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初学入门

体硅FinFET和SOI FinFET的差异
体硅FinFET和SOI FinFET的差异
本文简单介绍了体硅FinFET和SOI FinFET之间的结构差异与工艺差异。在半导体制造领域,晶体管结构的选择如同建筑中的地基设计,直接决定了芯片的性能上限与能效边界。当制程节点推进到22nm以下时,传统平面晶体管已无 ...
2025-7-1 08:59
电子衍射技术的原理与分类
电子衍射技术的原理与分类
本文简单介绍了电子衍射技术的原理与分类。随着半导体器件尺寸的不断缩小和性能要求的日益提高,应变工程半导体异质结构在现代电子器件中发挥着关键作用。准确表征这些复杂结构中的晶体缺陷对于理解材料性能和优化器 ...
2025-7-1 08:55
常见气体传感器的类型和工作原理
常见气体传感器的类型和工作原理
本文简单介绍了10种常见的气体感知方式。在万物互联的社会,气体感知技术已成为各领域发展的 “隐形卫士”。消费场景中,守护家居空气质量;汽车领域,助力尾气优化与安全监测;工业生产时,保障流程稳定、预防灾害 ...
2025-7-1 08:52
无线通信中信号衰落的影响因素和测试解决方案
无线通信中信号衰落的影响因素和测试解决方案
你是否遇到过这样的场景:明明手机信号满格,视频却卡成PPT?Wi-Fi路由器近在只尺,网速却堪比蜗牛?这些令人抓狂的体验背后有一个共同的“罪魁祸首”——衰落,它就像无线通信路上的绊脚石,让信号在传输过程中“迷 ...
2025-7-1 08:49
常见的负压产生方式介绍
常见的负压产生方式介绍
在实际的设计中,我们时常会遇到需要负压供电的场合。工程师朋友们一般用哪种方式来产生负压呢?常见的负压产生方式有Buck-Boost、隔离变压器、Charge Pump、Cuk等,下面我们一一对其进行分析!01Buck-BoostBuck-Boo ...
2025-6-30 16:39
高温IC设计必懂基础知识:高结温带来的5大挑战
高温IC设计必懂基础知识:高结温带来的5大挑战
随着技术的飞速发展,商业、工业及汽车等领域对耐高温集成电路(IC)的需求持续攀升‌。高温环境会严重制约集成电路的性能、可靠性和安全性,亟需通过创新技术手段攻克相关技术难题‌。本文致力于探讨高温对集成电路 ...
2025-6-24 09:31
SiC MOSFET 并联的关键技术
SiC MOSFET 并联的关键技术
基于多个高功率应用案例,我们可以观察到功率模块与分立MOSFET并存的明显趋势,两者在10kW至50kW功率范围内存在显著重叠。虽然模块更适合这个区间,但分立MOSFET却能带来独特优势:设计自由度更高和更丰富的产品组合 ...
2025-6-24 09:29
光伏设备的峰值功率点该怎么找?
光伏设备的峰值功率点该怎么找?
设想你有一个电压源与某源电阻串联,为可变负载供电。负载电压、负载电流和电池电流之间的关系如图1所示。图1:电压源与某源电阻串联,为可变负载供电的电路中负载电压与电池和负载电流的关系。如果将负载电压乘以负 ...
2025-6-23 14:33
新型功率器件的老化特性:HTOL高温工况老化测试
新型功率器件的老化特性:HTOL高温工况老化测试
随着技术的不断进步,新型功率器件如碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)因其优异的性能被广泛应用于各种电子设备中。然而,这些器件在长期连续使用后会出现老化现象,导致性能退化。如何在短时间内准确评估这些器件的老化 ...
2025-6-23 14:21
交流电源中的X电容器和Y电容器,一篇文章讲清楚
交流电源中的X电容器和Y电容器,一篇文章讲清楚
我们的基本无源和固有的模拟元件(电阻器、电容器和电感器)在概念上非常简单且易于描述,以至于我们常常无法充分的表达或理解它们在系统或电路中所能发挥的诸多作用。想想那些电容器,看起来很不起眼,却拥有着许多功 ...
2025-6-23 14:18
高温IC设计基础知识:环境温度和结温
高温IC设计基础知识:环境温度和结温
随着技术的飞速发展,商业、工业、军事及汽车等领域对耐高温集成电路(IC)的需求持续攀升‌。高温环境会严重制约集成电路的性能、可靠性和安全性,亟需通过创新技术手段攻克相关技术难题‌。通过深入分析高温产生的 ...
2025-6-23 14:11
DAC静态参数计算全解析:从偏移误差到总未调整误差
DAC静态参数计算全解析:从偏移误差到总未调整误差
本章将继续介绍DAC静态参数计算。D/A转换器的线性参数计算(INLE、DNLE等)基于设备的输出电压。D/A转换器的输出电压可通过将数字代码应用到设备的输入端来测量。将讨论以下参数:偏移误差满量程误差增益误差积分非 ...
2025-6-23 13:56
驱动电路设计(九)——栅极钳位
驱动电路设计(九)——栅极钳位
现在市场上功率半导体器件IGBT,MOSFET,SiC MOSFET和GaN,大都是电压栅控器件,驱动起来比电流型双极性晶体管BJT容易得多,只需要有限的电荷给栅极电容充电,但问题是很容易受干扰,除了米勒电流造成的误导通以外, ...
2025-6-19 14:10
驱动电路设计(八)——米勒钳位杂谈
驱动电路设计(八)——米勒钳位杂谈
驱动电路设计是功率半导体应用的难点,涉及到功率半导体的动态过程控制及器件的保护,实践性很强。为了方便实现可靠的驱动设计,英飞凌的驱动集成电路自带了一些重要的功能,本系列文章将以杂谈的形式讲述技术背景, ...
2025-6-19 14:03
驱动电路设计(六)——驱动器的自举电源动态过程
驱动电路设计(六)——驱动器的自举电源动态过程
自举电路在电平位移驱动电路应用很广泛,电路非常简单,成本低,而且有很多实际案例可以抄作业,不过,由于系统往往存在特殊或极端工况,如设计不当调制频率或占空比不足以刷新自举电容器上电荷,电容上的电压不够, ...
2025-6-19 13:56

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