率器件的利用率，降低系統成本，並保證系統的可靠性。功率器件熱設計基礎系列文章會聯繫 ...; 2025-2-12 08:38

功率器件熱設計基礎（六）——瞬態熱測量: 功率半導體熱設計是實現IGBT、碳化矽SiC高功率密度的基礎，只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識，才能完成精確熱設計，提高功率器件的利用率，降低系統成本，並保證系統的可靠性。功率器件熱設計基礎系列文章會比較 ...; 2025-2-12 08:37

功率器件熱設計基礎（五）——功率半導體熱容: 功率半導體熱設計是實現IGBT、碳化矽SiC高功率密度的基礎，只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識，才能完成精確熱設計，提高功率器件的利用率，降低系統成本，並保證系統的可靠性。功率器件熱設計基礎系列文章會比較 ...; 2025-2-12 08:36

功率器件熱設計基礎（四）——功率半導體晶片溫度和測試方法 ...: 功率半導體熱設計是實現IGBT、碳化矽SiC高功率密度的基礎，只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識，才能完成精確熱設計，提高功率器件的利用率，降低系統成本，並保證系統的可靠性。功率器件熱設計基礎系列文章會比較 ...; 2025-2-12 08:35

功率器件熱設計基礎（八）——利用瞬態熱阻計算二極體浪涌電流 ...: 功率半導體熱設計是實現IGBT、碳化矽SiC高功率密度的基礎，只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識，才能完成精確熱設計，提高功率器件的利用率，降低系統成本，並保證系統的可靠性。功率器件熱設計基礎系列文章會比較 ...; 2025-2-12 08:34

功率器件熱設計基礎（七）——熱等效模型: 功率半導體熱設計是實現IGBT、SiC MOSFET高功率密度的基礎，只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識，才能完成精確熱設計，提高功率器件的利用率，降低系統成本，並保證系統的可靠性。功率器件熱設計基礎系列文章會比較 ...; 2025-2-12 08:33

深度 | GaN還是SiC，電氣工程師該如何選擇？: 氮化鎵電晶體和碳化矽MOSFET是近年來新興的功率半導體，相比於傳統的矽材料功率半導體，他們都具有許多非常優異的特性：耐壓高，導通電阻小，寄生參數小等。他們也有各自與眾不同的特性：氮化鎵電晶體的極小寄生參數 ...; 2025-2-12 08:32

功率器件熱設計基礎（九）——功率半導體模塊的熱擴散: 功率半導體熱設計是實現IGBT、碳化矽SiC高功率密度的基礎，只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識，才能完成精確熱設計，提高功率器件的利用率，降低系統成本，並保證系統的可靠性。功率器件熱設計基礎系列文章會比較 ...; 2025-2-12 08:31

功率器件熱設計基礎（十）——功率半導體器件的結構函數: 功率半導體熱設計是實現IGBT、碳化矽SiC高功率密度的基礎，只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識，才能完成精確熱設計，提高功率器件的利用率，降低系統成本，並保證系統的可靠性。功率器件熱設計基礎系列文章會比較 ...; 2025-2-12 08:29

並聯功率MOSFETs 在開關上的應用（2）: 3.管理並聯MOSFET應用中潛在的電位振盪當並聯兩個MOSFET時，許多設計人員傾向於將兩個柵極和兩個漏極直接連接在一起。然而，這種方法很容易導致柵極振盪。在最壞的情況下，振盪幅度甚至可能超過最大額定柵極電壓 ...; 2025-1-3 09:00

並聯功率MOSFETs 在開關上的應用（1）: 摘要：這篇文章討論的問題涉及並聯MOSFETs在高功率，高頻開關上的應用；通過對PCB走線和重要電路參數的調測，研究了並聯驅動MOSFETs電路上，電壓，電流不平衡問題的起因；介紹由於具有低導通阻抗，快速開關特性， ...; 2025-1-3 08:58

1 ... 11 12 13 141516 17 18 19 ... 86 / 86 页下一页

相关分类

热门文章

最新文章

|关于本站|小黑屋|Archiver|手机版|无线电爱好网 ( 粤ICP备15040352号 )

粤公网安备 44030702001224号

GMT+8, 2025-7-1 19:07 , Processed in 0.187200 second(s), 12 queries .

Powered by Discuz! X3.4 Licensed

Copyright © 2001-2020, Tencent Cloud.

返回顶部