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NMOS晶体管概述

2015-4-22 12:29| 发布者: 闪电| 查看: 116| 评论: 0

摘要: 知识点一 NMOS晶体管概述 1.NMOS晶体管的简化三端电路模型: NMOS晶体管在栅极和晶体管的其余部分之间存在绝缘层,没有直流电流从栅极流过。电容CGS和CGD分别代表由栅介质产生的栅源电容和栅漏电容。电容符号上绘 ...


    2.不相同的宽度需要使用带有凹口的沟槽(图11.8),图中的晶体管M1和M2公用一个源区,故漏区叉指占据着阵列的两端。对于这种结构不能使用相邻的背栅接触孔,所以将背栅接触孔放置在与器件存在一定距离的位置。

图 合并晶体管M1和M2共用一个源极(为了清楚起见,图中未绘制阱)

    3.CMOS版图使用了合并器件从而节约了面积且减小了电容。图11.19显示了一个简单的二输入与非门(NAND)的版图,并以此为例展示了许多常用的技术。



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