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初学入门

混合信号矩阵IC简化了三相交流系统的控制: 本文将演示如何使用Silego GreenPAK控制三相交流系统的每个相位SLG46140是一种可编程混合信号矩阵集成电路。我们将通过精确地打开和关闭三个三端双向可控硅开关来实现这一点与相应ac相位同步的时间间隔。虽然类似的 ...; 2022-8-31 10:30

步进电机与伺服电机的区别: 随着数字控制技术的发展，运动控制系统中大多采用步进电机或伺服电机作为执行电动机。虽然两者在控制方式上相似（脉冲串和方向信号），但在使用性能和应用场合上存在着较大的差异。现对二者的性能做下比较一、控制的 ...; 2022-8-31 09:57

功率MOSFET的常见封装与布局配置: 栅极驱动器和功率MOSFET的放置对于前置驱动器电机驱动解决方案的正确运行和性能优化至关重要。对于具有集成 MOSFET 的电机驱动器，例如 DRV8870、DRV8313、DRV10987、DRV10983-Q1和DRV8873-Q1，在内部已完成了正确布 ...; 2022-8-31 09:35

结合实际聊聊电平转换电路（常用电平转换电路总结）: 矜辰所致•来源：矜辰所致•作者：矜辰所致•2022-08-29 15:00•230次阅读0电路小课堂，总结一下常用的电平转换电路。目录前言一、二极管电平转换电路电路分析二、三极管电平转换电路2.1 电路一电路分析2.2 电路二电 ...; 2022-8-31 09:33

芯片的内部线路图如何设计: 作为一名硬件工程师，自然经常与各种芯片打交道，可能有的同学对芯片的内部并不是很了解，不少同学在应用新的芯片时直接翻到Datasheet的应用页面，按照推荐设计搭建外围完事。如此一来即使应用没有问题，却也忽略了 ...; 2022-8-31 09:32

SiC MOSFET应用中的EMI改善方案分析: 富昌电子（Future Electronics）一直致力于以专业的技术服务，为客户打造个性化的解决方案，并缩短产品设计周期。在第三代半导体的实际应用领域，富昌电子结合自身的技术积累和项目经验，落笔于SiC相关设计的系列文 ...; 2022-8-31 09:31

基于MCE1417H100M模块设计一台调频发射机: 冬至配饺子•来源：guangmangdz•作者：guangmangdz•2022-08-29 17:00•180次阅读0设计目的：为了得到一台调频发射机。设计原理：本发射机为了得到较好音质，故主振级必须屏蔽，为了美观与音质兼并而又简单则直接采 ...; 2022-8-31 09:19

以太网供电实现LED照明应用: 以太网供电（Power over Ethernet，简称PoE）也称PoE供电，可在一条电缆上传输数据与电源，该技术的便利性已经广泛吸引众多智能设备采用，像是智能建筑中的LED照明应用，便是PoE技术的最佳用例之一。本文将为您介绍P ...; 2022-8-31 09:15

SA8281型SPWM波发生器原理及在变频器中的应用: 1 引言　　脉宽调制技术通过一定的规律控制开关元件的通断，来获得一组等幅而不等宽的矩形脉冲波形，用以近似正弦电压波形。脉宽调制技术在逆变器中的应用对现代电力电子技术、现代调速系统的发展起到极大的促进作用 ...; 2022-8-30 15:13

SPWM稳频稳压逆变电源: 近年来，变频器与变频电机组成的拖动系统在生产中发挥着重要的作用。然而在使用中经常发现变频器与变频电机不能很好地匹配，这个问题严重困扰着变频器及变频电机的生产厂家。因此有必要研发SPWM稳频稳压电源，使电源 ...; 2022-8-30 15:07

SPWM调制技术及其应用: SPWM调制技术及其应用1、正弦脉宽调制（SPWM）技术的理论基础采样控制理论中有一个重要结论：形状不同但面积相等的窄脉冲加之于线性环节时，得到的输出效果基本相同。如图所示，分别是矩形、三角形、正弦半波窄脉 ...; 2022-8-30 15:04

spwm控制的基本原理_spwm控制方法有哪些: 正弦脉冲宽度调制SPWM的实现有多种方法。SPWM控制方法从采用模拟电路到全数字化方案，完成优化的实时在线的SPWM信号输出，对于不同的波形，其调制处理芯片的算法、频率输出范围、波形产生机理等方面有很大的不同。本 ...; 2022-8-30 15:03

DC/DC变换器与DC/AC逆变器连接问题的研究: 随着各种各样的逆变电源的应用越来越广泛，对逆变器的研究也日益深入。目前，应用最多的为输出工频220V的逆变器，它广泛应用在各种不间断电源(UPS)、小型太阳能逆变电源及通讯用逆变电源中。现在的逆变器一般都带有 ...; 2022-8-30 15:01

IGBT传统保护模式和新型保护模式电路对比: IGBT绝缘栅双极型晶体管是一种典型的双极MOS复合型。它结合功率MOSFET的工艺技术，将功率MOSFET和功率管GTR集成在同一个芯片中。该器件具有开关频率高、输入阻抗较大、热稳定性好、简单、低饱和电压及大电流等特性， ...; 2022-8-29 14:58

雪崩二极管的基础知识: 雪崩二极管原理雪崩二极管是利用半导体PN结中的雪崩倍增效应及载流子的渡越时间效应产生微波振荡的半导体器件。如果在二极管两端加上足够大的反向电压，使得空间电荷区展宽，从N+P结处一直展宽到IP+结处。整个空间电 ...; 2022-8-29 14:57

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