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电源技术/新能源

深度解析开关模式下的电源电流检测技术: 电流检测技术在现今的生活与工作中都有广泛的应用，许多的系统中都需要检测流入和流出的电流大小，检测电流大小能够避免器件出错。所以我们今天的主角就是“开关模式电源的电流检测技术”。基本知识谈电流模式控制由 ...; 2024-5-6 13:59

移相全桥拓扑电路构成与工作原理: 一、拓扑构成移相全桥拓扑采用移相控制方式，利用功率器件的结电容与谐振电感的谐振实现恒频软开关。移相全桥有零电压开关(ZVS)和零电压零电流开关(ZVZCS)两种实现方式。ZVZCS由于结构复杂并不常用，因此本篇将重点 ...; 2024-5-6 13:53

铁氧体磁芯选择与设计决策: 在本文中，我将向您介绍DC-DC转换器或电源滤波电感器等应用中使用的标准铁氧体磁芯选择指南和设计过程。该流程涉及一系列步骤，需要使用多份数据表，并且如果铁氧体磁芯电感器设计需要间隙，则需要执行一定程度的迭 ...; 2024-5-6 13:40

三電平電路原理及常見的電路拓撲分析: 隨著對逆變器的功率密度、效率、輸出波形質量等性能要求逐漸增加，中點鉗位型(Neutral Point Clamped，NPC)的三電平拓撲逆變器已經得到了廣泛的應用，典型的三電平拓撲有二極體型NPC(NPC1)、Conergy NPC(NPC2)、有源 ...; 2024-5-6 13:30

世平安森美 800V高壓系統的驅動力和系統架構分析——為什麼是800V高壓系統，及其挑戰 ...: 什麼是800V高壓系統?800V高壓系統的稱呼源自於整車電氣角度。當前主流新能源整車高壓電氣系統電壓範圍一般為230V-450V，取中間值400V，籠統稱之為400V系統；而伴隨著快充應用，整車高壓電氣系統電壓範圍達到550-930V ...; 2024-4-28 08:41

安森美1200V碳化矽MOSFET M3S系列設計注意事項，您知道嗎？: 安森美 (onsemi)1200V碳化矽 (SiC) MOSFET M3S系列專注於提高開關性能，相比於第一代1200V碳化矽MOSFET，除了降低特定電阻RSP (即RDS(ON)*Area) ，還針對工業電源系統中的高功率應用進行了優化。此前我們描述了M3S的 ...; 2024-4-28 08:40

東芝推出高速二極體型功率MOSFET，助力提高電源效率: -新一代DTMOSVI系列的新成員，具有超級結結構- 中國上海—東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，在新一代具有超結結構的DTMOSVI系列中推出高速二極體型功率MOSFET——DTMOSVI（HSD），該系列適用 ...; 2024-4-28 08:38

I-NPC三電平電路的雙脈衝及短路測試方法: 雙脈衝測試（DPT）是一種被廣泛接受的評估功率器件動態特性的方法。以IGBT在兩電平橋式電路中應用為例，如下圖，通過調節直流母線電壓和第一個脈衝持續時間，可以在第一個脈衝結束和第二個脈衝開始時捕捉到被測器件 ...; 2024-4-25 08:42

T-NPC三電平電路的雙脈衝與短路測試: 1T-NPC三電平電路的換流方式與雙脈衝測試方法由於技術的發展和應用的需要，T型三電平應用越來越廣，我們開發了IGBT7 1200V 62mm共發射極模塊，最大規格電流為800A，以及PrimePACK™3+封裝的的共集電極模塊，規格為24 ...; 2024-4-25 08:40

解析LLC諧振半橋變換器的失效模式: 在功率轉換市場中，尤其對於通信/伺服器電源應用，不斷提高功率密度和追求更高效率已經成為最具挑戰性的議題。對於功率密度的提高，最普遍方法就是提高開關頻率，以便降低無源器件的尺寸。零電壓開關(ZVS)拓撲因具有 ...; 2024-4-17 13:09

談談SiC MOSFET的短路能力: 在電力電子的很多應用，如電機驅動，有時會出現短路的工況。這就要求功率器件有一定的扛短路能力，即在一定的時間內承受住短路電流而不損壞。目前市面上大部分IGBT都會在數據手冊中標出短路能力，大部分在5~10us之間 ...; 2024-4-12 08:50

使用SCR設計的浪涌電流抑制電路: 提高功率密度和可靠性是電源設計的趨勢，使用半導體器件替代機械部件是最簡便的方法。在AC-DC電源啟動瞬間，由於大容量電解電容的充電效應，會產生非常高的電流尖峰，該浪涌電流在線路上引起的壓降，可能影響連接到 ...; 2024-4-12 08:48

STPOWER GaN MOS 開創更優的性能的氮化鎵: ST即推出合封的氮化鎵MOS --MasterGaN 系列後，又推出了單管GaN MOS---STPOWER GaN ，讓我們看看其先進的性能：STPOWER GaN電晶體是基於氮化鎵 (GaN) 的高效電晶體，而氮化鎵是一種新型寬帶隙化合物，為功率轉換解 ...; 2024-4-12 08:47

ST--E-mode GaN 氮化鎵驅動設計注意事項: 1.氮化鎵GaN按照製造工藝，可以分為常開的耗盡型（D-mode）和常關的增強型（E-mode）兩種類型, ST 氮化鎵GaN 是E-mode (P-GaN) 工藝，以下的討論都基於P-GaN 。在電源系統中，對於所有的功率器件，選擇正確的柵極驅 ...; 2024-4-12 08:45

安森美1200V碳化硅MOSFET M3S系列设计注意事项，您知道吗？: 寄生导通问题由于NTH4L022N120M3S的阈值电压具有 NTC，因此在最高结温TJ(MAX)= 175°C时具有最低值。即使数据表中的典型VGS(TH)为2.72V，但在考虑样品25%的工艺变化和温度系数的最坏情况下，它可能会降至1.5V。这意 ...; 2024-3-28 13:22

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