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初学入门

超详细的电子元器件基础知识大全
超详细的电子元器件基础知识大全
电子元器件基础知识大全
2024-10-11 08:49
氮化镓晶体管和碳化硅MOSFET介绍与对比
氮化镓晶体管和碳化硅MOSFET介绍与对比
氮化镓晶体管和碳化硅MOSFET是近两三年来新兴的功率半导体,相比于传统的硅材料功率半导体,他们都具有许多非常优异的特性:耐压高,导通电阻小,寄生参数小等。他们也有各自与众不同的特性:氮化镓晶体管的极小寄生 ...
2024-10-11 08:46
氮化镓(GaN)器件基础技术问题分享
氮化镓(GaN)器件基础技术问题分享
作为一种新型功率器件,GaN 器件在电源的高密小型化方面极具优势。01GaN器件的基本结构是什么样子?和传统MOS器件在结构上有什么区别?GaN器件是以AlGaN/GaN异质结为基础的横向半导体器件,其外延层依照耐压等级有不 ...
2024-10-10 15:42
氮化镓FET相比MOSFET有什么优势?
电源的发展必然需要小体积高效率产品,提高工作频率是必然趋势功率密度上看GaN, SiC占优势。传统硅材料在电源转换上应用发展几十年了,现已到达它的物理极限,发展空间有限。氮化镓材料最早是从LED及RF方面进入人们 ...
2024-10-10 15:38
氮化镓晶体管和碳化硅MOSFET介绍与对比
氮化镓晶体管和碳化硅MOSFET介绍与对比
氮化镓晶体管和碳化硅MOSFET是近两三年来新兴的功率半导体,相比于传统的硅材料功率半导体,他们都具有许多非常优异的特性:耐压高,导通电阻小,寄生参数小等。他们也有各自与众不同的特性:氮化镓晶体管的极小寄生 ...
2024-10-10 15:34
氮化镓(GaN)器件结构与制造工艺
氮化镓(GaN)器件结构与制造工艺
氮化镓功率器件与硅基功率器件的特性不同本质是外延结构的不同,本文通过深入对比氮化镓HEMT与硅基MOS管的外延结构,再对增强型和耗尽型的氮化镓HEMT结构进行对比,总结结构不同决定的部分特性。此外,对氮化镓功率 ...
2024-10-10 15:32
正激变压器设计步骤与方法
技术资料文,给大家分享正激变压器设计步骤与方法。  第一个需要面对的就是变压器骨架与磁芯的选择,其需要考虑的因素实在太多,我们列举其中一部分来讨论下:  首先用Ap法(磁芯面积乘积法)来计算变压器的AP值 ...
2024-9-20 08:45
I2S信號簡介
I2S信號簡介
I2S有4個主要信號: SCLK : 串行時鐘,也叫位時鐘(BCLK),即對應數字音頻的每一位數據,SCLK都有1個脈衝. SCLK的頻率 = 2 x 採樣頻率 x 採樣位數 LRCK:偵時鐘,用於切換左右聲道的數據 . LRCK的 ...
2024-9-14 09:04
以三個單相PFC實現三相PFC的電源轉換
以三個單相PFC實現三相PFC的電源轉換
1. 前言 由於科技的發展,越來越多的電子、電機設備等裝置應用使得電力設備的需求越來越多。得利於電力電子技術的進步,高效能大功率的電力轉換應用技術越來越成熟,並應用於各領域電源系統。由於應用功率需求越 ...
2024-9-12 15:04
單相雙向 AC-DC 轉換器介紹
單相雙向 AC-DC 轉換器介紹
1. 前言 由於電力電子、數位控制及電池技術的進步,促使再生能源、儲能系統及新能源應用等產業的蓬勃發展。例如 : 電動汽車的電能系統、對電力系統用電進行削峰填谷和調節電力的儲能系統、應急電源及可攜式行動 ...
2024-9-12 15:03
探索GaN技術的多樣性(一)
探索GaN技術的多樣性(一)
一、前言 隨著現代科技的迅猛發展,半導體材料在電子和電力應用中的角色愈發重要。氮化鎵(Gallium Nitride,簡稱GaN)作為第三類半導體材料,因其優異的物理特性和性能表現,逐漸成為功率電子和高頻應用領域的焦 ...
2024-9-12 11:15
Silan SVSP60R090P7 Super Junction MOSFET介紹
Silan SVSP60R090P7 Super Junction MOSFET介紹
Silan SVSP60R090P7系列是一款最新具有更好的MOSFET特性,這種Super Junction MOSFET具有很好的特性,例如快速開關時間、低導通電阻、低閘極充電、低EMI特性和優異的雪崩特性特徵,主要適用於功率因數校正和開關模式 ...
2024-9-11 15:08
東芝第三代SiC MOSFET的特點與應用 Part 2
東芝第三代SiC MOSFET的特點與應用 Part 2
1.東芝SiC MOSFET Built-in SBD實現了低VF並提高可靠性東芝第三代SiC MOSFET採用了一種結構如圖1所示,在SiC MOSFET的PN二極體旁並聯內建了SBD,現了低VF的特性,圖2顯示了在施加250 A/cm²電流密度並從源極到汲極導 ...
2024-9-11 15:07
如何優化SiC柵級驅動電路?
如何優化SiC柵級驅動電路?
於高壓開關電源應用,碳化矽或 SiC MOSFET 與傳統矽 MOSFET 和 IGBT 相比具有顯著優勢。SiC MOSFET 很好地兼顧了高壓、高頻和開關性能優勢。它是電壓控制的場效應器件,能夠像 IGBT 一樣進行高壓開關,同時開關頻率 ...
2024-9-6 10:07
OBC PFC車規功率器件結溫波動與功率循環壽命分析
OBC PFC車規功率器件結溫波動與功率循環壽命分析
應用背景 隨著新能源汽車(xEV)在乘用車滲透率的逐步提升,車載充電機(OBC)作為電網與車載電池之間的單向充電或雙向補能的車載電源設備,也得到了非常廣泛的應用。相比車載主驅電控逆變器, 電源類OBC產品複雜度高 ...
2024-9-6 09:41

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