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初学入门

集成电路制造中的划片工艺介绍: 本文概述了集成电路制造中的划片工艺，介绍了划片工艺的种类、步骤和面临的挑战。划片工艺介绍半导体制造的起点是对硅的加工。首先，要把纯度高达 99.9999% 的硅晶柱切割成不同厚度的晶圆。一般而言，4 英寸晶圆的厚 ...; 2025-3-14 13:29

IGBT IPM的模拟温度输出功能: ・IGBTIPM的高精度温度监控通常需要使用热敏电阻，而BM6337xS/BM6357xS系列已实现与热敏电阻同等的高精度，因此可用来取代热敏电阻。・VOT输出是LVIC单元的温度输出，因此无法跟上IGBT或FWD芯片的急剧温升。・因此， ...; 2025-3-14 13:26

硬件设计几种常用经典电路，为软件开发打硬件基础: 前言一直想入职嵌入式软件，但是25年作为学历一般的应届生真是太难了，于是今年实习就不想跑太远了，就在老家5线小城市进入了一家小企业，当电子工程师实习（学徒）。抱着入职什么，就学习什么的态度，大家都要认真 ...; 2025-3-14 13:24

如何通俗理解芯片封装设计: 1.封装设计的总体目标封装设计的主要目标是为芯片提供机械保护、电气连接以及热管理等功能，确保芯片在使用过程中稳定工作。通过封装，芯片与外部系统建立电气互连和机械连接，同时要保证芯片能有效散热。类比来说， ...; 2025-3-14 13:23

為汽車電子選電容器，這些選型知識必不可少！: 想要為當今的汽車電子應用選擇可靠的電容器，需要瞭解各電容器的性能特點以及不同應用中的工作條件。與數據手冊中的規格參數相比，應用中的工作環境對實際電路性能構成的影響很大，因此其對於最佳性價比解決方案的 ...; 2025-3-12 09:24

【科技友瘋狂】為什麼軟體工程師必須掌握 Linux？: 還在用Windows GUI 點來點去嗎？還在複製貼上路徑然後抱怨開發環境不穩定？如果你是軟體工程師，不會 Linux，等於放棄高效開發的可能性！?✨?為什麼學 Linux？1️⃣伺服器 90% 以上跑的是 Linux（AWS、GCP、Azure 都 ...; 2025-3-12 08:41

選好柵極驅動器，SiC MOSFET性能、效率和安全性三管齊下: 電隔離式（GI）柵極驅動器在優化碳化矽（SiC）MOSFET性能方面扮演著至關重要的角色，特別是在應對電氣化系統日益增長的需求時。隨著全球對電力在工業、交通和消費產品中依賴性的加深，SiC技術憑藉其提升效率和縮小系 ...; 2025-3-10 08:59

三相三電平維也納PFC的控制地的選擇分析: 本文今天要講的三相三電平維也納PFC控制地的選擇，在大功率充電樁的充電模塊的方案設計中，控制地的選擇會影響電源控制板信號採樣運算的可靠性，從而決定電源模塊工作安全穩定性。在傳統的單相有橋PFC中，一般把PFC ...; 2025-3-10 08:48

電源實現智能化的意義: 電源轉換應用無處不在。小到使用升壓轉換器調節紐扣電池（電量逐漸減小）電壓的便攜式設備，大到進行大量冗餘 AC-DC 轉換的蜂窩基站：一切都需要電力。業界對數字電源的討論有很多；例如，將電源轉換移軟體，最終用 ...; 2025-3-10 08:47

實現可靠的高性能數字電源(1): 如今對數字電源的性能、效率和功率密度設定了極高的標準。本文將闡述可供設計人員采納以實現上述目標的實踐技巧。首先討論如何選擇合適的硬體架構。文中還將展示數字信號控制器（Digital Signal Controller，DSC） ...; 2025-3-10 08:46

三相三電平維也納PFC的器件應力分析: 本文今天要講的三相三電平維也納PFC器件應力分析，在大功率充電樁的充電模塊的方案設計中，器件選型及參數控制關係重大，會決定電源模塊工作可靠性及穩定性。PFC 電感應力從上面的工作狀態，我們可以知道，PFC 電感 ...; 2025-3-10 08:45

三相三電平維也納PFC的控制方案分析: 本文今天要講的三相三電平維也納PFC控制方案分析，在大功率充電樁的充電模塊的方案設計中，控制方案及環路參數控制關係重大，會決定電源模塊工作可靠性及穩定性。這種控制電路一般採取雙環的控制方式，即電壓外環+電 ...; 2025-3-10 08:44

三相交流電源的相序: 三相電源概念：三相電源系統是全世界最常見的發電、輸電、配電和用電方式。三相電源包含三個交流相位，通常用L1、L2 和L3 表示。這三個相位均生成等幅、等頻（以地電位為參考）的交流電壓。這三個電壓的相位彼此相差 ...; 2025-3-10 08:43

關於驅動Microchip SiC MOSFET的說明-2: 大家已熟知Microchip 收購了全球知名功率半導體器件廠商Microsemi，其SiC MOS管器件編號為MSCXXXSMAXXX 。VGSon 小於20V 的設計由於SiC 的帶隙較寬，所以反轉MOS 柵極電晶體半導體需要使用比矽片更高的電場。我們可 ...; 2025-3-10 08:42

關於驅動Microchip SiC MOSFET的說明-1: 大家已熟知Microchip 收購了全球知名功率半導體器件廠商Microsemi，其MOS管器件編號為MSCXXXSMAXXX 。本文將針對如何在設計中正確選擇Microchip SiC MOSFET 產品的柵- 源電壓作出說明，此外還提供了相關器件的性能和 ...; 2025-3-10 08:41

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