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初学入门

單相雙向 AC-DC 轉換器介紹
單相雙向 AC-DC 轉換器介紹
1. 前言 由於電力電子、數位控制及電池技術的進步,促使再生能源、儲能系統及新能源應用等產業的蓬勃發展。例如 : 電動汽車的電能系統、對電力系統用電進行削峰填谷和調節電力的儲能系統、應急電源及可攜式行動 ...
2024-9-12 15:03
探索GaN技術的多樣性(一)
探索GaN技術的多樣性(一)
一、前言 隨著現代科技的迅猛發展,半導體材料在電子和電力應用中的角色愈發重要。氮化鎵(Gallium Nitride,簡稱GaN)作為第三類半導體材料,因其優異的物理特性和性能表現,逐漸成為功率電子和高頻應用領域的焦 ...
2024-9-12 11:15
Silan SVSP60R090P7 Super Junction MOSFET介紹
Silan SVSP60R090P7 Super Junction MOSFET介紹
Silan SVSP60R090P7系列是一款最新具有更好的MOSFET特性,這種Super Junction MOSFET具有很好的特性,例如快速開關時間、低導通電阻、低閘極充電、低EMI特性和優異的雪崩特性特徵,主要適用於功率因數校正和開關模式 ...
2024-9-11 15:08
東芝第三代SiC MOSFET的特點與應用 Part 2
東芝第三代SiC MOSFET的特點與應用 Part 2
1.東芝SiC MOSFET Built-in SBD實現了低VF並提高可靠性東芝第三代SiC MOSFET採用了一種結構如圖1所示,在SiC MOSFET的PN二極體旁並聯內建了SBD,現了低VF的特性,圖2顯示了在施加250 A/cm²電流密度並從源極到汲極導 ...
2024-9-11 15:07
如何優化SiC柵級驅動電路?
如何優化SiC柵級驅動電路?
於高壓開關電源應用,碳化矽或 SiC MOSFET 與傳統矽 MOSFET 和 IGBT 相比具有顯著優勢。SiC MOSFET 很好地兼顧了高壓、高頻和開關性能優勢。它是電壓控制的場效應器件,能夠像 IGBT 一樣進行高壓開關,同時開關頻率 ...
2024-9-6 10:07
OBC PFC車規功率器件結溫波動與功率循環壽命分析
OBC PFC車規功率器件結溫波動與功率循環壽命分析
應用背景 隨著新能源汽車(xEV)在乘用車滲透率的逐步提升,車載充電機(OBC)作為電網與車載電池之間的單向充電或雙向補能的車載電源設備,也得到了非常廣泛的應用。相比車載主驅電控逆變器, 電源類OBC產品複雜度高 ...
2024-9-6 09:41
適用於48V電池斷開開關的80V雙門極MOSFET及其應用仿真詳解
適用於48V電池斷開開關的80V雙門極MOSFET及其應用仿真詳解
1. 斷開開關當今面臨的挑戰現代車輛電氣系統的結構變得越來越複雜。這是由於負載數量的增加,從鉛酸電池轉變為鋰離子或其他類型電池,以及對失效可操作等功能安全措施的需求。這些因素使得電池和負載隔離開關的使用 ...
2024-9-6 09:38
onsemi推出第7代IGBT
onsemi推出第7代IGBT
功率半導體是電子裝置電能轉換與電路控制的核心。功率半導體是一 種廣泛用於電力電子裝置和電能轉換和控制電路的半導體元件,可通過半 導體的單嚮導電性實現電源開關和電力轉換的功能。IGBT 具有電導調製能力,相對 ...
2024-8-16 09:14
攝像頭模組基礎介紹
攝像頭模組基礎介紹
1.CCM模組的基本構造:Lens:镜头Holder:基座Image Sensor:图像传感器FPC or PCB:柔性電路格 or印制电路板2.模組各組件介紹-Lens(光學鏡頭):光學鏡頭的結構為:鏡筒(Barrel)、鏡片組(P/G)、鏡片保護層(墊圈 ...
2024-8-16 09:10
英飞凌碳化硅技术大解析——SiC材料到底“Cool”在哪里?
英飞凌碳化硅技术大解析——SiC材料到底“Cool”在哪里?
上世纪四五十年代,以硅(Si)和锗(Ge)为代表的第一代半导体材料奠定了微电子产业的基础。经过几十年的发展,硅材料的制备与工艺日臻完美,Si基器件的设计和开发也经过了多次迭代和优化,正在逐渐接近硅材料的极限,Si ...
2024-8-16 09:08
KEC第三代超接面金氧半場效電晶體: 具有高電力密度,以Low Qg,Fast Switching的特性 ...
KEC第三代超接面金氧半場效電晶體: 具有高電力密度,以Low Qg,Fast Switching的特性 ...
KEC SuperJunction MOSFET(超接面金氧半場效電晶體),不僅可實現系統的低消耗電力設計,還可實現Low EMI,可便於用戶設計。 具備可適用於各種電器的豐富產品線和全系列包裝.KEC Gen.2 vs Gen.3(new)特性比較:KEC:600V ...
2024-8-16 09:05
onsemi第三代半導體 WBG
onsemi第三代半導體 WBG
onsemi 第三代寬能帶半導體:碳化矽 (SiC):支援寬能帶電源設計的完整元器件生態系統,包括SiC二極體、SiC MOSFET和SiC 模組。碳化矽 (SiC)技術優勢:與矽器(Si)件相比,SiC器件的介電擊穿場強高10倍,電子飽和速度高2 ...
2024-8-16 09:03
DFN5X6 MOSFET 引腳應用的優劣勢
DFN5X6 MOSFET 引腳應用的優劣勢
以目前MB/NB/VGA產品來看,其大電流的應用位置,不外乎VCORE/GPU CORE/CHIPSET ,這些應用大多30A至200-300A不等,且與PWM CONTROLLER 搭配多相數使用,以提供足夠的電流需求。目前來看,單組MOSFET 組合,約可提供3 ...
2024-8-16 08:59
淺談DRMOS 的優勢
淺談DRMOS 的優勢
前言: 現今的電子3C產品,大多都追求輕、薄、短、小。同時又有高效能的需求,除了CPU及晶片組的效能提升外,其各家半導體廠也不斷的想方設法的將零件小型化外,對於其規格上的提升,也下了不少功夫。 拜MOSFET的製程 ...
2024-8-16 08:58
NOR-flash在5G無限基礎設施中 為何如此的重要
NOR-flash在5G無限基礎設施中 為何如此的重要
第五代無線技術5G已成為繼4G之後的未來。憑藉快速的速度、高頻寬(高達10Gb/s)和超低延遲,5G技術可以實現更多以前無法想像的應用。本文將討論5G無線基礎架構應用中NOR Flash 記憶體的重要選擇標準為了在壓縮的上市 ...
2024-8-16 08:50

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