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下级分类: LED/照明/背光电源设计|EMC/EMI技术|通信技术/物联网|嵌入式系统|电源技术/新能源|初学入门|单片机|消费类电子|显示光电|模拟技术|测试测量|EDA/PLD|计算机/外设|汽车电子|电子制作|传感与控制|医疗电子

東芝第三代SiC MOSFET的特點與應用 Part 1: 1.介紹功率半導體在供應與控制電力傳輸方面為至關重要的，對節能類的電氣設備中提高效率減少碳排量功率半導體是不可或缺的。隨著電動汽車進程加快以及工業設備變得更高效、更小型化，未來對功率半導體的需求預計將持 ...; 分类: 通信技术/物联网 2024-9-2 10:56

802.11傳輸標準介紹: 802.11dIEEE 802.11d 是 802.11針對MAC層的補充，用意在於促進 802.11 WLAN 在全球範圍內的使用。它將允許存取點以用戶設備可接受的功率等級在允許的無線電頻道上傳送訊息。 802.11標準在某些國家無法合法運作；11d ...; 分类: 通信技术/物联网 2024-9-2 10:53

高通Qualcomm QCS400搭配鈺太科技的麥克風跑出聲音定位角度的方法 ...: 聲音定位（sound localization）是動物利用環境中的聲音確定聲源方向和距離的行為。例如蝙蝠用音波來偵測障礙物、或獵物的位置；海豚利用「回聲定位」所「看見」的物體，轉換為圖像。這幾十年來，隨著感測技術的進步 ...; 分类: 通信技术/物联网 2024-9-2 10:52

WIFI 7 高頻硬體設計: 耦合器規格分析、選用指南和實際應用於高通802.11BE平台QCN9274 ...: 在無線通信技術的演進中，WIFI 7作為新一代的無線標準，被視為推動數據傳輸速度和網絡效能提升的關鍵因素。隨著WIFI 7的推出，無線通信領域迎來了更高速、更可靠的連接，以滿足現代數字化社會對於連接性的需求。然而 ...; 分类: 通信技术/物联网 2024-9-2 10:51

5、6G WIFI 7無線網絡在高通QCN927和IPQ9570的802.11BE平台上的天線設計與強化探索 ...: 言：在無線通信技術的不斷演進中，高通技術公司（Qualcomm Technologies Inc.，簡稱QTI）的RDPs（Reference Design Platforms）以其先進的設計和功能成為了無線通信行業的重要組件。這些平台採用了Tri-band Tri-fe ...; 分类: 通信技术/物联网 2024-9-2 10:49

格力变频空调E6故障代码及处理方法: 第2节直流变频空调通讯电路原理与维修变频空调器虽然品牌型号种类繁多但是其通讯电路工作原理雷同，下面我们就以常见的格力直流变频空调器典型通信电路为例加以解说。一、通讯原理图6-2.1室内外机的 ...; 分类: 单片机 2024-8-28 08:16

基本半導體碳化矽MOSFET通過AEC-Q101車規級認證，全力推進新能源汽車高效應用 ...: AB2M080120H基於第二代碳化矽MOSFET技術平台研發，產品具有低導通電阻、低導通損耗、低開關損耗，可支持更高開關頻率運行等特點，可應用於車載OBC、車載DCDC及汽車空調壓縮機領域。此次通過AEC-Q101認證，顯示AB2M08 ...; 分类: 汽车电子 2024-8-16 10:17

顯著提升充電效率，基本半導體應用於高壓快充的E2B碳化矽功率模塊方案解析 ...: 充電樁採用碳化矽模塊可以增加近30%的輸出功率，減少50%的損耗。目前在充電樁領域，碳化矽應用處於快速增長階段，預計到2025年將提升至35%，市場規模將達200億元。近年來，充電時長已經成為影響新能源汽車駕駛體驗的 ...; 分类: 汽车电子 2024-8-16 10:13

onsemi推出第7代IGBT: 功率半導體是電子裝置電能轉換與電路控制的核心。功率半導體是一種廣泛用於電力電子裝置和電能轉換和控制電路的半導體元件，可通過半導體的單嚮導電性實現電源開關和電力轉換的功能。IGBT 具有電導調製能力，相對 ...; 分类: 初学入门 2024-8-16 09:14

攝像頭模組基礎介紹: 1.CCM模組的基本構造：Lens：镜头Holder:基座Image Sensor：图像传感器FPC or PCB：柔性電路格 or印制电路板2.模組各組件介紹-Lens（光學鏡頭）:光學鏡頭的結構為：鏡筒（Barrel）、鏡片組（P/G)、鏡片保護層（墊圈 ...; 分类: 初学入门 2024-8-16 09:10

英飞凌碳化硅技术大解析——SiC材料到底“Cool”在哪里？: 上世纪四五十年代，以硅(Si)和锗(Ge)为代表的第一代半导体材料奠定了微电子产业的基础。经过几十年的发展，硅材料的制备与工艺日臻完美，Si基器件的设计和开发也经过了多次迭代和优化，正在逐渐接近硅材料的极限，Si ...; 分类: 初学入门 2024-8-16 09:08

Onsemi NCP/NCV51752 – 3.7 kV隔離式高效能/超快速開關 SiC MOS 驅動器:內建負電壓輸 ...: 概述：1. NCP/NCV51752 是一款隔離式 1 通道閘極驅動器，具有高達 4.5A/9A 的峰值電流。它專為非常快速的開關而設計，以驅動功率 SiC MOS電源開關.2.NCP/NCV51752 提供短且匹配的傳播延遲，並具有在閘極驅動迴路中 ...; 分类: 电源技术/新能源 2024-8-16 09:07

KEC第三代超接面金氧半場效電晶體: 具有高電力密度,以Low Qg,Fast Switching的特性 ...: KEC SuperJunction MOSFET(超接面金氧半場效電晶體),不僅可實現系統的低消耗電力設計，還可實現Low EMI，可便於用戶設計。具備可適用於各種電器的豐富產品線和全系列包裝.KEC Gen.2 vs Gen.3(new)特性比較:KEC:600V ...; 分类: 初学入门 2024-8-16 09:05

onsemi第三代半導體 WBG: onsemi 第三代寬能帶半導體:碳化矽 (SiC):支援寬能帶電源設計的完整元器件生態系統，包括SiC二極體、SiC MOSFET和SiC 模組。碳化矽 (SiC)技術優勢：與矽器(Si)件相比，SiC器件的介電擊穿場強高10倍，電子飽和速度高2 ...; 分类: 初学入门 2024-8-16 09:03

淺談AOS DRMOS 的LAYOUT (下): 在前一篇博文”淺談AOS DRMOS 的LAYOUT (上)”，有提到三點DRMOS 在LAYOUT上需要注意的地方，這篇博文就讓我們繼續的來討論DRMOS 還有哪些在LAYOUT上，還需多加注意地點。DRMOS 對於LAYOUT設計上，有著特別需要注意 ...; 分类: EDA/PLD 2024-8-16 09:02

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