设为首页收藏本站官方微博官方QQ群帮助

开启辅助访问

无线电爱好网 › 首页 › 技术应用›初学入门

初学入门

基於TOSHIBA MOSFET 的雪崩能量 (EAS) 計算 -Part 2: 我們已經介紹了 TOSHIBA EAS規格了，本篇我們將介紹如何去計算與電流相關的雪崩能量。首先我們先計算MOSFET的Tch 溫度,公式如下請參考公式1，公式1：（註一：Avalanche Energy (EAS) caluculation of Power MOSFET） ...; 2025-2-17 08:48

基於TOSHIBA MOSFET 的雪崩能量 (EAS) 計算 -Part 1: 一般在使用MOSFET時,當MOSFET電壓超過MOSFET的擊穿電壓時。就會發生擊穿現象和電流流動。這稱為"雪崩擊穿"此時流過的電流稱為雪崩電流，作用在MOSFET上的能量稱為雪崩能量。本篇我們在介紹如何使用以下方法計算與雪 ...; 2025-2-17 08:48

TOSHIBA MOSFET 的MOSFET Safe Operating Area (SOA)- Part 2: 本篇將介紹 TOSHIBA MOSFET 的 MOSFET SOA的 Temperature derating.如圖一所示,圖一:MOSFET SOA(註一:Derating of the MOSFET Safe Operating Area)這裡我們舉一個例子說明,當Tc= 100°C 計算如下, 圖二顯示, 當MOSF ...; 2025-2-17 08:46

TOSHIBA MOSFET 的MOSFET Safe Operating Area (SOA)- Part 1: 一般我們在MOSFET的選用上,都會初步的考慮MOSFET的VDS,IDS,Rdson,切換速度等參考,但時間裝上客戶產品時往往都需要考慮環境溫度或是暫態時的VDS/IDS等,通常不外乎就是用SOA 來評估MOSFET是否操作在安全工作區域(Safe ...; 2025-2-17 08:43

Destruction of MOSFET Body Diode -Part3: 我們已經介紹了MOSFET的Body Diode,逆向回復時的電壓電流的四個區間的動作行為,這一個Part我們將介紹,MOSFET的Body Diode的損壞方式.MOSFET的Body Diode的損壞,會在逆向恢復期間,通常會有一個高電壓(Vds)瞬間施加到B ...; 2025-2-17 08:42

Destruction of MOSFET Body Diode -Part 2: 我們已經介紹了MOSFET的Body Diode的結構,本篇我們將透過電壓和電流曲線,更加了解MOSFET的Reverse Recovery Operation(反向恢復操作).MOSFET的Body Diode在反向恢復期間有著相當大的損耗,即當它從正向偏置狀態到反向 ...; 2025-2-17 08:41

Destruction of MOSFET Body Diode -Part 1: MOSFET 在Drain 和 Source 之間有一個body diode(也稱為寄生二極體),作為其結構的組成部分.在圖1中，Source電極側的n+和p+（p基極層）被Source 短路.因此,除了MOSFET結構之外,p Drain層、n-漂移層和n+基板在Drain和S ...; 2025-2-17 08:41

TOSHIBA MOSFET - dv/dt 對 MOSFET 的影響 - Part 3: 我們已經介紹了 MOSFET 的旁路二極體的逆向回復電流，接下來我們將介紹MOSFET切換時Turn on 和 Turn off 的Vds dv/dt 波形探討,本篇會已先介紹MOSFET Turn on 時的Vds dv/dt 波形，本分析都會以圖一作為電路分析,並 ...; 2025-2-17 08:39

TOSHIBA MOSFET - dv/dt 對 MOSFET 的影響 - Part 2: 本篇我們將介紹,MOSFET內部的二極體對MOSFET的影響.當逆變器和其他帶有電感性負載的電路在上下臂中有一對 MOSFET 時,電流會在它們開關時的反向恢復期間流過二極體.本篇討論二極體 dv/dt,下面我們將利用半橋架構舉例 ...; 2025-2-17 08:38

TOSHIBA MOSFET - dv/dt 對 MOSFET 的影響 -Part 1: MOSFET 的汲極(D)和源極(S)之間VDS電壓,假如有著高 dv/dt 可能會導致MOSFET產生問題.本篇將介紹出現這種現象的原因和對策.dv/dt表示電壓隨時間的變化率,用來表示MOSFET的開關瞬態週期或開關影響引起的VDS電壓的變化 ...; 2025-2-17 08:37

TOSHIBA MOSFET Gate Drive Circuit - Part 4: 上一篇我們介紹了MOSFET 驅動電路的功耗計算,然而MOSFET 驅動電路的基本要求包括能夠向柵極施加足夠高於 Vth 的電壓,以及能夠為輸入電容充分充電的驅動能力,本篇我們將介紹一些常用的MOSFET驅動電路範例提供大家參考 ...; 2025-2-13 09:48

TOSHIBA MOSFET Gate Drive Circuit - Part 3: 接續上一篇我們介紹了 MOSFET 導通時 VGS充電過程,本篇我們將柵級充電電路的功耗作介紹如圖一所示, 一般來說MOSFET 柵極驅動電路消耗的功率與其頻率成正比增加.圖一:圖一:『MOSFET drive circuit』(註1) 出處 TOSHIB ...; 2025-2-13 09:48

TOSHIBA MOSFET Gate Drive Circuit - Part 2: 上一篇我們已經簡單介紹了MOSFET的驅動，本篇再進一步的介紹MOSFET 的驅動充電曲線，介紹如下。在 MOSFET 導通時，電流流向了柵極，為柵極(G)-源極(S)和柵極(G)-漏極(D)電容充電。圖一為柵極電荷的測試電路。圖一:圖 ...; 2025-2-13 09:47

TOSHIBA MOSFET Gate Drive Circuit - Part 1: 先前已經介紹了TOSHIBA的MOSFET 應用在LLC 架構上, 然而驅動MOSFET 也是電源設計上重要的環節,本篇將介紹MOSFET Gate Drive Circuit. 一般我們常用的雙極晶體管為電流驅動元件,而 MOSFET 是電壓驅動元件。圖一說 ...; 2025-2-13 09:46

Toshiba Bipolar Junction Transistor 應用於MOSFET驅動線路: 驅動MOSFET方式不外乎就是使用Gate driver IC 或是Totem-Pole驅動線路,今天要針對Totem-Pole線路應用上介紹Toshiba Bipolar Junction Transistor和介紹三種使用Bipolar Junction Transistor的驅動電路如下:1.Totem-P ...; 2025-2-13 09:39

1 ... 9 10 11 121314 15 16 17 ... 86 / 86 页下一页

相关分类

热门文章

最新文章

|关于本站|小黑屋|Archiver|手机版|无线电爱好网 ( 粤ICP备15040352号 )

粤公网安备 44030702001224号

GMT+8, 2025-7-1 15:18 , Processed in 0.171601 second(s), 12 queries .

Powered by Discuz! X3.4 Licensed

Copyright © 2001-2020, Tencent Cloud.

返回顶部