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电源技术/新能源

杂散电感对SiC和IGBT功率模块开关特性的影响探究: IGBT和碳化硅（SiC）模块的开关特性受到许多外部参数的影响，例如电压、电流、温度、栅极配置和杂散元件。本系列文章将重点讨论直流链路环路电感（DC−Link loop inductance）和栅极环路电感（Gate loop inductance ...; 2024-3-8 15:57

SiC仿真攻略手册——使用仿真模型进行拓扑分析: 过去，仿真的基础是行为和具有基本结构的模型，它们主要适用于简单集成电路技术中使用的器件。但是，当涉及到功率器件时，这些简单的模型通常无法预测与为优化器件所做的改变相关的现象。现在，通过引入物理和可扩展 ...; 2024-3-7 09:10

工程设计中的隔离技术怎么选才安全？: 随着能源需求的扩大，电流和电压值也会上升。在许多应用中，更高的电压变得更为常见，即使在独立应用中也是如此。具有更高电压的应用都被认为存在危险，包括电动汽车 (EV)，能源基础设施应用，例如直流快速充电 (DCF ...; 2024-3-7 08:51

如何为直流超快充电桩设计选择合适的拓扑结构？: 充电时间是消费者和企业评估购买电动汽车的一个主要考虑因素，为了缩短充电时间，业界正在转向直流快速充电桩(DCFC)和超快速充电桩。超快速DCFC和超快速充电桩绕过了电动汽⻋的车载充电机(OBC)，直接向电池提供更⾼ ...; 2024-3-7 08:45

解析LLC谐振半桥变换器的失效模式: 在功率转换市场中，尤其对于通信/服务器电源应用，不断提高功率密度和追求更高效率已经成为最具挑战性的议题。对于功率密度的提高，最普遍方法就是提高开关频率，以便降低无源器件的尺寸。零电压开关(ZVS)拓扑因具有 ...; 2024-3-6 16:38

干货 | 高边SmartFET应用接口及开关特性的介绍: 本系列文章将介绍安森美(onsemi)高边SmartFET的结构和设计理念，可作为了解该器件在特定应用中如何工作的指南。范围仅限于具有模拟电流检测输出的SmartFET。本系列文章将分为四部分，之前我们介绍了应用详情、功率FE ...; 2024-2-29 11:18

SiC仿真攻略手册——详解物理和可扩展仿真模型功能！: 过去，仿真的基础是行为和具有基本结构的模型。这些模型使用的公式我们在学校都学过，它们主要适用于简单集成电路技术中使用的器件。但是，当涉及到功率器件时，这些简单的模型通常无法预测与为优化器件所做的改变相 ...; 2024-2-29 11:01

轻松了解功率MOSFET的雪崩效应: 在关断状态下，功率MOSFET的体二极管结构的设计是为了阻断最小漏极-源极电压值。MOSFET体二极管的击穿或雪崩表明反向偏置体二极管两端的电场使得漏极和源极端子之间有大量电流流动。典型的阻断状态漏电流在几十皮安 ...; 2024-2-29 10:49

功率MOSFET的UIS(UIL)特性知多少？: 在关断状态下，功率MOSFET的体二极管结构的设计是为了阻断最小漏极-源极电压值。MOSFET体二极管的击穿或雪崩表明反向偏置体二极管两端的电场使得漏极和源极端子之间有大量电流流动。典型的阻断状态漏电流在几十皮安 ...; 2024-2-29 09:42

电源完整性问题是指什么？电源完整性分析: 电源的作用是为系统提供稳定的电压及电流。电源完整性问题是指电源的电压、纹波及噪声不满足系统的工作要求，通过合理的电源供电网络设计可以减小电源塌陷等电源完整性问题，提高系统的稳定性。1.电源分配网络电流从 ...; 2024-2-23 11:14

新能源汽车车载充电机（OBC）拓扑结构分析: 新能源汽车车载充电机（OBC）将交流充电桩的交流电转换为动力电池所需的直流电，实现对动力电池的充电，使用交流充桩充电的新能源汽车需要搭载车载充电机。认识车载OBC说人话就是：车载OBC(On-Board Charger)是安装 ...; 2024-2-23 11:12

熱泵及其諧波電流解決方案: 熱泵簡介熱泵，英文heat pump，它有2個定義，定義1：從低溫熱源吸熱送往高溫熱源的循環設備。定義2：以消耗一部分高品位能源(機械能、電能或高溫熱能)為補償,使熱能從低溫熱源向高溫熱源傳遞的裝置。所以，熱泵廣泛 ...; 2024-2-19 14:27

門極驅動正壓對功率半導體性能的影響: 對於半導體功率器件來說，門極電壓的取值對器件特性影響很大。以前曾經聊過門極負壓對器件開關特性的影響，而今天我們來一起看看門極正電壓對器件的影響。文章將會從導通損耗，開關損耗和短路性能來分別討論。➊對導 ...; 2024-2-19 14:26

感應加熱原理與IGBT應用拓撲分析（上）: 經常遇到很多同事和朋友問：為什麼電磁爐和電飯煲要用到IGBT，這種應用的IGBT需要有什麼特點？今天我們就給大家詳細解釋感應加熱的原理和感應加熱的拓撲分析。在理解電磁感應加熱的原理之前，先問自己一個問題，假如 ...; 2024-2-19 14:19

如何選取SiC MOSFET的Vgs門極電壓及其影響: 在IGBT時代，門極電壓的選擇比較統一，無非Vge=+15V/-15V或+15V/-8V或+15V/0V這幾檔。而在新興的SiC MOSFET領域，還未有約定俗成的門極電壓規範。本文願就SiC MOSFET的門極電壓選擇上的困惑，提供些有用的參考。下文 ...; 2024-2-19 14:06

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