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电源技术/新能源

功率半導體冷知識之二：IGBT短路時的損耗: 短路不可怕IGBT主要用於電機驅動和各類變流器，IGBT的抗短路能力是系統可靠運行和安全的保障之一，短路保護可以通過串在迴路中的分流電阻或退飽和檢測等多種方式實現。IGBT是允許短路的，完全有這樣的底氣，EconoDUA ...; 2024-2-19 14:05

PIM模塊中整流橋的損耗計算: 在通用變頻器或伺服驅動器的設計中，經常會用到英飛凌的PIM模塊（即集成了二極體整流橋+剎車單元+IGBT逆變單元的模塊）。一般情況下PIM模塊中的整流二極體都是根據後面逆變IGBT的電流等級來合理配置的，且由於其多數 ...; 2024-2-19 14:04

淺談驅動晶片的絕緣安規標準: 為什麼要遵循安規？眾所周知，各個行業各個領域都有其需要遵循的標準規範，一般會對其產品需要達到的使用條件提出各方面的要求。諸如電機驅動、光伏、乘用汽車等都有各自的應用規範，而每個零部件也有相應的規範認證 ...; 2024-2-19 14:03

IGBT安全工作區(SOA)知多少: 作為電力電子研發工程師，最不想見到的畫面之一一定有下面這樣的圖片，完了，BBQ了……圖1.IGBT單管和模塊的典型失效圖片失效器件送到原廠做FA分析，看到的字眼通常包含over voltage，over current，short circuit， ...; 2024-2-19 14:01

採用SiC MOSFET的高性能逆變焊機設計要點: 逆變焊機通常是通過IGBT功率模塊解決方案設計來實現更高輸出功率，從而幫助降低節能焊機的成本、重量和尺寸。在焊機行業，諸如提高效率、降低成本和增強便攜性（即，縮小尺寸並減輕重量）等趨勢一直是促進持續發展的 ...; 2024-2-19 13:55

增強型M1H CoolSiC™ MOSFET的技術解析及可靠性考量: 1.碳化矽的材料特性(a)SiC是寬禁帶半導體，它的帶隙寬度約是Si的3倍，由此帶來的好處是SiC的臨界場強約是Si的10倍。對於高壓Si基MOSFET來說，漂移區電阻占總導通電阻的主要分量。SiC臨界擊穿場強高，要達到相同的耐 ...; 2024-2-19 13:49

英飛凌EiceDRIVER™技術以及應對SiC MOSFET驅動的挑戰: 碳化矽MOSFET導通損耗低，開關速度快，dv/dt高，短路時間小，對驅動電壓的選擇、驅動參數配置及短路響應時間都提出了更高的要求。英飛凌零碳工業功率事業部產品工程師鄭姿清女士，在2023IPAC英飛凌工業功率技術大會 ...; 2024-2-19 13:47

碳化矽 MOSFET 給電力電子系統帶來哪些創新設計: 1.SiC MOSFET相對於Si IGBT，性能大幅度改進。主要表現在：(a)SiC MOSFET沒有拖尾電流，關斷損耗大幅度降低(b)SiC MOSFET體二極體反向恢復損耗降低(c)SiC MOSFET導通無拐點，導通損耗降低2.CoolSiC™ MOSFET可降低損 ...; 2024-2-19 13:45

使用 DSC 實現 PSFB Peak Current 控制 (1/3) - 全橋 PWM 波形的實現方式 ...: 本文主題是介紹如何以 NXP 的 DSC 實現 Peak Current Control Mode PSFB 功能的系列文章。文章分為三篇，本篇會先介紹 DSC 是使用那些功能來實現全橋 PWM，續篇會解說 PSFB 的動作機制。第三篇則是同步整流 PWM 的實 ...; 2023-12-27 10:55

使用 DSC 實現 PSFB Peak Current 控制 (2/3) - DSC 實現的 PSFB 工作方式與功能說明 ...: 先前的文章介紹了 DSC 是如何實現峰值電流模式控制 PSFB 功能，DSC 實現的現峰值電流模式控制 PSFB 具備了以下優勢 :全橋 PWM 的相位移在比較器運作的基礎上，還可以限制最大的相移角度。全橋 PWM 限制的相位移角度 ...; 2023-12-27 10:52

使用 DSC 實現 PSFB Peak Current 控制 (3/3) - 同步整流 PWM 的實現方式及全橋 PWM ...: 本文主題是介紹如何以 NXP 的 DSC 實現 Peak Current Control Mode PSFB 功能的系列文章。上一篇介紹了 DSC 是使用那些功能來實現全橋 PWM，本篇會介紹同步整流 PWM 的實現方式，以及透過內部機制偵測當前的 PWM 切 ...; 2023-12-27 10:50

基于WS2699 諧振式LLC IC應用于High power及低功耗240W電源供應器設計方案 ...: 本產品應用於工業用電源及與High efficiency 功能的應用需求 , 由於各家產品不斷改善及提供功能，以此情況下Winsemi主動推出附合 High power 的IC及符合能源高效率，低空載功耗 IC 提出WS2699，原廠並提供240W demo ...; 2023-12-26 14:45

WS2995 高性能雙通道智慧同步整流控制器: 概述WS2995是一款高性能雙通道同步整流控制器，應用於半橋LLC諧振變換器的輸出側，可實現對MOSFET的優化控制。通過檢測整流MOSFET的Vds電壓，控制MOSFET的開通 (turn o)和關斷 (turn off)，從而取代肖特基二極體， ...; 2023-12-26 14:42

Toshiba MOSFET和Diode应用于交错式PFC设计: 随着工业发展及仪器设备的精密化，对于各种电子设备或仪器的电源供应质量需求提高；另外，能源的逐渐匮乏，使得能源使用效率格外受到重视。对于任何与电源有关的应用，能效一直是个问题，为了提升能效，一个关键的解 ...; 2023-12-25 09:00

Toshiba 於工業設備應用的2200V雙碳化矽MOSFET模塊: 碳化矽MOSFET寄生體二極體具有極小的反向恢復時間trr和反向恢復電荷Qrr。對於相同額定電流為900V的器件，碳化矽MOSFET寄生二極體的反向電荷僅為相同電壓規格的矽基MOSFET的5%。對於橋式電路，可以減小體二極體的死區 ...; 2023-12-25 08:58

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