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电源技术/新能源

世平安森美推出NCP1681(TP PFC IC) + NCP13994(LLC) + NCP4318 (SR IC) 應用於600W 電 ...
世平安森美推出NCP1681(TP PFC IC) + NCP13994(LLC) + NCP4318 (SR IC) 應用於600W 電 ...
方案介紹 本方案使用NCP1681 Totem pole PFC架構 + NCP13994 LLC架構 + NCP4318同步整流 IC來做電池充電電源應用。本方案PFC端使用NCP1681 Totem pole PFC架構可讓PFC架構達到更高效率與更高的功率密度。 NCP1681是 ...
2023-7-26 13:49
LNK6766E 30 W電源的設計參考
LNK6766E 30 W電源的設計參考
摘要與功能 一次側調節隔離式返馳式轉換器,調節範圍不超過±5%。 132 kHz 切換頻率,可減小變壓器和輸出濾波器的尺寸。 滿載連續導通模式操作,可改善效率並降低輸出電容器漣波電流。 多重模式操作使滿載範 ...
2023-7-26 13:42
使用NCP1623A設計緊湊高效的PFC級的關鍵步驟
使用NCP1623A設計緊湊高效的PFC級的關鍵步驟
本文介紹了快速設計由 NCP1623 驅動的 CrM/DCM PFC 級的關鍵步驟中的定義關鍵規格與功率級設計,並以實際的 100W 通用電源應用為例進行說明,IC控制電路設計將在後續的推文中分享。最大輸出功率:100 WRms 線路電壓 ...
2023-6-16 15:18
單管封裝功率器件的散熱性能提升
單管封裝功率器件的散熱性能提升
前言經典單管TO直插封裝有兩類TO-220和TO-247,其使逆變器系統並聯擴容靈活,器件成本優勢明顯,且標準封裝容易找替代品,廣泛應用於中小功率範圍。在單管電驅應用方案中可以覆蓋30kW到180kW功率範圍,最多需要6-8個 ...
2023-6-16 15:15
安森美FAN9672搭配FAN7688的3.3KW OBC demo介紹
安森美FAN9672搭配FAN7688的3.3KW OBC demo介紹
這是一款安森美採用FAN9672搭配FAN7688的3.3KW OBC demo,功率管採用SJ MOS,二極體採用碳化矽。全電壓90-265VAC輸入,輸出200-450VDC,輸出電流0-14A,平均效率達95%以上。 ... ...
2023-6-16 15:13
不須使用驅動IC就可以使用GaNFET? Ancora(碇基) 利用一般電阻/電容元件來驅動E-GaN!!! ...
不須使用驅動IC就可以使用GaNFET? Ancora(碇基) 利用一般電阻/電容元件來驅動E-GaN!!! ...
GaN憑藉其特性,廣泛應用在LED、射頻、電源轉換等領域,而具體在電源管理應用上,GaN的優勢包括:傳導損耗小,能效高。 GaN的導通電阻(RDSon)是傳統矽器件的一半,在相同輸出電流下損耗更小,能效更高。低損耗同時意 ...
2023-6-16 15:01
不同功率器件在充電樁三相LLC拓撲中的應用探討
不同功率器件在充電樁三相LLC拓撲中的應用探討
摘 要近年來新能源汽車發展迅速,對充電樁也提出了高功率密度、大功率、高效率等要求。基於三相LLC變換器技術的30千瓦功率模塊單元性能更優,可以滿足現有的市場需求。基於30千瓦三相LLC變換器常見的母線電壓等級800 ...
2023-6-16 14:53
適用於下一代大功率應用的XHP™2封裝
適用於下一代大功率應用的XHP™2封裝
摘 要軌道交通牽引變流器的平台化設計和易擴展性是其主要發展方向之一,其對半導體器件也提出了新的需求。一方面需要半導體器件能滿足更寬的電壓等級和電流等級,另一方面也要兼容電力電子器件的新技術,比如IGBT5/. ...
2023-6-16 14:52
碳化矽器件在UPS中的應用研究
碳化矽器件在UPS中的應用研究
摘 要本文分析了目前不間斷電源(UPS)在網際網路數據中心中的應用和發展趨勢。對目前熱門的碳化矽材料和英飛凌碳化矽技術做了介紹,並著重說明了碳化矽器件在UPS應用中的優勢。分析給出了目前UPS常用拓撲及方案,最 ...
2023-6-16 14:50
米勒電容、米勒效應和器件與系統設計對策
米勒電容、米勒效應和器件與系統設計對策
搞電力電子的同學想必經常被“米勒效應”這個詞困擾。米勒效應增加開關延時不說,還可能引起寄生導通,增加器件損耗。那麼米勒效應是如何產生的,我們又該如何應對呢?。”我們先來看IGBT開通時的典型波形:上圖中, ...
2023-6-16 14:49
SiC MOSFET的短溝道效應
SiC MOSFET的短溝道效應
Si IGBT和SiC溝槽MOSFET之間有許多電氣及物理方面的差異,Practical Aspects and Body Diode Robustness of a 1200V SiC Trench MOSFET這篇文章主要分析了在SiC MOSFET中比較明顯的短溝道效應、Vth滯回效應、短路特 ...
2023-6-16 14:47
分步解析,半桥 LLC 谐振转换器的设计要点
分步解析,半桥 LLC 谐振转换器的设计要点
在众多谐振转换器中,LLC 谐振转换器有着高功率密度应用中最常用的拓扑结构。之前我们介绍过采用 NCP4390 的半桥 LLC 谐振转换器的设计注意事项,其中包括有关 LLC 谐振转换器工作原理的说明、变压器和谐振网络的设 ...
2023-6-12 14:04
注意!设计半桥 LLC 谐振转换器,你得注意这些
注意!设计半桥 LLC 谐振转换器,你得注意这些
在众多谐振转换器中,LLC 谐振转换器有着高功率密度应用中最常用的拓扑结构。与其他谐振拓扑相比,这种拓扑具有许多优点:它能以相对较小的开关频率变化来调节整个负载变化的输出;它可以实现初级侧开关的零电压开关 ...
2023-6-9 13:59
安森美 M 1 1200 V SiC MOSFET 静态特性分析
安森美 M 1 1200 V SiC MOSFET 静态特性分析
SiC MOSFET 在功率半导体市场中正迅速普及,因为它最初的一些可靠性问题已得到解决,并且价位已达到非常有吸引力的水平。随着市场上的器件越来越多,必须了解 SiC MOSFET 与 IGBT 之间的共性和差异,以便用户充分利 ...
2023-6-9 11:20
恩智浦有源桥式整流器控制器TEA2209T 搭配不同MOSFET比較
恩智浦有源桥式整流器控制器TEA2209T 搭配不同MOSFET比較
TEA2209T是新一代有源橋式整流控制器產品,主要功能在於替代傳統的二極管橋。將TEA2209T與低電阻的外部MOSFET配合使用,可消除典型整流器二極管正向傳導損耗,從而顯著提高功率轉換器的效率,產品功能方塊圖如下,內 ...
2023-5-30 10:31
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