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初学入门

交流电源中的X电容器和Y电容器，一篇文章讲清楚: 我们的基本无源和固有的模拟元件(电阻器、电容器和电感器)在概念上非常简单且易于描述，以至于我们常常无法充分的表达或理解它们在系统或电路中所能发挥的诸多作用。想想那些电容器，看起来很不起眼，却拥有着许多功 ...; 2025-6-23 14:18

高温IC设计基础知识：环境温度和结温: 随着技术的飞速发展，商业、工业、军事及汽车等领域对耐高温集成电路（IC）的需求持续攀升‌。高温环境会严重制约集成电路的性能、可靠性和安全性，亟需通过创新技术手段攻克相关技术难题‌。通过深入分析高温产生的 ...; 2025-6-23 14:11

DAC静态参数计算全解析：从偏移误差到总未调整误差: 本章将继续介绍DAC静态参数计算。D/A转换器的线性参数计算（INLE、DNLE等）基于设备的输出电压。D/A转换器的输出电压可通过将数字代码应用到设备的输入端来测量。将讨论以下参数：偏移误差满量程误差增益误差积分非 ...; 2025-6-23 13:56

驱动电路设计（九）——栅极钳位: 现在市场上功率半导体器件IGBT，MOSFET，SiC MOSFET和GaN，大都是电压栅控器件，驱动起来比电流型双极性晶体管BJT容易得多，只需要有限的电荷给栅极电容充电，但问题是很容易受干扰，除了米勒电流造成的误导通以外， ...; 2025-6-19 14:10

驱动电路设计（八）——米勒钳位杂谈: 驱动电路设计是功率半导体应用的难点，涉及到功率半导体的动态过程控制及器件的保护，实践性很强。为了方便实现可靠的驱动设计，英飞凌的驱动集成电路自带了一些重要的功能，本系列文章将以杂谈的形式讲述技术背景， ...; 2025-6-19 14:03

驱动电路设计（六）——驱动器的自举电源动态过程: 自举电路在电平位移驱动电路应用很广泛，电路非常简单，成本低，而且有很多实际案例可以抄作业，不过，由于系统往往存在特殊或极端工况，如设计不当调制频率或占空比不足以刷新自举电容器上电荷，电容上的电压不够， ...; 2025-6-19 13:56

驱动电路设计（五）——驱动器的自举电源稳态设计: 自举电路在电平位移驱动电路应用很广泛，电路非常简单，成本低，而且有很多实际案例可以抄作业。不过，由于系统往往存在特殊或极端工况，如设计不当调制频率或占空比不足以刷新自举电容器上电荷，电容上的电压不够， ...; 2025-6-19 13:37

驱动电路设计（四）—— 驱动器的自举电源综述: 驱动电路设计是功率半导体应用的难点，涉及到功率半导体的动态过程控制及器件的保护，实践性很强。为了方便实现可靠的驱动设计，英飞凌的驱动集成电路自带了一些重要的功能，本系列文章讲详细讲解如何正确理解和应用 ...; 2025-6-19 13:13

叠层母排在IGBT变流器中的应用（3）: 1 实验测量测量回路杂散电感常用方法有双脉冲法、短路法及谐振法。双脉冲法通过测量获取IGBT关断时的尖峰电压Vpeak和电流变化率，利用公式来计算杂散电感Lstray；短路法通过测量IGBT短路开通时的下降电压和电流变化 ...; 2025-6-17 16:15

叠层母排在IGBT变流器中的应用（2）: 1换流回路的杂散电感在IGBT变流器中，回路电感表现为某一时刻一条换流回路的总杂散电感值Lstray。如果将各环节的寄生电感和分布电感抽象为分立元件的形式，则回路电感主要包括叠层母排的分布电感Lbusbar、直流支撑电 ...; 2025-6-17 16:08

叠层母排在IGBT变流器中的应用（1）: 研究IGBT器件的开关及特性对实现IGBT变流器的高性能具有重要的意义，IGBTDCLink主回路的寄生电感会影响IGBT的开关特性。本文研究IGBT 变流器中常用的叠层母排，分析IGBT尖峰电压产生和抑制的机理，建立了低寄生电感 ...; 2025-6-17 16:03

SiC Combo JFET性能评估：静态特性、动态特性等: 安森美推出了具有卓越 RDS（on）*A 性能的 SiC JFET。该器件特别适用于需要大电流处理能力和较低开关速度的应用，如固态断路器和大电流开关系统。得益于碳化硅（SiC）优异的材料特性和 JFET 的高效结构，可实现更低 ...; 2025-6-13 13:21

碳化硅在多种应用场景中的影响: 采用碳化硅革新电力电子技术，开拓可持续解决方案摘要—市场对高效、清洁和可持续能源解决方案的需求日益增长，这推动了功率半导体行业的发展，也要求人们更加关注先进材料。在各种先进材料中，碳化硅(SiC)作为一项 ...; 2025-6-13 11:28

电源纹波为什么大？不一定是设计的锅: 某用户在用500MHz带宽的示波器对其开关电源输出5V信号的纹波进行测试时，发现纹波和噪声的峰峰值达到了900多mV（如下图所示），而其开关电源标称的纹波的峰峰值20mv。虽然用户电路板上后级还有LDO对开关电源的这个输 ...; 2025-6-11 09:04

高温IC设计必看：基于Treo平台的高温模拟与混合信号解决方案 ... ...: IC 的高温设计▷IC 技术使用适当的元件和设计技术，体硅（Bulk silicon）工艺承受的温度可达约 200℃至 250℃，而绝缘体上硅 (SOI) 技术的温度可达 250℃至 300℃。采用特殊技术甚至可以承受更高的温度，例如砷化镓 ...; 2025-6-5 09:50

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