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初学入门

为何要读规格书?
为何要读规格书?
因为工作的缘故,我自己常读产品规格书,从中收获了很多新知,很多旧的知识也能通过这种阅读得到升华,所以也常常建议读者要读。什么是产品规格书?产品规格书是厂家提供给用户的关于产品功能、性能的描述文件,与之 ...
2022-9-16 09:18
开关与线性充电器
开关与线性充电器
许多由电池供电的设备通常需要各种各样的充电电源、电池化学组成、电压和电流。例如,随着适合所有类型电池化学组成的新型大电池组出现,功能丰富的高端消费型、医疗、工业和汽车电池充电器电路都需要更高电压和电流 ...
2022-9-14 14:12
有关eFuse电子保险丝,你应该了解的技术干货,都在这里!
有关eFuse电子保险丝,你应该了解的技术干货,都在这里!
热保险丝作为一种基本的电路保护器件,已经成功使用了150多年。热保险丝有效、可靠、易用,具有各种不同的数值和版本,能够满足不同的设计目标。然而,对于寻求以极快的速度切断电流的设计人员来说,热保险丝不可避 ...
2022-9-13 10:09
二极管的损耗与波形系数
二极管的损耗与波形系数
整流电路AC/DC变换应用非常广泛,比DC/AC 逆变器功率范围更广,数量更多。为了降低谐波电流,有源PFC应用越来越广泛,但二极管整流在电机驱动中还是主流的方案,而且功率范围很广,所以了解二极管整流工程设计非常重 ...
2022-9-8 09:37
锂离子电池充电指南
锂离子电池充电指南
锂离子电池是一种二次电池(充电电池),它主要依靠在正极和负极之间移动来工作。在充放电过程中,Li+ 在两个之间往返嵌入和脱嵌:充电时,Li+从正极脱嵌,经过电解质嵌入负极,负极处于富锂状态;放电时则相反。理论上 ...
2022-9-7 13:24
如何在射频应用中实现超快速电源暂态响应?
如何在射频应用中实现超快速电源暂态响应?
信号处理单元和片上系统(SoC)单元通常具有突然变化的负载瞬态变化。这种负载瞬态变化将干扰电源电压,而电源电压在射频(RF)应用中极其重要,因为变化的电源电压会高度影响时钟频率。因此,射频片上系统(RFSoC)通常在 ...
2022-9-7 13:19
DC-DC自举升压电路的典型应用
DC-DC自举升压电路的典型应用
一、自举升压电路的典型应用:图一:Buck电路系统的框图、参考设计图二:Boost 电路系统的框图、参考设计如图一、图二所示,在DC-DC开关芯片【Buck、Boost】上都有一个BST的引脚,它和SW开关引脚之间需要连接一个小 ...
2022-9-6 09:37
如何设计最安全的CAN总线拓扑?
如何设计最安全的CAN总线拓扑?
CAN总线的应用越来越广泛,工程师在各种不同工况下,如何选择最合适的网络拓扑方式呢?本篇文章将介绍主流的几种总线拓扑方式,以及如何解决CAN总线故障。常见的四种拓扑方式如果对于这四种常见的拓扑方式感兴趣,可 ...
2022-9-6 09:32
漏电保护器的工作原理及16个漏电保护器常见问题
漏电保护器的工作原理及16个漏电保护器常见问题
漏电保护器电路原理图介绍图中L为电磁铁线圈,漏电时可驱动闸刀开关K1断开,每个桥臂用两只1N4007串联可提高耐压。R3、R4阻值很大,所以K1合上时,流经L的电流很小,不足以造成K1断开。R3、R4为可控硅T1、T2的均压电 ...
2022-9-5 09:43
表面贴装的散热面积估算和注意事项
表面贴装的散热面积估算和注意事项
到目前为止,我们已经介绍过使用热阻和热特性参数来估算TJ的方法。本文将介绍在表面贴装应用中,如何估算散热面积以确保符合TJ max,以及与热相关的元器件布局注意事项。本文的关键要点・如果将会发热的IC安装得过于 ...
2022-9-5 09:39
整流电容滤波负载实例
整流电容滤波负载实例
整流电路AC/DC变换应用非常广泛,其中二极管整流在电机驱动中是主流的方案,而且功率范围很广,所以了解二极管整流工程设计非常重要。整流电路AC/DC变换应用非常广泛,比DC/AC逆变器功率范围更广,数量更多。为了降 ...
2022-9-5 09:38
为什么要计算电容器寿命?
为什么要计算电容器寿命?
电解电容器和聚合物混合电容器具有多项优点,然而它们的使用寿命有限,用户需要借助算法来确定其寿命。电解电容器和聚合物混合电容器具有几乎相同的设计:它们由阴极侧和阳极侧组成,而两者均由铝膜制成。阳极薄膜经 ...
2022-9-5 09:36
什么是dV/dt失效
什么是dV/dt失效
如下图(2)所示,dV/dt失效是由于MOSFET关断时流经寄生电容Cds的瞬态充电电流流过基极电阻RB,导致寄生双极晶体管的基极和发射极之间产生电位差VBE,使寄生双极晶体管导通,引起短路并造成失效的现象。通常,dV/dt ...
2022-9-5 09:35
什么是雪崩失效
什么是雪崩失效
当向MOSFET施加高于绝对最大额定值BVDSS的电压时,就会发生击穿。当施加高于BVDSS的高电场时,自由电子被加速并带有很大的能量。这会导致碰撞电离,从而产生电子-空穴对。这种电子-空穴对呈雪崩式增加的现象称为“雪 ...
2022-9-5 09:35
采用IGBT7的1700V Econo DUAL 3模块性能解析
采用IGBT7的1700V Econo DUAL 3模块性能解析
半导体市场不断推动IGBT技术实现更高功率密度、鲁棒性和性能水平。对于新一代IGBT而言,始终需要能够轻松融入设计并在不同应用中表现良好的产品。IGBT应能助力打造出拥有优化系统成本的可扩展逆变器产品组合。本文通 ...
2022-9-2 09:55
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