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初学入门

達爾科技 差分時鐘LVPECL LVDS HCSL and CML Clock 介紹
達爾科技 差分時鐘LVPECL LVDS HCSL and CML Clock 介紹
現今所有電子匯流排在大多數係統設計中都採用串列連接,時鐘時序也採用差分時鐘。差分時鐘可以傳輸更長的 PCB 走線,因為它的信號參考是它的正+和負- ,比 CMOS Clock它需要參考Vcc 或 VDD 和 GND 。 差分正+和負– ...
2022-8-2 11:27
英飞凌IGBT单管命名规则
英飞凌IGBT单管命名规则
Infineon 作为IGBT大厂,除了种类繁多的模块型号,还有单管型号也是数不胜数。好在单管封装没有那么多复杂的拓扑,封装形式也有限。因此IGBT单管的命名规则相对简洁一些。IGBT单管以时间为界,有两套体系对于2013年3 ...
2022-8-2 11:21
T型三电平拓扑换流过程分析
T型三电平拓扑换流过程分析
一. T型三电平电路拓扑拓扑中共有4只IGBT,4只二极管,还有电容组C1和C2;假设正负母线电压均等,都是Vdc。将T1,T2,T3,T4的状态用1和0分别表示1表示开二.三电平电路, 状态表1. 用16进制表示;2. 稳定模态有3种:C, ...
2022-8-2 11:20
ST 6 V 至 75 V 寬輸入電壓同步降壓控制器(L3751PUR)
ST 6 V 至 75 V 寬輸入電壓同步降壓控制器(L3751PUR)
特徵6 V 至 75 V 寬輸入電壓範圍0.8 V 至 60 V 的可調輸出電壓100 kHz - 1 MHz 開關頻率範圍極端佔空比的最短接通時間為 40 nsec線路瞬態期間的低壓差操作可調軟啟動或輸入電壓跟踪輕負載時的脈衝跳躍或強制 PWM 操 ...
2022-8-2 11:18
ST MDmesh M9 Series 开创SI基MOSFET 更优的性能
ST MDmesh M9 Series 开创SI基MOSFET 更优的性能
M9在ST HV MOSFET中的地位。及与ST其他Series HV MOSFET的区别。先看下面一个图: M9 Series 从ST M5 Series制程工艺上发展起来。与M5 Series相比,Rd(on)/Qg有了极大的降低;提升di/dt dv/dt 动态参数;据 ...
2022-8-2 11:13
MM/SMM 系列 MELF 薄膜电阻
MM/SMM 系列 MELF 薄膜电阻
MELF 電阻是外觀近似色環電阻圓柱形封裝的貼片電阻,如圖所示 。MM/SMM 是 Vishay 推出的明星產品,具備以下特點。1,長期穩定性(1000小時耐久測試,誤差≤0.05%);2,耐衝擊性,單次脈衝功率可達230W;3,高功率 ...
2022-8-2 11:11
碳化硅器件“大有可为的功率器件”
碳化硅器件“大有可为的功率器件”
碳化硅,是一种无机物,化学式为SiC,是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生产绿色碳化硅时需要加食盐)等原料通过电阻炉高温冶炼而成。碳化硅的禁带宽度、临界击穿场强,优越于硅2-10倍,比较适合高频的应用,IGB ...
2022-8-2 11:09
中科蓝讯 AB5301A 驱动 RGB 灯示例
中科蓝讯 AB5301A 驱动 RGB 灯示例
这次我将和大家分享如何使用中科蓝讯 AB5301A 驱动 RGB 灯。我将从 RGB灯的原理出发,接着介绍驱动程序,最后使用 RGB 灯实现呼吸灯效。一、RGB灯工作原理1、RGB 灯概述 示例的 GBH6812 RGB灯有四个引脚,DIN 端与 ...
2022-8-2 10:53
世平安森美碳化矽(SiC) MOSFET 產品的特性與應用
世平安森美碳化矽(SiC) MOSFET 產品的特性與應用
一、第三代半導體介紹:首先簡單介紹一下第一、二代半導體。在半導體材料領域中,第一代半導體是「矽」(Si),第二代半導體是「砷化鎵」(GaAs),第三代半導體(又稱「寬能隙半導體」,WBG)則是「碳化矽」(SiC) ...
2022-8-2 10:50
反激开关电源元器件介绍(8) MOSFET
反激开关电源元器件介绍(8) MOSFET
一般电源转换器都是用MOSFET作为开关元件。1. 额定电压 MOSFET额定电压*降额(通常是0.9)必须大于任何工况下漏-源之间出现的剑锋电压 对于单端反激拓扑,在110Vac系统使用400V的FET,在200-240Vac或100-240Vac系 ...
2022-8-2 10:30
封装变迁与封装形式的详细说明
自从美国Intel公司1971年设计制造出4位芯片以来,在20多年时间内,CPU从Intel4004、80286、80386、80486发展到Pentium和PentiumⅡ,数位从4位、8位、16位、32位发展到64位;主频从几兆到今天的400MHz以上,接近GHz;CP ...
2022-8-2 10:13
一颗电机驱动芯片的内部版图
一颗电机驱动芯片的内部版图
本文将以DC/DC降压电源芯片为例详细解说一颗电源芯片的内部设计,它和板级的线路设计有何异同?芯片内部的参考电压又被称为带隙基准电压,值为1.2V左右。同时开关电源的基本原理是利用PWM方波来驱动功率MOS管。这是 ...
2022-8-2 10:12
微电子三级封装的概念
微电子三级封装的概念
1 前言  电路产业已成为国民经济发展的关键,而、制造和是发展的三大产业之柱。这已是各级领导和业界的共识。微电子封装不但直接影响着本身的电性能、机械性能、光性能和热性能,影响其可靠性和成本,还在很大程度 ...
2022-8-2 10:11
齐纳二极管稳压器的应用详解
齐纳二极管稳压器的应用详解
目标稳压器是一种让负载上的输出电压保持恒定而不随负载电流变化的电路。例如,负载可以是微控制器系统,这就要求电源电压保持恒定,即使其电流会随着系统活动的变化而变化。图1中的齐纳二极管稳压器提供了一种非常 ...
2022-8-2 10:10
极性变换式、升压式斩波型开关稳压电源
极性变换式、升压式斩波型开关稳压电源
极性变换式斩波型开关稳压电源原理图顾名思义,极性变换式电源输出电压与输入电压极性是相反的,但是这仅仅是问题的一个方面。输出电压的绝对值还要高于输入电压的绝对值,否则它会与降压式开关电源混淆。从此不难看 ...
2022-8-2 10:08
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