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电源技术/新能源

PFC 及其常見的拓撲介紹: Hi，大家好，隨著越來越多的電子設備接入電網，這大大的增加了電網的失真幾率，也增加了配電網產生問題的風險。為了使得這些問題得到緩解，就需要電源設計需要先進的功率因素矯正（PFC）電路來滿足嚴格的功率因素（P ...; 2024-3-27 16:29

LLC 工作原理及其常見的拓撲介紹: i，大家好，上次我們有介紹在 AC/DC 電源上 PFC 部分的工作原理和常見拓撲介紹，詳情請看【Industrial Power】PFC 及其常見的拓撲介紹 - 大大通(簡體站) (wpgdadatong.com.cn)，這裡就不在贅述『而隨著不斷增加的開 ...; 2024-3-27 16:28

离线式反激转换器的反馈设计: 离线式反激转换器 (off-line flyback converter) 的反馈控制经常困扰着电源工程师，因为牵涉到连续导通模式 (continuous conduction mode, CCM) 与非连续导通模式(discontinuous conduction mode, DCM)的小信号模型 ...; 2024-3-19 09:49

初级侧反饋控制 (PSR) 电源供应器的缆线补偿: 缆线补偿是用来补偿缆线阻抗因电流流经而产生的电压降，以便提供电池充电器等应用一稳定充电电压的方法。本应用须知介绍一种新的、被称为缆线减法补偿 (cable minus compensation) 的补偿方法，并以之为例来说明在初 ...; 2024-3-19 09:36

如何消除反激式转换器于启动期间MOSFET之过应力: 本应用文件从三大方向探讨“如何有效消除反激式转换器于启动期间MOSFET之过应力”：从RICHTEK内嵌软启动功能之反激式转换控制器设计，再到系统回路稳定度与开关管之应力关系，最后带入被动式电压箝位RCD缓冲电路分析 ...; 2024-3-19 09:32

如何测量功率回路中的杂散电感: 影响IGBT和SiC MOSFET在系统中的动态特性有两个非常重要的参数：寄生电感和寄生电容。而本文主要介绍功率回路中寄生电感的定义和测试方法，包括直流母线电容的寄生电感，直流母排寄生电感以及模块本身的寄生电感。影 ...; 2024-3-18 16:29

直流超快充电桩方案设计必知的常见拓扑解析: 充电时间是消费者和企业评估购买电动汽车的一个主要考虑因素，为了缩短充电时间，业界正在转向直流快速充电桩(DCFC)和超快速充电桩。超快速DCFC和超快速充电桩绕过了电动汽车的车载充电机(OBC)，直接向电池提供更⾼ ...; 2024-3-18 16:26

如何利用高精度MOSFET模型，設計功率轉換器: 在設計功率轉換器時，可以使用仿真模型，綜合權衡多個設計標準。其中，使用基於開關的有源器件簡易模型進行快速仿真，可以帶來更多工程參考。然而，與製造商精細的器件模型相比，這種簡易模型在設計中無法提供相等的 ...; 2024-3-18 13:30

輕鬆了解功率MOSFET的雪崩效應: 關斷狀態下，功率MOSFET的體二極體結構的設計是為了阻斷最小漏極-源極電壓值。MOSFET體二極體的擊穿或雪崩表明反向偏置體二極體兩端的電場使得漏極和源極端子之間有大量電流流動。典型的阻斷狀態漏電流在幾十皮安到 ...; 2024-3-18 13:25

手把手教您如何設計3通道交錯式CCM升壓PFC: 交錯式升壓功率因數校正 (PFC) 轉換器可以通過負載均流來提高效率，因此它已成為高功率應用的首選拓撲。通過在多個平衡相位中分擔負載電流，可以顯著減小每相的 RMS 電流應力、電流紋波和升壓電感大小。因此，重載效 ...; 2024-3-18 13:24

意法半导体的140W USB-PD3.1 充电方案，助力提升电源产品能效，减少碳排放量 ... ... ...: 构建新型电力系统，清洁低碳是目标。为此各行各业都在为发展绿色电源而努力，目前我国新的电源能效强制标准GB20943计划2024年完成报批，协商的适用范围：电源适配器、笔记本适配器、POE电源、PD快充、USB充电器、USB ...; 2024-3-13 11:24

栅极环路电感对SiC和IGBT功率模块开关特性的影响分析: IGBT和碳化硅（SiC）模块的开关特性受到许多外部参数的影响，例如电压、电流、温度、栅极配置和杂散元件。本系列文章将重点讨论直流链路环路电感（DC−Link loop inductance）和栅极环路电感（Gate loop inductance ...; 2024-3-12 15:20

淺談碳化矽MOSFET TO-247封裝單管引入開爾文管腳必要性: 相較於傳統的矽MOSFET和矽IGBT 產品，基於寬禁帶碳化矽材料設計的碳化矽 MOSFET 具有耐壓高、導通電阻低，開關損耗小的特點，可降低器件損耗、減小產品尺寸，從而提升系統效率。而在實際應用中，我們發現：帶輔助源 ...; 2024-3-11 16:25

IGBT模塊壽命評估: IGBT模塊廠家在產品定型前都會做一系列的可靠性試驗，以確保產品的長期耐久性能。一般常見的測試的項目如下圖所示。這個報告裡的測試項目，除了ESD靜電測試以外，都是和IGBT模塊的壽命相關的。壽命相關測試可以 ...; 2024-3-11 16:24

IGBT如何进行可靠性测试？: 在当今的半导体市场，公司成功的两个重要因素是产品质量和可靠性。而这两者是相互关联的，可靠性体现为在产品预期寿命内的长期质量表现。任何制造商要想维续经营，必须确保产品达到或超过基本的质量标准和可靠性标准 ...; 2024-3-8 16:44

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