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电源技术/新能源

轻松了解功率MOSFET的雪崩效应: 在关断状态下，功率MOSFET的体二极管结构的设计是为了阻断最小漏极-源极电压值。MOSFET体二极管的击穿或雪崩表明反向偏置体二极管两端的电场使得漏极和源极端子之间有大量电流流动。典型的阻断状态漏电流在几十皮安 ...; 2024-2-29 10:49

功率MOSFET的UIS(UIL)特性知多少？: 在关断状态下，功率MOSFET的体二极管结构的设计是为了阻断最小漏极-源极电压值。MOSFET体二极管的击穿或雪崩表明反向偏置体二极管两端的电场使得漏极和源极端子之间有大量电流流动。典型的阻断状态漏电流在几十皮安 ...; 2024-2-29 09:42

电源完整性问题是指什么？电源完整性分析: 电源的作用是为系统提供稳定的电压及电流。电源完整性问题是指电源的电压、纹波及噪声不满足系统的工作要求，通过合理的电源供电网络设计可以减小电源塌陷等电源完整性问题，提高系统的稳定性。1.电源分配网络电流从 ...; 2024-2-23 11:14

新能源汽车车载充电机（OBC）拓扑结构分析: 新能源汽车车载充电机（OBC）将交流充电桩的交流电转换为动力电池所需的直流电，实现对动力电池的充电，使用交流充桩充电的新能源汽车需要搭载车载充电机。认识车载OBC说人话就是：车载OBC(On-Board Charger)是安装 ...; 2024-2-23 11:12

熱泵及其諧波電流解決方案: 熱泵簡介熱泵，英文heat pump，它有2個定義，定義1：從低溫熱源吸熱送往高溫熱源的循環設備。定義2：以消耗一部分高品位能源(機械能、電能或高溫熱能)為補償,使熱能從低溫熱源向高溫熱源傳遞的裝置。所以，熱泵廣泛 ...; 2024-2-19 14:27

門極驅動正壓對功率半導體性能的影響: 對於半導體功率器件來說，門極電壓的取值對器件特性影響很大。以前曾經聊過門極負壓對器件開關特性的影響，而今天我們來一起看看門極正電壓對器件的影響。文章將會從導通損耗，開關損耗和短路性能來分別討論。➊對導 ...; 2024-2-19 14:26

感應加熱原理與IGBT應用拓撲分析（上）: 經常遇到很多同事和朋友問：為什麼電磁爐和電飯煲要用到IGBT，這種應用的IGBT需要有什麼特點？今天我們就給大家詳細解釋感應加熱的原理和感應加熱的拓撲分析。在理解電磁感應加熱的原理之前，先問自己一個問題，假如 ...; 2024-2-19 14:19

如何選取SiC MOSFET的Vgs門極電壓及其影響: 在IGBT時代，門極電壓的選擇比較統一，無非Vge=+15V/-15V或+15V/-8V或+15V/0V這幾檔。而在新興的SiC MOSFET領域，還未有約定俗成的門極電壓規範。本文願就SiC MOSFET的門極電壓選擇上的困惑，提供些有用的參考。下文 ...; 2024-2-19 14:06

功率半導體冷知識之二：IGBT短路時的損耗: 短路不可怕IGBT主要用於電機驅動和各類變流器，IGBT的抗短路能力是系統可靠運行和安全的保障之一，短路保護可以通過串在迴路中的分流電阻或退飽和檢測等多種方式實現。IGBT是允許短路的，完全有這樣的底氣，EconoDUA ...; 2024-2-19 14:05

PIM模塊中整流橋的損耗計算: 在通用變頻器或伺服驅動器的設計中，經常會用到英飛凌的PIM模塊（即集成了二極體整流橋+剎車單元+IGBT逆變單元的模塊）。一般情況下PIM模塊中的整流二極體都是根據後面逆變IGBT的電流等級來合理配置的，且由於其多數 ...; 2024-2-19 14:04

淺談驅動晶片的絕緣安規標準: 為什麼要遵循安規？眾所周知，各個行業各個領域都有其需要遵循的標準規範，一般會對其產品需要達到的使用條件提出各方面的要求。諸如電機驅動、光伏、乘用汽車等都有各自的應用規範，而每個零部件也有相應的規範認證 ...; 2024-2-19 14:03

IGBT安全工作區(SOA)知多少: 作為電力電子研發工程師，最不想見到的畫面之一一定有下面這樣的圖片，完了，BBQ了……圖1.IGBT單管和模塊的典型失效圖片失效器件送到原廠做FA分析，看到的字眼通常包含over voltage，over current，short circuit， ...; 2024-2-19 14:01

採用SiC MOSFET的高性能逆變焊機設計要點: 逆變焊機通常是通過IGBT功率模塊解決方案設計來實現更高輸出功率，從而幫助降低節能焊機的成本、重量和尺寸。在焊機行業，諸如提高效率、降低成本和增強便攜性（即，縮小尺寸並減輕重量）等趨勢一直是促進持續發展的 ...; 2024-2-19 13:55

增強型M1H CoolSiC™ MOSFET的技術解析及可靠性考量: 1.碳化矽的材料特性(a)SiC是寬禁帶半導體，它的帶隙寬度約是Si的3倍，由此帶來的好處是SiC的臨界場強約是Si的10倍。對於高壓Si基MOSFET來說，漂移區電阻占總導通電阻的主要分量。SiC臨界擊穿場強高，要達到相同的耐 ...; 2024-2-19 13:49

英飛凌EiceDRIVER™技術以及應對SiC MOSFET驅動的挑戰: 碳化矽MOSFET導通損耗低，開關速度快，dv/dt高，短路時間小，對驅動電壓的選擇、驅動參數配置及短路響應時間都提出了更高的要求。英飛凌零碳工業功率事業部產品工程師鄭姿清女士，在2023IPAC英飛凌工業功率技術大會 ...; 2024-2-19 13:47

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