NMOS晶体管概述

    2．通过对沟道的注入可以改变MOS晶体管的阈值电压。P型注入使阈值电压正向移动，N型注入使阈值电压负向移动。

    3．假如初始掺杂浓度选得合适的话，单独使用硼注入就可以调整两种类型晶体管的阈值电压。这种硼注入成为阈值调整注入，或者简称为阈值调整。进行了这种注入的晶体管称为调整晶体管，而那些没有进行注入的晶体管称为天然的或自然的晶体管。

    4．许多工艺都提供自然晶体管作为一个工艺选项，该选项需要一层单独的掩膜，正确的名称是阈值调整注入掩膜，但是更做的被称为固有Vt掩膜。与其相关的编码层也有多个名称，本书中称为NatVT。

    5．NatVT的图形应该略微与沟道区交叠以防止对版误差和横向扩散。

 1．按比例缩小定律分为两大类，在这两类中都假定宽度和长度要乘以一个比例因子S。

表 选择性栅收缩的按比例缩小定律

    2．随着晶体管尺寸越来越小，避免热载流子的产生和穿通击穿变得十分困难。

    3．晶体管尺寸的缩小实际上改善了它的性能。减小尺寸使得寄生电容变小，而开关速度变快。

    4．小尺寸晶体管不仅开关速度变快，而且翻转时的功耗降低。