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初学入门

Toshiba - CMOS邏輯IC的使用注意事項(一): 在現今的電子設計領域，CMOS邏輯IC因其低功耗、高整合度和良好的雜訊抑制能力而廣泛應用。然而，要充分發揮CMOS邏輯IC的性能優勢，確保系統的穩定可靠運行，必須嚴格遵守一系列使用注意事項。向大家奉上一份詳細的設 ...; 2025-2-27 10:16

技術洞察 | 英飛凌CoolSiC™和CoolGaN™產品，升級電源和機架架構，滿足AI服務器的需 ...: 前言人工智慧（AI）的迅猛發展推動了數據中心處理能力的顯著增長。如圖1所示，英飛凌預測單台GPU的功耗將呈指數級上升，預計到2030年將達到約2000W，而AI服務器機架的峰值功耗將突破驚人的300kW。這一趨勢促使數據中 ...; 2025-2-27 10:14

Infineon 15W 無線充電解決方案: 無線充電，又稱作感應充電或非接觸式充電，主要是利用近場感應，由供電端將能量傳送至受電端的裝置，將該裝置使用接收到的能量對電池進行充電，並同時提供其本身運作之用。由於供電端與受電端裝置之間利用以電感耦合 ...; 2025-2-26 15:55

手機裝置無線充電: 無線充電技術的原理研究可以追溯到19世紀30年代，法拉第首先發現了電磁感應原理，即周圍磁場的變化將使電線中產生電流。到了19世紀 90年代，特斯拉(Nikola Tesla) 證實了無線傳輸電波的可能性。目前無線充電存在四種 ...; 2025-2-26 15:54

無線充電技術與生活應用: 科技始終來自於人性。當周遭的家庭電器或電子產品不需連接電線就可充電或供電，使用起來是否會更便利？近年來無線電力傳輸技術早已融入日常生中，舉凡電動牙刷、刮鬍刀、家用無線電話等，都可見到無線充電應用的蹤跡 ...; 2025-2-26 15:53

電源適配器的ESD靜電防護守則: 若power supply的AC輸入端為三孔，也就是有earth ground，在ESD測試時因電荷會被bypass，因此對電路幾乎沒影響。但若AC輸入端為兩孔，在設計上則須特別注意。以一般常見adapter為例，其外殼大多以絕緣材質密封，唯一 ...; 2025-2-26 15:52

Infineon SiC FET 規格介紹(2): SiC FET的導通阻抗Rds-on值會受到不同Vgs電壓的影響。在相同的溫度條件下，較高的SiC FET Vgs電壓會有較低的Rds-on值，可以進一步減少conduction loss，因此在效率的表現上也會比較好。Infineon的SiC FET在Vgs建議電 ...; 2025-2-26 15:50

Infineon SiC FET介紹(1): 一般提到的WBG產品，通常泛指為GaN與SiC FET二種功率元件。而WBG產品與silicon MOSFET最大的差異為能階，也就是電子伏特，silicon MOSFET在電子伏特為1左右，而SiC FET在電子伏特為3.X，同時能階又與耐壓相關連，因 ...; 2025-2-26 15:50

Infineon GaN MOSFET介紹(3): Enhance mode有二種驅動方式，其中Ohmic gate為電流驅動的方式，在GaN MOSFET的內部結構為當順向導通時為電阻與diode串聯，diode電壓降約為3.5V。而當反向導通時則由3個diode來做串接，約為-10V左右。當Vgs達到Vgs,t ...; 2025-2-26 15:49

Infineon GaN MOSFET介紹(2): 下面圖示為2000年到2020年CoolMOS發展的歷程，其中關鍵品質因素(Rds-on與面積乘積)越小，表為MOSFET的製程能力與產品特性越好。在2008年有人提出Si材料製程的關鍵品質因素的極限為0.5，由於Si材料製程的發展有其限制 ...; 2025-2-26 15:48

Infineon GaN MOSFET介紹(1): 一般市場上提到的第3代半導體，通常泛指WBG產品，而常見的WBG產品為GaN MOSFET與SiC FET二種功率元件。而WBG產品與silicon MOSFET最大的差異為能階，也就是電子伏特，silicon MOSFET在電子伏特為1左右，而SiC FET在 ...; 2025-2-26 15:47

從功耗、矽片面積、性能三大維度評估Treo平台: 本文重點介紹了安森美（onsemi）Treo平台的模擬性能。引入了PPA三角形概念來比較不同工藝技術之間的模擬關鍵指標。總體而言，本文將展示基於65nm BCD工藝技術的安森美 Treo平台，在模擬、混合信號及高壓BCD解決方案 ...; 2025-2-25 11:11

碳化矽可靠性驗證要點: 從MOSFET 、二極體到功率模塊，功率半導體產品是我們生活中無數電子設備的核心。從醫療設備和可再生能源基礎設施，到個人電子產品和電動汽車(EV)，它們的性能和可靠性確保了各種設備的持續運行。第三代寬禁帶（WBG） ...; 2025-2-25 11:09

基於TOSHIBA Power MOSFET 的結構和特徵: 本篇我們將介紹Power MOSFET的結構和特徵給大家認識,首先我們會介紹Power MOSFET的內部結構做介紹,在比較TOSHIBAPower MOSFET與雙極元件 bipolar transistors的內部結構,最後在 Power MOSFET和雙極元件 bipolar tran ...; 2025-2-17 08:50

基於TOSHIBA MOSFET 的雪崩能量 (EAS) 計算 -Part 3: 繼續介紹EAS的計算，接著我們下一步是用測量值和規格書參數來取代未知參數"L"範圍，圖1所示為雪崩能量測試電路,從此電路中雪崩能量波形如圖2所示。圖1. 雪崩能量測試電路(註1.Avalanche Energy (EAS) caluculation o ...; 2025-2-17 08:49

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