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基本半導體碳化矽MOSFET通過AEC-Q101車規級認證,全力推進新能源汽車高效應用 ...
基本半導體碳化矽MOSFET通過AEC-Q101車規級認證,全力推進新能源汽車高效應用 ...
AB2M080120H基於第二代碳化矽MOSFET技術平台研發,產品具有低導通電阻、低導通損耗、低開關損耗,可支持更高開關頻率運行等特點,可應用於車載OBC、車載DCDC及汽車空調壓縮機領域。此次通過AEC-Q101認證,顯示AB2M08 ...
分类:    2024-8-16 10:17
顯著提升充電效率,基本半導體應用於高壓快充的E2B碳化矽功率模塊方案解析 ...
顯著提升充電效率,基本半導體應用於高壓快充的E2B碳化矽功率模塊方案解析 ...
充電樁採用碳化矽模塊可以增加近30%的輸出功率,減少50%的損耗。目前在充電樁領域,碳化矽應用處於快速增長階段,預計到2025年將提升至35%,市場規模將達200億元。近年來,充電時長已經成為影響新能源汽車駕駛體驗的 ...
分类:    2024-8-16 10:13
onsemi推出第7代IGBT
onsemi推出第7代IGBT
功率半導體是電子裝置電能轉換與電路控制的核心。功率半導體是一 種廣泛用於電力電子裝置和電能轉換和控制電路的半導體元件,可通過半 導體的單嚮導電性實現電源開關和電力轉換的功能。IGBT 具有電導調製能力,相對 ...
分类:    2024-8-16 09:14
攝像頭模組基礎介紹
攝像頭模組基礎介紹
1.CCM模組的基本構造:Lens:镜头Holder:基座Image Sensor:图像传感器FPC or PCB:柔性電路格 or印制电路板2.模組各組件介紹-Lens(光學鏡頭):光學鏡頭的結構為:鏡筒(Barrel)、鏡片組(P/G)、鏡片保護層(墊圈 ...
分类:    2024-8-16 09:10
英飞凌碳化硅技术大解析——SiC材料到底“Cool”在哪里?
英飞凌碳化硅技术大解析——SiC材料到底“Cool”在哪里?
上世纪四五十年代,以硅(Si)和锗(Ge)为代表的第一代半导体材料奠定了微电子产业的基础。经过几十年的发展,硅材料的制备与工艺日臻完美,Si基器件的设计和开发也经过了多次迭代和优化,正在逐渐接近硅材料的极限,Si ...
分类:    2024-8-16 09:08
Onsemi NCP/NCV51752 – 3.7 kV隔離式高效能/超快速開關 SiC MOS 驅動器:內建負電壓輸 ...
Onsemi NCP/NCV51752 – 3.7 kV隔離式高效能/超快速開關 SiC MOS 驅動器:內建負電壓輸 ...
概述:1. NCP/NCV51752 是一款隔離式 1 通道閘極驅動器,具有高達 4.5A/9A 的峰值電流。 它專為非常快速的開關而設計,以驅動功率 SiC MOS電源開關.2.NCP/NCV51752 提供短且匹配的傳播延遲,並具有在閘極驅動迴路中 ...
分类:    2024-8-16 09:07
KEC第三代超接面金氧半場效電晶體: 具有高電力密度,以Low Qg,Fast Switching的特性 ...
KEC第三代超接面金氧半場效電晶體: 具有高電力密度,以Low Qg,Fast Switching的特性 ...
KEC SuperJunction MOSFET(超接面金氧半場效電晶體),不僅可實現系統的低消耗電力設計,還可實現Low EMI,可便於用戶設計。 具備可適用於各種電器的豐富產品線和全系列包裝.KEC Gen.2 vs Gen.3(new)特性比較:KEC:600V ...
分类:    2024-8-16 09:05
onsemi第三代半導體 WBG
onsemi第三代半導體 WBG
onsemi 第三代寬能帶半導體:碳化矽 (SiC):支援寬能帶電源設計的完整元器件生態系統,包括SiC二極體、SiC MOSFET和SiC 模組。碳化矽 (SiC)技術優勢:與矽器(Si)件相比,SiC器件的介電擊穿場強高10倍,電子飽和速度高2 ...
分类:    2024-8-16 09:03
淺談AOS DRMOS 的LAYOUT (下)
淺談AOS DRMOS 的LAYOUT (下)
在前一篇博文”淺談AOS DRMOS 的LAYOUT (上)”,有提到三點DRMOS 在LAYOUT上需要注意的地方,這篇博文就讓我們繼續的來討論DRMOS 還有哪些在LAYOUT上,還需多加注意地點。DRMOS 對於LAYOUT設計上,有著特別需要注意 ...
分类:    2024-8-16 09:02
淺談AOS DRMOS 的LAYOUT (上)
淺談AOS DRMOS 的LAYOUT (上)
前言: 現今的電子3C產品,大多都追求輕、薄、短、小。同時又有高效能的需求,除了CPU及晶片組的效能提升外,其各家半導體廠也不斷的想方設法的將零件小型化外,對於其規格上的提升,也下了不少功夫。拜MOSFET的製 ...
分类:    2024-8-16 09:01
DFN5X6 MOSFET 引腳應用的優劣勢
DFN5X6 MOSFET 引腳應用的優劣勢
以目前MB/NB/VGA產品來看,其大電流的應用位置,不外乎VCORE/GPU CORE/CHIPSET ,這些應用大多30A至200-300A不等,且與PWM CONTROLLER 搭配多相數使用,以提供足夠的電流需求。目前來看,單組MOSFET 組合,約可提供3 ...
分类:    2024-8-16 08:59
淺談DRMOS 的優勢
淺談DRMOS 的優勢
前言: 現今的電子3C產品,大多都追求輕、薄、短、小。同時又有高效能的需求,除了CPU及晶片組的效能提升外,其各家半導體廠也不斷的想方設法的將零件小型化外,對於其規格上的提升,也下了不少功夫。 拜MOSFET的製程 ...
分类:    2024-8-16 08:58
普控科技11kW超高功率密度變頻器產品定義、設計和驗證
普控科技11kW超高功率密度變頻器產品定義、設計和驗證
本文出自變頻器企業的設計團隊,全面介紹了滿足IEC61800-9變頻產品國際新能效標準的11kW重載型變頻器產品定義、設計和驗證,包括新一代IGBT7 - FP50R12W2T7_B11的選型、整機效率、溫升、dv/dt、EMC等。隨著我國穩步 ...
分类:    2024-8-16 08:55
汽車控制器中更智能的電路保護?試試eFuse
汽車控制器中更智能的電路保護?試試eFuse
在現代汽車和工業應用中,可靠性至關重要。從汽車區域控制器,到工業應用中的計算機數控等產品,無論最終產品是簡單還是複雜,如果不能保證可靠性,就很可能損害製造商的聲譽。此外,還需要考慮保修維修的成本,甚至 ...
分类:    2024-8-16 08:53
NOR-flash在5G無限基礎設施中 為何如此的重要
NOR-flash在5G無限基礎設施中 為何如此的重要
第五代無線技術5G已成為繼4G之後的未來。憑藉快速的速度、高頻寬(高達10Gb/s)和超低延遲,5G技術可以實現更多以前無法想像的應用。本文將討論5G無線基礎架構應用中NOR Flash 記憶體的重要選擇標準為了在壓縮的上市 ...
分类:    2024-8-16 08:50

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