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NMOS晶体管概述

2015-4-22 12:29| 发布者: 闪电| 查看: 1266| 评论: 0

摘要: 知识点一 NMOS晶体管概述 1.NMOS晶体管的简化三端电路模型: NMOS晶体管在栅极和晶体管的其余部分之间存在绝缘层,没有直流电流从栅极流过。电容CGS和CGD分别代表由栅介质产生的栅源电容和栅漏电容。电容符号上绘 ...

    1.NMOS晶体管的简化三端电路模型:

    NMOS晶体管在栅极和晶体管的其余部分之间存在绝缘层,没有直流电流从栅极流过。电容CGS和CGD分别代表由栅介质产生的栅源电容和栅漏电容。电容符号上绘制的斜线表示电容值的大小与偏置有关。压控电流源I1为栅氧化层下从漏极经过沟道流向源极的电流。漏极电压ID的大小取决于栅源电压VGS和栅漏电压VDS。



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