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初学入门

spwm控制的基本原理_spwm控制方法有哪些: 正弦脉冲宽度调制SPWM的实现有多种方法。SPWM控制方法从采用模拟电路到全数字化方案，完成优化的实时在线的SPWM信号输出，对于不同的波形，其调制处理芯片的算法、频率输出范围、波形产生机理等方面有很大的不同。本 ...; 2022-8-30 15:03

DC/DC变换器与DC/AC逆变器连接问题的研究: 随着各种各样的逆变电源的应用越来越广泛，对逆变器的研究也日益深入。目前，应用最多的为输出工频220V的逆变器，它广泛应用在各种不间断电源(UPS)、小型太阳能逆变电源及通讯用逆变电源中。现在的逆变器一般都带有 ...; 2022-8-30 15:01

IGBT传统保护模式和新型保护模式电路对比: IGBT绝缘栅双极型晶体管是一种典型的双极MOS复合型。它结合功率MOSFET的工艺技术，将功率MOSFET和功率管GTR集成在同一个芯片中。该器件具有开关频率高、输入阻抗较大、热稳定性好、简单、低饱和电压及大电流等特性， ...; 2022-8-29 14:58

雪崩二极管的基础知识: 雪崩二极管原理雪崩二极管是利用半导体PN结中的雪崩倍增效应及载流子的渡越时间效应产生微波振荡的半导体器件。如果在二极管两端加上足够大的反向电压，使得空间电荷区展宽，从N+P结处一直展宽到IP+结处。整个空间电 ...; 2022-8-29 14:57

TO-247封装碳化硅MOSFET中引入辅助源极管脚的必要性: 功率开关器件（如MOSFET, IGBT）广泛应用于新能源汽车、工业、医疗、交通、消费等行业的电力电子设备中，直接影响着这些电力电子设备的成本和效率。因此，实现更低的开关损耗和更低的导通损耗一直是功率半导体行业的 ...; 2022-8-29 14:49

双向触发二极管的基础知识: 双向触发二极管，简称DIAC，是一个重要的半导体器件。它与晶体管非常相似，因此更严格地称为晶体管而不是晶闸管。然而，DIAC在三端双向可控硅(TRIAC)触发和其他基于晶闸管的电路中具有重要作用。此外，多个门极触发 ...; 2022-8-26 09:32

EMS中的浪涌抗扰度电路分析: 大家都知道，EMC描述的是产品两个方面的性能，即电磁发射/干扰EME和电磁抗扰EMS。EME中又包含传导和辐射；而EMS中又包含静电、脉冲群、浪涌等。本文将从EMS中的浪涌抗扰度的角度出发，分析设计电源的前级电路。抗浪 ...; 2022-8-26 09:31

多相降压变换器的Load-Line设计: 5G 网络、云计算、物联网 (IoT) 和虚拟化的发展正在推动IT 基础设施对高性能计算服务器提出更高的需求。服务器的更新迭代对计算能力和效率提出更高要求，同时对功率的需求也不断增加。确保服务器满足市场需求的关键 ...; 2022-8-26 09:29

电源应用问题之应用环境分析: 本文简述开关电源常见的应用环境，分析各种典型环境因素对电源产品的主要影响机理，推荐与应用环境相匹配的金升阳电源产品，提升电源在不同应用环境中的可靠性。一、引言随着电子产品的普及，电源的应用范围越来越广 ...; 2022-8-26 09:28

碳化硅MOS 四引脚封装在应用中的优势: 瑞森半导体科技有限公司经过多年研发，推出碳化硅MOS和SBD系列产品，目前已得到市场和客户认可，广泛应用于高端服务器电源、太阳能逆变、UPS电源、电机驱动、储能、充电桩等领域。碳化硅MOS 芯片具有优异的高频特性 ...; 2022-8-26 09:26

通过仿真分析ZVS工作原理: 零电压开关（Zero Voltage Switch）振荡电路是功率开关管在导通和关断（模式切换时）两端电压为0（实际上应该是非常接近于0）的电路，这种特性使得电路功率损耗变小，所以被广泛应用到大功率加热、高压电路中。比如 ...; 2022-8-25 09:32

阻感性负载和反电动势负载——看似简单的整流电路详解: 六期连载，整流电路AC/DC变换应用非常广泛，其中二极管整流在电机驱动中是主流的方案，而且功率范围很广，所以了解二极管整流工程设计非常重要。整流电路AC/DC变换应用非常广泛，比DC/AC 逆变器功率范围更广，数量更 ...; 2022-8-25 09:31

射频功率放大器: 射频功率放大器(RF PA)是发射系统中的主要部分，其重要性不言而喻。在发射机的前级电路中，调制振荡电路所产生的射频信号功率很小，需要经过一系列的放大（缓冲级、中间放大级、末级功率放大级）获得足够的射频功率 ...; 2022-8-25 09:29

一文详解数字晶体管的原理: 数字晶体管（Digital Transistor），英文名为Bias Resistor Transistor，是带电阻的晶体管，有的仅在基极上串联一只电阻，一般称为R1，有的在基极与发射极之间还并联一只电阻R2。电阻R1有多种电阻，类似标准电阻系列 ...; 2022-8-25 09:27

深入剖析高速SiC MOSFET的开关行为: 本文探讨了影响高速SiC MOSFET开关特性的关键因素，包括器件特性、工作条件和外部电路；解释了开关损耗的主要影响因素，并确定了影响器件行为和使用的重要因素，这些因素可以显著提升SiC MOSFET在功率电路中的开关性 ...; 2022-8-25 09:24

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