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TOSHIBA MOSFET 的MOSFET Safe Operating Area (SOA)- Part 1: 一般我們在MOSFET的選用上,都會初步的考慮MOSFET的VDS,IDS,Rdson,切換速度等參考,但時間裝上客戶產品時往往都需要考慮環境溫度或是暫態時的VDS/IDS等,通常不外乎就是用SOA 來評估MOSFET是否操作在安全工作區域(Safe ...; 分类: 初学入门 2024-7-22 09:15

TOSHIBA MOSFET secondary breakdown: 本篇將介紹 TOSHIBA MOSFET 安全工作區域(Safe operating area,SOA)中的secondary breakdown 曲線,如圖一所示,圖一: MOSFET的安全工作區域曲線,(註一: MOSFET Secondary BreakdownApplication Note Application Note ...; 分类: 初学入门 2024-7-22 09:14

MOSFET Body Diode -Part3: 我們已經介紹了MOSFET的Body Diode,逆向回復時的電壓電流的四個區間的動作行為,這一個Part我們將介紹,MOSFET的Body Diode的損壞方式.MOSFET的Body Diode的損壞,會在逆向恢復期間,通常會有一個高電壓(Vds)瞬間施加到B ...; 分类: 初学入门 2024-7-22 09:14

MOSFET Body Diode -Part 2: 我們已經介紹了MOSFET的Body Diode的結構,本篇我們將透過電壓和電流曲線,更加了解MOSFET的Reverse Recovery Operation(反向恢復操作).MOSFET的Body Diode在反向恢復期間有著相當大的損耗,即當它從正向偏置狀態到反向 ...; 分类: 初学入门 2024-7-22 09:13

MOSFET Body Diode -Part 1: MOSFET 在Drain 和 Source 之間有一個body diode(也稱為寄生二極體),作為其結構的組成部分.在圖1中，Source電極側的n+和p+（p基極層）被Source 短路.因此,除了MOSFET結構之外,p Drain層、n-漂移層和n+基板在Drain和S ...; 分类: 初学入门 2024-7-22 09:13

TOSHIBA MOSFET - dv/dt 對 MOSFET 的影響 - Part 3: 我們已經介紹了 MOSFET 的旁路二極體的逆向回復電流，接下來我們將介紹MOSFET切換時Turn on 和 Turn off 的Vds dv/dt 波形探討,本篇會已先介紹MOSFET Turn on 時的Vds dv/dt 波形，本分析都會以圖一作為電路分析,並 ...; 分类: 初学入门 2024-7-22 09:12

TOSHIBA MOSFET - dv/dt 對 MOSFET 的影響 - Part 2: 本篇我們將介紹,MOSFET內部的二極體對MOSFET的影響.當逆變器和其他帶有電感性負載的電路在上下臂中有一對 MOSFET 時,電流會在它們開關時的反向恢復期間流過二極體.本篇討論二極體 dv/dt,下面我們將利用半橋架構舉例 ...; 分类: 初学入门 2024-7-22 09:11

TOSHIBA MOSFET - dv/dt 對 MOSFET 的影響 -Part 1: MOSFET 的汲極(D)和源極(S)之間VDS電壓,假如有著高 dv/dt 可能會導致MOSFET產生問題.本篇將介紹出現這種現象的原因和對策.dv/dt表示電壓隨時間的變化率,用來表示MOSFET的開關瞬態週期或開關影響引起的VDS電壓的變化 ...; 分类: 初学入门 2024-7-22 09:10

基於TOSHIBA MOSFET 的雪崩能量 (EAS) 計算 -Part 1: 一般在使用MOSFET時,當MOSFET電壓超過MOSFET的擊穿電壓時。就會發生擊穿現象和電流流動。這稱為"雪崩擊穿"此時流過的電流稱為雪崩電流，作用在MOSFET上的能量稱為雪崩能量。本篇我們在介紹如何使用以下方法計算與雪 ...; 分类: 初学入门 2024-7-22 09:09

基於TOSHIBA MOSFET 的雪崩能量 (EAS) 計算 -Part 2: 我們已經介紹了 TOSHIBA EAS規格了，本篇我們將介紹如何去計算與電流相關的雪崩能量。首先我們先計算MOSFET的Tch 溫度,公式如下請參考公式1，公式1：（註一：Avalanche Energy (EAS) caluculation of Power MOSFET） ...; 分类: 初学入门 2024-7-22 09:09

基於TOSHIBA MOSFET TOLL package 介紹 - Part 1: TOLL包裝是為需要高效率的應用而開發的表面貼片封裝,例如伺服器,電信和資料中心應用的工業電源為代表。迄今為止，主要採用長端子引線的通孔封裝，例如 TO-247 和 TO-220用於工業電源的高壓MOSFET封裝，但MOSFET一直 ...; 分类: 初学入门 2024-7-22 09:08

基於TOSHIBA MOSFET TOLL package 介紹 - Part 2: 本篇我們將介紹TOSHIBA MOSFET TOLL 包裝的切換損的改善，Layout介紹以及散熱。首先我們將先介紹TOLL MOSFET 包裝,由圖一和圖二，我們比較了TOLL包裝的電感性負載開關波形（TK090U65Z）和TO-247-3P 包裝（TK090N65Z ...; 分类: 初学入门 2024-7-22 09:07

基於TOSHIBA MOSFET 的雪崩能量 (EAS) 計算 -Part 3: 本篇將延續上一篇繼續介紹EAS的計算，接著我們下一步是用測量值和規格書參數來取代未知參數"L"範圍，圖1所示為雪崩能量測試電路,從此電路中雪崩能量波形如圖2所示。圖1. 雪崩能量測試電路(註1.Avalanche Energy (EAS ...; 分类: 初学入门 2024-7-22 09:06

基於onsemi NCP4390 LLC諧振變換器帶同步的控制器 solution: NCP4390是一種先進的脈衝頻率調製（PFM）同步LLC諧振變換器的控制器整流（SR），為隔離提供一流的效率DC/DC轉換器。它採用了基於電流模式的控制技術在充電控制中，其中來自振盪器的三角波形與集成開關電流信息相結合 ...; 分类: 电源技术/新能源 2024-7-22 08:26

基於納芯微技術分享 | 柵極驅動器及其應用介紹: 納芯微柵極驅動器及其應用介紹目錄一、柵極驅動器介紹1）為什麼需要柵極驅動器？2）功率器件開關過程介紹3）三種常見驅動晶片介紹二、隔離方案介紹1）為什麼需要隔離驅動2）主流隔離方案介紹3）納芯微隔離方案介紹一 ...; 分类: 初学入门 2024-7-19 09:02

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