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NMOS晶体管概述

2015-4-22 12:29| 发布者: 闪电| 查看: 112| 评论: 0

摘要: 知识点一 NMOS晶体管概述 1.NMOS晶体管的简化三端电路模型: NMOS晶体管在栅极和晶体管的其余部分之间存在绝缘层,没有直流电流从栅极流过。电容CGS和CGD分别代表由栅介质产生的栅源电容和栅漏电容。电容符号上绘 ...


(B)具有收集电子保护环的NMOS

  1.使用P型外延层,必须加入深的轻掺杂N型扩散区用于制作PMOS晶体管(图A);使用N型外延层,必须加入深的轻掺杂P型扩散区用于制作NMOS晶体管(图B);这种深扩散区通常称为阱,N型的成为N阱,P型的成为P阱。

    2.有些工艺既包括N阱也包括P阱。在双阱工艺中,NMOS做在P阱中,而PMOS做在N阱中。



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