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初学入门

TVS工作原理和選型: 一、TVS工作原理TVS，即瞬態電壓抑制器，又稱雪崩擊穿二極體。它是採用半導體工藝製成的單個PN結或多個PN結集成的器件。TVS有單向與雙向之分，單向TVS一般應用於直流供電電路，雙向TVS應用於電壓交變的電路。如圖1所 ...; 2025-2-13 09:15

如何評估功率MOSFET 的熱效應和結溫（三）: 5 傳熱模式---熱對流和熱輻射當一個高溫物體被放入一個較冷的環境中時，能量就會從高溫物體轉移到外部環境中。環境可以是固態、液態或氣態。在電路環境中，熱傳遞方式主要為以下幾種：對流（自然or強制）輻射當兩個 ...; 2025-2-13 09:03

如何評估功率MOSFET 的熱效應和結溫（二）: 4熱因素如前所述，有幾個因素會影響矽器件的熱行為。在規格書中，通常會標明熱阻抗Zθ（thermal impedance）和熱阻Rθ（thermal resistance）。由於熱阻抗（thermal impedance）描述的是快速瞬態的行為，因此會與熱 ...; 2025-2-13 08:51

如何評估功率MOSFET 的熱效應和結溫（一）: 電源設計中，越來越重視系統效率和半導體器件的結溫.在半導體器件中，電晶體是迄今為止最重要的一類。幾乎所有的電晶體都是三引腳器件(MOSFET, BJT, IGBT)，與二極體不同，它們有一個驅動引腳，這使它們對輸入信號與 ...; 2025-2-13 08:50

ROHM LiDAR（雷射探測與測距）的介紹與產品應用: 什麼是LiDAR？LiDAR是LightDetectionAndRanging（雷射探測與測距）的縮寫, 是使用近紅外光,可見光或紫外光照射物件, 並透過光學感測器捕獲其反射光來測量距離的遙測（使用感測器從遠處進行感測）方法.也被稱為LaserI ...; 2025-2-12 08:41

CMOS邏輯IC的使用注意事項(一): 在現今的電子設計領域，CMOS邏輯IC因其低功耗、高整合度和良好的雜訊抑制能力而廣泛應用。然而，要充分發揮CMOS邏輯IC的性能優勢，確保系統的穩定可靠運行，必須嚴格遵守一系列使用注意事項。向大家奉上一份詳細的設 ...; 2025-2-12 08:40

功率器件熱設計基礎（三）——功率半導體殼溫和散熱器溫度定義和測試方法 ...: 功率半導體熱設計是實現IGBT、碳化矽SiC高功率密度的基礎，只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識，才能完成精確熱設計，提高功率器件的利用率，降低系統成本，並保證系統的可靠性。功率器件熱設計基礎系列文章會聯繫 ...; 2025-2-12 08:38

功率器件熱設計基礎（六）——瞬態熱測量: 功率半導體熱設計是實現IGBT、碳化矽SiC高功率密度的基礎，只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識，才能完成精確熱設計，提高功率器件的利用率，降低系統成本，並保證系統的可靠性。功率器件熱設計基礎系列文章會比較 ...; 2025-2-12 08:37

功率器件熱設計基礎（五）——功率半導體熱容: 功率半導體熱設計是實現IGBT、碳化矽SiC高功率密度的基礎，只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識，才能完成精確熱設計，提高功率器件的利用率，降低系統成本，並保證系統的可靠性。功率器件熱設計基礎系列文章會比較 ...; 2025-2-12 08:36

功率器件熱設計基礎（四）——功率半導體晶片溫度和測試方法 ...: 功率半導體熱設計是實現IGBT、碳化矽SiC高功率密度的基礎，只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識，才能完成精確熱設計，提高功率器件的利用率，降低系統成本，並保證系統的可靠性。功率器件熱設計基礎系列文章會比較 ...; 2025-2-12 08:35

功率器件熱設計基礎（八）——利用瞬態熱阻計算二極體浪涌電流 ...: 功率半導體熱設計是實現IGBT、碳化矽SiC高功率密度的基礎，只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識，才能完成精確熱設計，提高功率器件的利用率，降低系統成本，並保證系統的可靠性。功率器件熱設計基礎系列文章會比較 ...; 2025-2-12 08:34

功率器件熱設計基礎（七）——熱等效模型: 功率半導體熱設計是實現IGBT、SiC MOSFET高功率密度的基礎，只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識，才能完成精確熱設計，提高功率器件的利用率，降低系統成本，並保證系統的可靠性。功率器件熱設計基礎系列文章會比較 ...; 2025-2-12 08:33

深度 | GaN還是SiC，電氣工程師該如何選擇？: 氮化鎵電晶體和碳化矽MOSFET是近年來新興的功率半導體，相比於傳統的矽材料功率半導體，他們都具有許多非常優異的特性：耐壓高，導通電阻小，寄生參數小等。他們也有各自與眾不同的特性：氮化鎵電晶體的極小寄生參數 ...; 2025-2-12 08:32

功率器件熱設計基礎（九）——功率半導體模塊的熱擴散: 功率半導體熱設計是實現IGBT、碳化矽SiC高功率密度的基礎，只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識，才能完成精確熱設計，提高功率器件的利用率，降低系統成本，並保證系統的可靠性。功率器件熱設計基礎系列文章會比較 ...; 2025-2-12 08:31

功率器件熱設計基礎（十）——功率半導體器件的結構函數: 功率半導體熱設計是實現IGBT、碳化矽SiC高功率密度的基礎，只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識，才能完成精確熱設計，提高功率器件的利用率，降低系統成本，並保證系統的可靠性。功率器件熱設計基礎系列文章會比較 ...; 2025-2-12 08:29

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