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初学入门

MOSFET Body Diode -Part 2
MOSFET Body Diode -Part 2
我們已經介紹了MOSFET的Body Diode的結構,本篇我們將透過電壓和電流曲線,更加了解MOSFET的Reverse Recovery Operation(反向恢復操作).MOSFET的Body Diode在反向恢復期間有著相當大的損耗,即當它從正向偏置狀態到反向 ...
2024-7-22 09:13
MOSFET Body Diode -Part 1
MOSFET Body Diode -Part 1
MOSFET 在Drain 和 Source 之間有一個body diode(也稱為寄生二極體),作為其結構的組成部分.在圖1中,Source電極側的n+和p+(p基極層)被Source 短路.因此,除了MOSFET結構之外,p Drain層、n-漂移層和n+基板在Drain和S ...
2024-7-22 09:13
TOSHIBA MOSFET - dv/dt 對 MOSFET 的影響 - Part 3
TOSHIBA MOSFET - dv/dt 對 MOSFET 的影響 - Part 3
我們已經介紹了 MOSFET 的旁路二極體的逆向回復電流,接下來我們將介紹MOSFET切換時Turn on 和 Turn off 的Vds dv/dt 波形探討,本篇會已先介紹MOSFET Turn on 時的Vds dv/dt 波形,本分析都會以圖一作為電路分析,並 ...
2024-7-22 09:12
TOSHIBA MOSFET - dv/dt 對 MOSFET 的影響 - Part 2
TOSHIBA MOSFET - dv/dt 對 MOSFET 的影響 - Part 2
本篇我們將介紹,MOSFET內部的二極體對MOSFET的影響.當逆變器和其他帶有電感性負載的電路在上下臂中有一對 MOSFET 時,電流會在它們開關時的反向恢復期間流過二極體.本篇討論二極體 dv/dt,下面我們將利用半橋架構舉例 ...
2024-7-22 09:11
TOSHIBA MOSFET - dv/dt 對 MOSFET 的影響 -Part 1
TOSHIBA MOSFET - dv/dt 對 MOSFET 的影響 -Part 1
MOSFET 的汲極(D)和源極(S)之間VDS電壓,假如有著高 dv/dt 可能會導致MOSFET產生問題.本篇將介紹出現這種現象的原因和對策.dv/dt表示電壓隨時間的變化率,用來表示MOSFET的開關瞬態週期或開關影響引起的VDS電壓的變化 ...
2024-7-22 09:10
基於TOSHIBA MOSFET 的 雪崩能量 (EAS) 計算 -Part 1
基於TOSHIBA MOSFET 的 雪崩能量 (EAS) 計算 -Part 1
一般在使用MOSFET時,當MOSFET電壓超過MOSFET的擊穿電壓時。就會發生擊穿現象和電流流動。這稱為"雪崩擊穿"此時流過的電流稱為雪崩電流,作用在MOSFET上的能量稱為雪崩能量。 本篇我們在介紹如何使用以下方法計算與雪 ...
2024-7-22 09:09
基於TOSHIBA MOSFET 的 雪崩能量 (EAS) 計算 -Part 2
基於TOSHIBA MOSFET 的 雪崩能量 (EAS) 計算 -Part 2
我們已經介紹了 TOSHIBA EAS規格了,本篇我們將介紹如何去計算與電流相關的雪崩能量。首先我們先計算MOSFET的Tch 溫度,公式如下請參考公式1,公式1:(註一:Avalanche Energy (EAS) caluculation of Power MOSFET) ...
2024-7-22 09:09
基於TOSHIBA MOSFET TOLL package 介紹 - Part 1
基於TOSHIBA MOSFET TOLL package 介紹 - Part 1
TOLL包裝是為需要高效率的應用而開發的表面貼片封裝,例如伺服器,電信和資料中心應用的工業電源為代表。迄今為止,主要採用長端子引線的通孔封裝,例如 TO-247 和 TO-220用於工業電源的高壓MOSFET封裝,但MOSFET一直 ...
2024-7-22 09:08
基於TOSHIBA MOSFET TOLL package 介紹 - Part 2
基於TOSHIBA MOSFET TOLL package 介紹 - Part 2
本篇我們將介紹TOSHIBA MOSFET TOLL 包裝的切換損的改善,Layout介紹以及散熱。首先我們將先介紹TOLL MOSFET 包裝,由圖一和圖二,我們比較了TOLL包裝的電感性負載開關波形(TK090U65Z)和TO-247-3P 包裝(TK090N65Z ...
2024-7-22 09:07
基於TOSHIBA MOSFET 的 雪崩能量 (EAS) 計算 -Part 3
基於TOSHIBA MOSFET 的 雪崩能量 (EAS) 計算 -Part 3
本篇將延續上一篇繼續介紹EAS的計算,接著我們下一步是用測量值和規格書參數來取代未知參數"L"範圍,圖1所示為雪崩能量測試電路,從此電路中雪崩能量波形如圖2所示。圖1. 雪崩能量測試電路(註1.Avalanche Energy (EAS ...
2024-7-22 09:06
基於納芯微技術分享 | 柵極驅動器及其應用介紹
基於納芯微技術分享 | 柵極驅動器及其應用介紹
納芯微柵極驅動器及其應用介紹目錄一、柵極驅動器介紹1)為什麼需要柵極驅動器?2)功率器件開關過程介紹3)三種常見驅動晶片介紹二、隔離方案介紹1)為什麼需要隔離驅動2)主流隔離方案介紹3)納芯微隔離方案介紹一 ...
2024-7-19 09:02
反激開關電源元器件介紹(17)RCC電路
反激開關電源元器件介紹(17)RCC電路
1. RCC是Ringing Choke Converter的縮寫 之所以稱RCC是由於其控制過程為振盪狀態和抑制狀態(或稱阻塞狀態)的時間比,因此成為振盪抑制型變換器,簡稱RCC型開關穩壓器。 反激式自激變換器就是我們通常所指的R ...
2024-7-19 08:59
反激開關電源元器件介紹(16)PFC控制
反激開關電源元器件介紹(16)PFC控制
1. 簡介 理論是控制輸入電流波形(在一個開關周期內的平均值)跟隨輸入電壓波形。 通常它是一個升壓轉換器,輸入是已經整流的AC並且只有很小的濾波電容(大約1uF),而輸出是穩壓的直流和有大濾波電容。2. 工 ...
2024-7-19 08:58
反激開關電源常見噪聲源及解決可行性
反激開關電源常見噪聲源及解決可行性
反激開關電源是小功率電源常用的電路拓撲,它的優點在於可以工作在非常廣闊的輸入電壓範圍,電路簡單,元件少,但是效率不高。儘管開關電源的工作頻率遠超人類的聽力範圍,但是他們在特定的負載條件下仍會產生音頻噪 ...
2024-7-19 08:58
二阶运算放大器的低通、带通和高通滤波器设计
二阶运算放大器的低通、带通和高通滤波器设计
通常,被动元件值的变化会导致滤波器响应特性发生一些变化。如果这种变化足够小,就会存在一个灵敏度 S,这是一个比例常数,将滤波器参数 y 变化与被动元件 x 的变化联系起来。为了保持 S 无量纲,将被动元件值的分 ...
2024-7-3 08:37
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