设为首页收藏本站官方微博官方QQ群帮助

开启辅助访问

无线电爱好网 › 首页 › 技术应用›电源技术/新能源

电源技术/新能源

如何利用高精度MOSFET模型，設計功率轉換器: 在設計功率轉換器時，可以使用仿真模型，綜合權衡多個設計標準。其中，使用基於開關的有源器件簡易模型進行快速仿真，可以帶來更多工程參考。然而，與製造商精細的器件模型相比，這種簡易模型在設計中無法提供相等的 ...; 2024-3-18 13:30

輕鬆了解功率MOSFET的雪崩效應: 關斷狀態下，功率MOSFET的體二極體結構的設計是為了阻斷最小漏極-源極電壓值。MOSFET體二極體的擊穿或雪崩表明反向偏置體二極體兩端的電場使得漏極和源極端子之間有大量電流流動。典型的阻斷狀態漏電流在幾十皮安到 ...; 2024-3-18 13:25

手把手教您如何設計3通道交錯式CCM升壓PFC: 交錯式升壓功率因數校正 (PFC) 轉換器可以通過負載均流來提高效率，因此它已成為高功率應用的首選拓撲。通過在多個平衡相位中分擔負載電流，可以顯著減小每相的 RMS 電流應力、電流紋波和升壓電感大小。因此，重載效 ...; 2024-3-18 13:24

意法半导体的140W USB-PD3.1 充电方案，助力提升电源产品能效，减少碳排放量 ... ... ...: 构建新型电力系统，清洁低碳是目标。为此各行各业都在为发展绿色电源而努力，目前我国新的电源能效强制标准GB20943计划2024年完成报批，协商的适用范围：电源适配器、笔记本适配器、POE电源、PD快充、USB充电器、USB ...; 2024-3-13 11:24

栅极环路电感对SiC和IGBT功率模块开关特性的影响分析: IGBT和碳化硅（SiC）模块的开关特性受到许多外部参数的影响，例如电压、电流、温度、栅极配置和杂散元件。本系列文章将重点讨论直流链路环路电感（DC−Link loop inductance）和栅极环路电感（Gate loop inductance ...; 2024-3-12 15:20

淺談碳化矽MOSFET TO-247封裝單管引入開爾文管腳必要性: 相較於傳統的矽MOSFET和矽IGBT 產品，基於寬禁帶碳化矽材料設計的碳化矽 MOSFET 具有耐壓高、導通電阻低，開關損耗小的特點，可降低器件損耗、減小產品尺寸，從而提升系統效率。而在實際應用中，我們發現：帶輔助源 ...; 2024-3-11 16:25

IGBT模塊壽命評估: IGBT模塊廠家在產品定型前都會做一系列的可靠性試驗，以確保產品的長期耐久性能。一般常見的測試的項目如下圖所示。這個報告裡的測試項目，除了ESD靜電測試以外，都是和IGBT模塊的壽命相關的。壽命相關測試可以 ...; 2024-3-11 16:24

IGBT如何进行可靠性测试？: 在当今的半导体市场，公司成功的两个重要因素是产品质量和可靠性。而这两者是相互关联的，可靠性体现为在产品预期寿命内的长期质量表现。任何制造商要想维续经营，必须确保产品达到或超过基本的质量标准和可靠性标准 ...; 2024-3-8 16:44

杂散电感对SiC和IGBT功率模块开关特性的影响探究: IGBT和碳化硅（SiC）模块的开关特性受到许多外部参数的影响，例如电压、电流、温度、栅极配置和杂散元件。本系列文章将重点讨论直流链路环路电感（DC−Link loop inductance）和栅极环路电感（Gate loop inductance ...; 2024-3-8 15:57

SiC仿真攻略手册——使用仿真模型进行拓扑分析: 过去，仿真的基础是行为和具有基本结构的模型，它们主要适用于简单集成电路技术中使用的器件。但是，当涉及到功率器件时，这些简单的模型通常无法预测与为优化器件所做的改变相关的现象。现在，通过引入物理和可扩展 ...; 2024-3-7 09:10

工程设计中的隔离技术怎么选才安全？: 随着能源需求的扩大，电流和电压值也会上升。在许多应用中，更高的电压变得更为常见，即使在独立应用中也是如此。具有更高电压的应用都被认为存在危险，包括电动汽车 (EV)，能源基础设施应用，例如直流快速充电 (DCF ...; 2024-3-7 08:51

如何为直流超快充电桩设计选择合适的拓扑结构？: 充电时间是消费者和企业评估购买电动汽车的一个主要考虑因素，为了缩短充电时间，业界正在转向直流快速充电桩(DCFC)和超快速充电桩。超快速DCFC和超快速充电桩绕过了电动汽⻋的车载充电机(OBC)，直接向电池提供更⾼ ...; 2024-3-7 08:45

解析LLC谐振半桥变换器的失效模式: 在功率转换市场中，尤其对于通信/服务器电源应用，不断提高功率密度和追求更高效率已经成为最具挑战性的议题。对于功率密度的提高，最普遍方法就是提高开关频率，以便降低无源器件的尺寸。零电压开关(ZVS)拓扑因具有 ...; 2024-3-6 16:38

干货 | 高边SmartFET应用接口及开关特性的介绍: 本系列文章将介绍安森美(onsemi)高边SmartFET的结构和设计理念，可作为了解该器件在特定应用中如何工作的指南。范围仅限于具有模拟电流检测输出的SmartFET。本系列文章将分为四部分，之前我们介绍了应用详情、功率FE ...; 2024-2-29 11:18

SiC仿真攻略手册——详解物理和可扩展仿真模型功能！: 过去，仿真的基础是行为和具有基本结构的模型。这些模型使用的公式我们在学校都学过，它们主要适用于简单集成电路技术中使用的器件。但是，当涉及到功率器件时，这些简单的模型通常无法预测与为优化器件所做的改变相 ...; 2024-2-29 11:01

123 4 5 6 7 8 9 10 ... 37 / 37 页下一页

相关分类

赞助广告

|关于本站|小黑屋|Archiver|手机版|无线电爱好网 ( 粤ICP备15040352号 )

粤公网安备 44030702001224号

GMT+8, 2024-4-27 02:11 , Processed in 0.093600 second(s), 11 queries .

Powered by Discuz! X3.4 Licensed

Copyright © 2001-2020, Tencent Cloud.

返回顶部