无线电爱好网

 找回密码
 注册

扫一扫,访问微社区

QQ登录

只需一步,快速开始

搜索
无线电爱好网 首页 技术应用 EDA/PLD 查看内容

NMOS晶体管概述

2015-4-22 12:29| 发布者: 闪电| 查看: 111| 评论: 0

摘要: 知识点一 NMOS晶体管概述 1.NMOS晶体管的简化三端电路模型: NMOS晶体管在栅极和晶体管的其余部分之间存在绝缘层,没有直流电流从栅极流过。电容CGS和CGD分别代表由栅介质产生的栅源电容和栅漏电容。电容符号上绘 ...


    2.两种类型的PMOS晶体管(A)增强型PMOS;(B)耗尽型PMOS

    3.MOS管的器件跨导会随着温度的升高而降低。1500C时器件的跨导值约等于250C时的一半。

  当源/漏扩散区相对背栅正偏时,会向邻近器件的反偏结注入少子。相邻的NMOS和PMOS晶体管相互交换少子会引发CMOS闩锁效应。

    少子保护环可以防止闩锁效应,但是在CMOS工艺中不易实现。

图 用于保护N阱CMOS晶体管的保护环实例:

(A)具有收集空穴保护环的PMOS;



鲜花

握手

雷人

路过

鸡蛋

相关阅读

QQ|关于本站|小黑屋|Archiver|手机版|无线电爱好网 ( 粤ICP备14010847号 无线电爱好技术交流5 无线电爱好技术交流1无线电爱好技术交流9开关电源讨论群LED照明应用、电源无线电爱好技术交流4无线电爱好技术交流8无线电爱好技术交流10无线电爱好技术交流11

GMT+8, 2015-6-3 09:04 , Processed in 0.112389 second(s), 22 queries .

Powered by Discuz! X3.2 Licensed

© 2001-2013 Comsenz Inc.

返回顶部