设为首页收藏本站官方微博官方QQ群帮助

开启辅助访问

无线电爱好网 › 首页 › 技术应用›初学入门

初学入门

Infineon GaN MOSFET介紹(2): 下面圖示為2000年到2020年CoolMOS發展的歷程，其中關鍵品質因素(Rds-on與面積乘積)越小，表為MOSFET的製程能力與產品特性越好。在2008年有人提出Si材料製程的關鍵品質因素的極限為0.5，由於Si材料製程的發展有其限制 ...; 2025-2-26 15:48

Infineon GaN MOSFET介紹(1): 一般市場上提到的第3代半導體，通常泛指WBG產品，而常見的WBG產品為GaN MOSFET與SiC FET二種功率元件。而WBG產品與silicon MOSFET最大的差異為能階，也就是電子伏特，silicon MOSFET在電子伏特為1左右，而SiC FET在 ...; 2025-2-26 15:47

從功耗、矽片面積、性能三大維度評估Treo平台: 本文重點介紹了安森美（onsemi）Treo平台的模擬性能。引入了PPA三角形概念來比較不同工藝技術之間的模擬關鍵指標。總體而言，本文將展示基於65nm BCD工藝技術的安森美 Treo平台，在模擬、混合信號及高壓BCD解決方案 ...; 2025-2-25 11:11

碳化矽可靠性驗證要點: 從MOSFET 、二極體到功率模塊，功率半導體產品是我們生活中無數電子設備的核心。從醫療設備和可再生能源基礎設施，到個人電子產品和電動汽車(EV)，它們的性能和可靠性確保了各種設備的持續運行。第三代寬禁帶（WBG） ...; 2025-2-25 11:09

基於TOSHIBA Power MOSFET 的結構和特徵: 本篇我們將介紹Power MOSFET的結構和特徵給大家認識,首先我們會介紹Power MOSFET的內部結構做介紹,在比較TOSHIBAPower MOSFET與雙極元件 bipolar transistors的內部結構,最後在 Power MOSFET和雙極元件 bipolar tran ...; 2025-2-17 08:50

基於TOSHIBA MOSFET 的雪崩能量 (EAS) 計算 -Part 3: 繼續介紹EAS的計算，接著我們下一步是用測量值和規格書參數來取代未知參數"L"範圍，圖1所示為雪崩能量測試電路,從此電路中雪崩能量波形如圖2所示。圖1. 雪崩能量測試電路(註1.Avalanche Energy (EAS) caluculation o ...; 2025-2-17 08:49

基於TOSHIBA MOSFET 的雪崩能量 (EAS) 計算 -Part 2: 我們已經介紹了 TOSHIBA EAS規格了，本篇我們將介紹如何去計算與電流相關的雪崩能量。首先我們先計算MOSFET的Tch 溫度,公式如下請參考公式1，公式1：（註一：Avalanche Energy (EAS) caluculation of Power MOSFET） ...; 2025-2-17 08:48

基於TOSHIBA MOSFET 的雪崩能量 (EAS) 計算 -Part 1: 一般在使用MOSFET時,當MOSFET電壓超過MOSFET的擊穿電壓時。就會發生擊穿現象和電流流動。這稱為"雪崩擊穿"此時流過的電流稱為雪崩電流，作用在MOSFET上的能量稱為雪崩能量。本篇我們在介紹如何使用以下方法計算與雪 ...; 2025-2-17 08:48

TOSHIBA MOSFET 的MOSFET Safe Operating Area (SOA)- Part 2: 本篇將介紹 TOSHIBA MOSFET 的 MOSFET SOA的 Temperature derating.如圖一所示,圖一:MOSFET SOA(註一:Derating of the MOSFET Safe Operating Area)這裡我們舉一個例子說明,當Tc= 100°C 計算如下, 圖二顯示, 當MOSF ...; 2025-2-17 08:46

TOSHIBA MOSFET 的MOSFET Safe Operating Area (SOA)- Part 1: 一般我們在MOSFET的選用上,都會初步的考慮MOSFET的VDS,IDS,Rdson,切換速度等參考,但時間裝上客戶產品時往往都需要考慮環境溫度或是暫態時的VDS/IDS等,通常不外乎就是用SOA 來評估MOSFET是否操作在安全工作區域(Safe ...; 2025-2-17 08:43

Destruction of MOSFET Body Diode -Part3: 我們已經介紹了MOSFET的Body Diode,逆向回復時的電壓電流的四個區間的動作行為,這一個Part我們將介紹,MOSFET的Body Diode的損壞方式.MOSFET的Body Diode的損壞,會在逆向恢復期間,通常會有一個高電壓(Vds)瞬間施加到B ...; 2025-2-17 08:42

Destruction of MOSFET Body Diode -Part 2: 我們已經介紹了MOSFET的Body Diode的結構,本篇我們將透過電壓和電流曲線,更加了解MOSFET的Reverse Recovery Operation(反向恢復操作).MOSFET的Body Diode在反向恢復期間有著相當大的損耗,即當它從正向偏置狀態到反向 ...; 2025-2-17 08:41

Destruction of MOSFET Body Diode -Part 1: MOSFET 在Drain 和 Source 之間有一個body diode(也稱為寄生二極體),作為其結構的組成部分.在圖1中，Source電極側的n+和p+（p基極層）被Source 短路.因此,除了MOSFET結構之外,p Drain層、n-漂移層和n+基板在Drain和S ...; 2025-2-17 08:41

TOSHIBA MOSFET - dv/dt 對 MOSFET 的影響 - Part 3: 我們已經介紹了 MOSFET 的旁路二極體的逆向回復電流，接下來我們將介紹MOSFET切換時Turn on 和 Turn off 的Vds dv/dt 波形探討,本篇會已先介紹MOSFET Turn on 時的Vds dv/dt 波形，本分析都會以圖一作為電路分析,並 ...; 2025-2-17 08:39

TOSHIBA MOSFET - dv/dt 對 MOSFET 的影響 - Part 2: 本篇我們將介紹,MOSFET內部的二極體對MOSFET的影響.當逆變器和其他帶有電感性負載的電路在上下臂中有一對 MOSFET 時,電流會在它們開關時的反向恢復期間流過二極體.本篇討論二極體 dv/dt,下面我們將利用半橋架構舉例 ...; 2025-2-17 08:38

1 ... 10 11 12 131415 16 17 18 ... 88 / 88 页下一页

相关分类

热门文章

最新文章

|关于本站|小黑屋|Archiver|手机版|无线电爱好网 ( 粤ICP备15040352号 )Copyright © 2001-2025

粤公网安备 44030702001224号

GMT+8, 2025-10-15 10:30 , Processed in 0.187200 second(s), 12 queries .

Powered by Discuz! X3.4 Licensed

Copyright © 2001-2020, Tencent Cloud.

返回顶部