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初学入门

實現可靠的高性能數字電源(1): 如今對數字電源的性能、效率和功率密度設定了極高的標準。本文將闡述可供設計人員采納以實現上述目標的實踐技巧。首先討論如何選擇合適的硬體架構。文中還將展示數字信號控制器（Digital Signal Controller，DSC） ...; 2025-3-10 08:46

三相三電平維也納PFC的器件應力分析: 本文今天要講的三相三電平維也納PFC器件應力分析，在大功率充電樁的充電模塊的方案設計中，器件選型及參數控制關係重大，會決定電源模塊工作可靠性及穩定性。PFC 電感應力從上面的工作狀態，我們可以知道，PFC 電感 ...; 2025-3-10 08:45

三相三電平維也納PFC的控制方案分析: 本文今天要講的三相三電平維也納PFC控制方案分析，在大功率充電樁的充電模塊的方案設計中，控制方案及環路參數控制關係重大，會決定電源模塊工作可靠性及穩定性。這種控制電路一般採取雙環的控制方式，即電壓外環+電 ...; 2025-3-10 08:44

三相交流電源的相序: 三相電源概念：三相電源系統是全世界最常見的發電、輸電、配電和用電方式。三相電源包含三個交流相位，通常用L1、L2 和L3 表示。這三個相位均生成等幅、等頻（以地電位為參考）的交流電壓。這三個電壓的相位彼此相差 ...; 2025-3-10 08:43

關於驅動Microchip SiC MOSFET的說明-2: 大家已熟知Microchip 收購了全球知名功率半導體器件廠商Microsemi，其SiC MOS管器件編號為MSCXXXSMAXXX 。VGSon 小於20V 的設計由於SiC 的帶隙較寬，所以反轉MOS 柵極電晶體半導體需要使用比矽片更高的電場。我們可 ...; 2025-3-10 08:42

關於驅動Microchip SiC MOSFET的說明-1: 大家已熟知Microchip 收購了全球知名功率半導體器件廠商Microsemi，其MOS管器件編號為MSCXXXSMAXXX 。本文將針對如何在設計中正確選擇Microchip SiC MOSFET 產品的柵- 源電壓作出說明，此外還提供了相關器件的性能和 ...; 2025-3-10 08:41

Toshiba - CMOS邏輯IC的使用注意事項(一): 在現今的電子設計領域，CMOS邏輯IC因其低功耗、高整合度和良好的雜訊抑制能力而廣泛應用。然而，要充分發揮CMOS邏輯IC的性能優勢，確保系統的穩定可靠運行，必須嚴格遵守一系列使用注意事項。向大家奉上一份詳細的設 ...; 2025-2-27 10:16

技術洞察 | 英飛凌CoolSiC™和CoolGaN™產品，升級電源和機架架構，滿足AI服務器的需 ...: 前言人工智慧（AI）的迅猛發展推動了數據中心處理能力的顯著增長。如圖1所示，英飛凌預測單台GPU的功耗將呈指數級上升，預計到2030年將達到約2000W，而AI服務器機架的峰值功耗將突破驚人的300kW。這一趨勢促使數據中 ...; 2025-2-27 10:14

Infineon 15W 無線充電解決方案: 無線充電，又稱作感應充電或非接觸式充電，主要是利用近場感應，由供電端將能量傳送至受電端的裝置，將該裝置使用接收到的能量對電池進行充電，並同時提供其本身運作之用。由於供電端與受電端裝置之間利用以電感耦合 ...; 2025-2-26 15:55

手機裝置無線充電: 無線充電技術的原理研究可以追溯到19世紀30年代，法拉第首先發現了電磁感應原理，即周圍磁場的變化將使電線中產生電流。到了19世紀 90年代，特斯拉(Nikola Tesla) 證實了無線傳輸電波的可能性。目前無線充電存在四種 ...; 2025-2-26 15:54

無線充電技術與生活應用: 科技始終來自於人性。當周遭的家庭電器或電子產品不需連接電線就可充電或供電，使用起來是否會更便利？近年來無線電力傳輸技術早已融入日常生中，舉凡電動牙刷、刮鬍刀、家用無線電話等，都可見到無線充電應用的蹤跡 ...; 2025-2-26 15:53

電源適配器的ESD靜電防護守則: 若power supply的AC輸入端為三孔，也就是有earth ground，在ESD測試時因電荷會被bypass，因此對電路幾乎沒影響。但若AC輸入端為兩孔，在設計上則須特別注意。以一般常見adapter為例，其外殼大多以絕緣材質密封，唯一 ...; 2025-2-26 15:52

Infineon SiC FET 規格介紹(2): SiC FET的導通阻抗Rds-on值會受到不同Vgs電壓的影響。在相同的溫度條件下，較高的SiC FET Vgs電壓會有較低的Rds-on值，可以進一步減少conduction loss，因此在效率的表現上也會比較好。Infineon的SiC FET在Vgs建議電 ...; 2025-2-26 15:50

Infineon SiC FET介紹(1): 一般提到的WBG產品，通常泛指為GaN與SiC FET二種功率元件。而WBG產品與silicon MOSFET最大的差異為能階，也就是電子伏特，silicon MOSFET在電子伏特為1左右，而SiC FET在電子伏特為3.X，同時能階又與耐壓相關連，因 ...; 2025-2-26 15:50

Infineon GaN MOSFET介紹(3): Enhance mode有二種驅動方式，其中Ohmic gate為電流驅動的方式，在GaN MOSFET的內部結構為當順向導通時為電阻與diode串聯，diode電壓降約為3.5V。而當反向導通時則由3個diode來做串接，約為-10V左右。當Vgs達到Vgs,t ...; 2025-2-26 15:49

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