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电源技术/新能源

單管封裝功率器件的散熱性能提升: 前言經典單管TO直插封裝有兩類TO-220和TO-247，其使逆變器系統並聯擴容靈活，器件成本優勢明顯，且標準封裝容易找替代品，廣泛應用於中小功率範圍。在單管電驅應用方案中可以覆蓋30kW到180kW功率範圍，最多需要6-8個 ...; 2023-6-16 15:15

安森美FAN9672搭配FAN7688的3.3KW OBC demo介紹: 這是一款安森美採用FAN9672搭配FAN7688的3.3KW OBC demo，功率管採用SJ MOS，二極體採用碳化矽。全電壓90-265VAC輸入，輸出200-450VDC，輸出電流0-14A，平均效率達95%以上。 ... ...; 2023-6-16 15:13

不須使用驅動IC就可以使用GaNFET? Ancora(碇基) 利用一般電阻/電容元件來驅動E-GaN!!! ...: GaN憑藉其特性，廣泛應用在LED、射頻、電源轉換等領域，而具體在電源管理應用上，GaN的優勢包括：傳導損耗小，能效高。 GaN的導通電阻(RDSon)是傳統矽器件的一半，在相同輸出電流下損耗更小，能效更高。低損耗同時意 ...; 2023-6-16 15:01

不同功率器件在充電樁三相LLC拓撲中的應用探討: 摘要近年來新能源汽車發展迅速，對充電樁也提出了高功率密度、大功率、高效率等要求。基於三相LLC變換器技術的30千瓦功率模塊單元性能更優，可以滿足現有的市場需求。基於30千瓦三相LLC變換器常見的母線電壓等級800 ...; 2023-6-16 14:53

適用於下一代大功率應用的XHP™2封裝: 摘要軌道交通牽引變流器的平台化設計和易擴展性是其主要發展方向之一，其對半導體器件也提出了新的需求。一方面需要半導體器件能滿足更寬的電壓等級和電流等級，另一方面也要兼容電力電子器件的新技術，比如IGBT5/. ...; 2023-6-16 14:52

碳化矽器件在UPS中的應用研究: 摘要本文分析了目前不間斷電源（UPS）在網際網路數據中心中的應用和發展趨勢。對目前熱門的碳化矽材料和英飛凌碳化矽技術做了介紹，並著重說明了碳化矽器件在UPS應用中的優勢。分析給出了目前UPS常用拓撲及方案，最 ...; 2023-6-16 14:50

米勒電容、米勒效應和器件與系統設計對策: 搞電力電子的同學想必經常被“米勒效應”這個詞困擾。米勒效應增加開關延時不說，還可能引起寄生導通，增加器件損耗。那麼米勒效應是如何產生的，我們又該如何應對呢？。”我們先來看IGBT開通時的典型波形：上圖中， ...; 2023-6-16 14:49

SiC MOSFET的短溝道效應: Si IGBT和SiC溝槽MOSFET之間有許多電氣及物理方面的差異，Practical Aspects and Body Diode Robustness of a 1200V SiC Trench MOSFET這篇文章主要分析了在SiC MOSFET中比較明顯的短溝道效應、Vth滯回效應、短路特 ...; 2023-6-16 14:47

分步解析，半桥 LLC 谐振转换器的设计要点: 在众多谐振转换器中，LLC 谐振转换器有着高功率密度应用中最常用的拓扑结构。之前我们介绍过采用 NCP4390 的半桥 LLC 谐振转换器的设计注意事项，其中包括有关 LLC 谐振转换器工作原理的说明、变压器和谐振网络的设 ...; 2023-6-12 14:04

注意！设计半桥 LLC 谐振转换器，你得注意这些: 在众多谐振转换器中，LLC 谐振转换器有着高功率密度应用中最常用的拓扑结构。与其他谐振拓扑相比，这种拓扑具有许多优点：它能以相对较小的开关频率变化来调节整个负载变化的输出；它可以实现初级侧开关的零电压开关 ...; 2023-6-9 13:59

安森美 M 1 1200 V SiC MOSFET 静态特性分析: SiC MOSFET 在功率半导体市场中正迅速普及，因为它最初的一些可靠性问题已得到解决，并且价位已达到非常有吸引力的水平。随着市场上的器件越来越多，必须了解 SiC MOSFET 与 IGBT 之间的共性和差异，以便用户充分利 ...; 2023-6-9 11:20

恩智浦有源桥式整流器控制器TEA2209T 搭配不同MOSFET比較: TEA2209T是新一代有源橋式整流控制器產品，主要功能在於替代傳統的二極管橋。將TEA2209T與低電阻的外部MOSFET配合使用，可消除典型整流器二極管正向傳導損耗，從而顯著提高功率轉換器的效率，產品功能方塊圖如下，內 ...; 2023-5-30 10:31

先进制程新材料特性就靠它来验: 当IC元件尺寸随着摩尔定律不断地缩小，而达到物理极限无法再进行微缩的情况时，能够解决的方式就是改变使用的材料，可以藉由更换更合适的特性材料，来提升组件低耗电、高频率的特性。在半导体制程中，牵涉数百道的制 ...; 2023-5-18 11:28

材料分析如何协助先进制程设备改善缺陷: 2022开始，台积电、英特尔、三星等半导体大厂先进制程大战如火如荼展开，重砸资本支出在各项先进制程设备，如极紫外光（EUV）设备需求大增; 若要在这场大战夺得先锋，关键在于产品良率（Yield）是否能快速提升。有 ...; 2023-5-18 11:21

想確保半導體先進封裝可靠度? 材料晶體結構你掌握到了嗎: 隨著先進製程的發展，晶片尺寸已經接近1奈米的物理極限，摩爾定律正步入尾聲，而先進封裝技術已成為下一個關鍵發展方向。尤其是具備高度晶片整合能力的「異質整合」封裝技術，已成為超越摩爾定律的重要技術之一。近 ...; 2023-5-18 09:15

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