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初学入门

正常状态 - 什么是锂电池保护板_锂电池保护板有什么用
正常状态 - 什么是锂电池保护板_锂电池保护板有什么用
 什么是锂电池保护板  锂电池保护板是对串联锂电池组的充放电保护;在充满电时能保证各单体电池之间的电压差异小于设定值(一般±20mV),实现电池组各单体电池的均充,有效地改善了串联充电方式下的充电效果;同 ...
2022-8-24 13:22
铅酸电池充放电保护电路图
铅酸电池充放电保护电路图
  铅酸电池充放电保护电路图(一)铅酸电池和锂电池一样,不宜过充也不宜过放。但是锂电池使用时一般会配合保护板,实现过充放、短路等保护。但是铅酸电池一般是独立使用的,过充放就需要人为控制或者由负载内部的 ...
2022-8-24 13:19
基本的PMOS防反接电路
基本的PMOS防反接电路
二极管串联以常用的5V/2A为例。常用二极管串联在电路中,在电源反接时,二极管承担所有的电压,有效防止电源反接损坏后级设备。但是,二极管上压降较大,损耗较高。使用肖特基二极管可以减小损耗,但是仍对电路有较 ...
2022-8-24 13:16
氮化镓基础知识
氮化镓基础知识
氮化镓是一种二元III/V族直接带隙半导体晶体,也是一般照明LED和蓝光播放器最常使用的材料。另外,氮化镓还被用于射频放大器和功率电子器件。氮化镓是非常坚硬的材料;其原子的化学键是高度离子化的氮化镓化学键,该 ...
2022-8-24 13:15
RCD钳位电路介绍和参数计算
RCD钳位电路介绍和参数计算
一.RCD 吸收电路和RCD钳位电路的区分早期开关电源是是使用RCD吸收电路,它的作用是减少开关管(早期使用BJT做开关管)的交叉损耗,从而改善开关管的损耗和温度。同时,能够减少开关管关断转换过程中开关管上的dv/dt, ...
2022-8-23 10:44
MOS FET相关知识(2)
MOS FET相关知识(2)
寄生二极管的方向如何判定?它的判断规则:N沟道,由S极指向D极;P沟道,由D极指向S极;电压开关;MOS开关可以实现的是信号切换(高低电平切换)。也可以实现开关电压通断的 ...
2022-8-23 10:38
MOSFET导通过程详细分析
MOSFET导通过程详细分析
一、MOSFET开通过程T0~T1:驱动通过Rgate对Cgs充电,电压Vgs以指数的形式上升T1~T2:Vgs达到MOSFET开启电压,MOSFET进入线性区,Id缓慢上升,至T2时刻Id到达饱和或是负载最大电流。在此期间漏源极之间依然承受近乎全 ...
2022-8-23 10:37
MOS管驅動電路
MOS管驅動電路
MOSFET管因為導通內阻低、開關速度快,因此被廣泛應用在開關電源上。而 用好一個MOS管,其驅動電路的設計很關鍵,下面分享幾種常用的驅動原理。一、電源IC驅動。 電源IC驅動是最簡單的驅動方法,就注意幾個參數及影 ...
2022-8-23 10:31
氮化鎵(GaN)與矽(Si)的MOS開關比較
氮化鎵(GaN)與矽(Si)的MOS開關比較
由於寬能隙功率元件的優異切換性能,近幾年已經漸漸被商用化。常見的問題,如:究竟寬能隙元件對於系統的功率密度與效率的提升幫助有多少?原先所使用的以矽為基礎的元件在更複雜的拓撲與控制機制,是否需要付出更大 ...
2022-8-23 10:29
OBC 功率MOS 结温计算
OBC 功率MOS 结温计算
1. 概述新能源汽车中的电动汽车离我们越来越近,在汽车上有个负责给充电的器件叫 OBC,全名叫 On-board charger。拥有超小的身材,却拥有强大的性能。常规家用车中的 OBC 拥有6.6KW最大功率,却不到 A4 纸张大小的尺 ...
2022-8-23 10:26
MOS工艺与MOS应用和损耗计算
MOS工艺与MOS应用和损耗计算
一.MOS概述MOS,金属-氧化层-半导体-场效晶体管,简称金氧半场效晶体管( Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,MOSFET);依照其“通道”的极性不同,可分为称为NMOSFET与PMOSFET。MOS结构图如下:MOS ...
2022-8-23 10:18
关于MOS datasheet 参数解读
关于MOS datasheet 参数解读
文章主要介绍 mosfet 的主要参数,通过这些参数来理解设计时候的考量一、场效应管的参数有很多,一般的MOS datasheet 都包含如下关键参数:1 极限参数:ID:最大漏源电流。是指场效应管正常工作时,漏源间所允许通过 ...
2022-8-23 10:14
谈MOS管的米勒效应
谈MOS管的米勒效应
米勒效应MOSFET的栅极驱动过程,可以简单的理解为驱动源对MOSFET的输入电容的充放电过程;当Cgs达到门槛电压之后, MOSFET就会进入开通状态;当MOSFET开通后,Vds开始下降,Id开始上升,此时MOSFET进入饱和区;但由 ...
2022-8-23 10:13
氮化镓MOS与COOL-MOSFET区别
氮化镓MOS与COOL-MOSFET区别
新的的半导体材料氮化镓将给我们生活带来质的改变,可以跑高频,发热量超级低。氮化镓材料的结温可以达到300度,而硅材料只能150度。氮化镓MOSFET体内没有寄生二极管,但电流可以从S流到D,没有恢复的损耗。而氮化镓 ...
2022-8-23 10:12
MOS管开关损耗和导通损耗讲述
MOS管开关损耗和导通损耗讲述
人们对开关电源的要求越来越高,要求开关电源的体积越来越小,这也意味着开关频率越来越高。随着开关频率的提高,降低变换器的开关损耗也变得极其重要。开关频率越高,每秒钟开关管改变状态的次数就越多,开关损耗也 ...
2022-8-23 10:10
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