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TOSHIBA eFuse IC 的基本用法與功能介紹-Part 2: 1. 無需更換，減少維護成本和時間:由於內包MOSFET關閉以切斷電流,因此IC不會被單次過電流突波造成損壞.如果MOSFET再次打開時,可以透過像施加電流,IC 就可以恢復正常工作. 與傳統保險絲不同的是,熔斷器不可逆,可重複 ...; 分类: 初学入门 2024-7-22 09:21

TOSHIBA eFuse IC 的基本用法與功能介紹-Part 1: 從以前到現在保險絲和聚合物開關(可重置保險絲和聚合物保險絲)被廣泛用作產品的安全組件防止各種電子設備過熱和著火,兩者都是利用焦耳熱的保護裝置由超過額定電流的電流產生,這些被稱為傳統保險絲.如果是玻璃管保險 ...; 分类: 初学入门 2024-7-22 09:20

TOSHIBA Smart gate driver coupler 介紹 -part4: 我們介紹了TOSHIBA Smart gate driver coupler (SGD coupler )的保護功能和時序,本篇將介紹SDGcoupler的操作介紹,如圖一所示.圖一:List of DESAT Pin Operation(註一: TOSHIBA Smart gate driver coupler TLP5214A/T ...; 分类: 初学入门 2024-7-22 09:19

TOSHIBA MOSFET 的MOSFET Safe Operating Area (SOA)- Part 2: 將介紹 TOSHIBA MOSFET 的 MOSFET SOA的 Temperature derating.如圖一所示,圖一:MOSFET SOA(註一:Derating of the MOSFET Safe Operating Area)這裡我們舉一個例子說明,當Tc= 100°C 計算如下, 圖二顯示, 當MOSFET ...; 分类: 初学入门 2024-7-22 09:18

TOSHIBA Smart gate driver coupler 介紹 -part3: 已經有大概的介紹SGD coupler,本篇將詳細的介紹Smart gate driver coupler(SGDcoupler),首先先介紹他的保護動作說明,如圖一所示:TLP5214A/TLP5214/TLP5212/TLP5222 監控 DESAT 上的 IGBT 集極-射極電壓 (VCE)引腳.通 ...; 分类: 初学入门 2024-7-22 09:17

TOSHIBA Smart gate driver coupler 介紹-part 1: 本次將介紹TOSHIBA 的Smart gate driver coupler-TLP5214A/TLP5214/TLP5212/TLP5222 系列,這系列常見的應用如圖一,例: inverter, PV inverter, UPS為主要應用.圖一:TLP5214A/TLP5214/TLP5212/TLP5222 應用(註一: Sma ...; 分类: 初学入门 2024-7-22 09:17

TOSHIBA Smart gate driver coupler 介紹 -part2: 本篇將繼續介紹TOSHIBA Smart gate driver coupler,接下來將介紹Smart gate driver 的過流保護方法,有多種方法可以防止 IGBT 因過流而損壞, 每一種都有不同的優點,但特別是監測飽和電壓 VCE(sat) 的方法,如圖一(c), ...; 分类: 初学入门 2024-7-22 09:16

TOSHIBA MOSFET 的MOSFET Safe Operating Area (SOA)- Part 1: 一般我們在MOSFET的選用上,都會初步的考慮MOSFET的VDS,IDS,Rdson,切換速度等參考,但時間裝上客戶產品時往往都需要考慮環境溫度或是暫態時的VDS/IDS等,通常不外乎就是用SOA 來評估MOSFET是否操作在安全工作區域(Safe ...; 分类: 初学入门 2024-7-22 09:15

TOSHIBA MOSFET secondary breakdown: 本篇將介紹 TOSHIBA MOSFET 安全工作區域(Safe operating area,SOA)中的secondary breakdown 曲線,如圖一所示,圖一: MOSFET的安全工作區域曲線,(註一: MOSFET Secondary BreakdownApplication Note Application Note ...; 分类: 初学入门 2024-7-22 09:14

MOSFET Body Diode -Part3: 我們已經介紹了MOSFET的Body Diode,逆向回復時的電壓電流的四個區間的動作行為,這一個Part我們將介紹,MOSFET的Body Diode的損壞方式.MOSFET的Body Diode的損壞,會在逆向恢復期間,通常會有一個高電壓(Vds)瞬間施加到B ...; 分类: 初学入门 2024-7-22 09:14

MOSFET Body Diode -Part 2: 我們已經介紹了MOSFET的Body Diode的結構,本篇我們將透過電壓和電流曲線,更加了解MOSFET的Reverse Recovery Operation(反向恢復操作).MOSFET的Body Diode在反向恢復期間有著相當大的損耗,即當它從正向偏置狀態到反向 ...; 分类: 初学入门 2024-7-22 09:13

MOSFET Body Diode -Part 1: MOSFET 在Drain 和 Source 之間有一個body diode(也稱為寄生二極體),作為其結構的組成部分.在圖1中，Source電極側的n+和p+（p基極層）被Source 短路.因此,除了MOSFET結構之外,p Drain層、n-漂移層和n+基板在Drain和S ...; 分类: 初学入门 2024-7-22 09:13

TOSHIBA MOSFET - dv/dt 對 MOSFET 的影響 - Part 3: 我們已經介紹了 MOSFET 的旁路二極體的逆向回復電流，接下來我們將介紹MOSFET切換時Turn on 和 Turn off 的Vds dv/dt 波形探討,本篇會已先介紹MOSFET Turn on 時的Vds dv/dt 波形，本分析都會以圖一作為電路分析,並 ...; 分类: 初学入门 2024-7-22 09:12

TOSHIBA MOSFET - dv/dt 對 MOSFET 的影響 - Part 2: 本篇我們將介紹,MOSFET內部的二極體對MOSFET的影響.當逆變器和其他帶有電感性負載的電路在上下臂中有一對 MOSFET 時,電流會在它們開關時的反向恢復期間流過二極體.本篇討論二極體 dv/dt,下面我們將利用半橋架構舉例 ...; 分类: 初学入门 2024-7-22 09:11

TOSHIBA MOSFET - dv/dt 對 MOSFET 的影響 -Part 1: MOSFET 的汲極(D)和源極(S)之間VDS電壓,假如有著高 dv/dt 可能會導致MOSFET產生問題.本篇將介紹出現這種現象的原因和對策.dv/dt表示電壓隨時間的變化率,用來表示MOSFET的開關瞬態週期或開關影響引起的VDS電壓的變化 ...; 分类: 初学入门 2024-7-22 09:10

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