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初学入门

MOS管驅動電路
MOS管驅動電路
MOSFET管因為導通內阻低、開關速度快,因此被廣泛應用在開關電源上。而 用好一個MOS管,其驅動電路的設計很關鍵,下面分享幾種常用的驅動原理。一、電源IC驅動。 電源IC驅動是最簡單的驅動方法,就注意幾個參數及影 ...
2022-8-23 10:31
氮化鎵(GaN)與矽(Si)的MOS開關比較
氮化鎵(GaN)與矽(Si)的MOS開關比較
由於寬能隙功率元件的優異切換性能,近幾年已經漸漸被商用化。常見的問題,如:究竟寬能隙元件對於系統的功率密度與效率的提升幫助有多少?原先所使用的以矽為基礎的元件在更複雜的拓撲與控制機制,是否需要付出更大 ...
2022-8-23 10:29
OBC 功率MOS 结温计算
OBC 功率MOS 结温计算
1. 概述新能源汽车中的电动汽车离我们越来越近,在汽车上有个负责给充电的器件叫 OBC,全名叫 On-board charger。拥有超小的身材,却拥有强大的性能。常规家用车中的 OBC 拥有6.6KW最大功率,却不到 A4 纸张大小的尺 ...
2022-8-23 10:26
MOS工艺与MOS应用和损耗计算
MOS工艺与MOS应用和损耗计算
一.MOS概述MOS,金属-氧化层-半导体-场效晶体管,简称金氧半场效晶体管( Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,MOSFET);依照其“通道”的极性不同,可分为称为NMOSFET与PMOSFET。MOS结构图如下:MOS ...
2022-8-23 10:18
关于MOS datasheet 参数解读
关于MOS datasheet 参数解读
文章主要介绍 mosfet 的主要参数,通过这些参数来理解设计时候的考量一、场效应管的参数有很多,一般的MOS datasheet 都包含如下关键参数:1 极限参数:ID:最大漏源电流。是指场效应管正常工作时,漏源间所允许通过 ...
2022-8-23 10:14
谈MOS管的米勒效应
谈MOS管的米勒效应
米勒效应MOSFET的栅极驱动过程,可以简单的理解为驱动源对MOSFET的输入电容的充放电过程;当Cgs达到门槛电压之后, MOSFET就会进入开通状态;当MOSFET开通后,Vds开始下降,Id开始上升,此时MOSFET进入饱和区;但由 ...
2022-8-23 10:13
氮化镓MOS与COOL-MOSFET区别
氮化镓MOS与COOL-MOSFET区别
新的的半导体材料氮化镓将给我们生活带来质的改变,可以跑高频,发热量超级低。氮化镓材料的结温可以达到300度,而硅材料只能150度。氮化镓MOSFET体内没有寄生二极管,但电流可以从S流到D,没有恢复的损耗。而氮化镓 ...
2022-8-23 10:12
MOS管开关损耗和导通损耗讲述
MOS管开关损耗和导通损耗讲述
人们对开关电源的要求越来越高,要求开关电源的体积越来越小,这也意味着开关频率越来越高。随着开关频率的提高,降低变换器的开关损耗也变得极其重要。开关频率越高,每秒钟开关管改变状态的次数就越多,开关损耗也 ...
2022-8-23 10:10
详解IGBT MOSFET与BJT的区别
详解IGBT MOSFET与BJT的区别
在功率半导体鼎鼎有名的igbt、mosfet与BJT,想必是硬件工程师和电源工程师每天都会打交道的器件。进入主题前,先上分别将这三种器件产品化的datasheet贴出来。igbtBJT出现在MOSFET之前,而MOSFET出现在IGBT之前,所 ...
2022-8-23 10:07
MOS工艺与MOS应用和损耗计算
MOS工艺与MOS应用和损耗计算
一.MOS概述MOS,金属-氧化层-半导体-场效晶体管,简称金氧半场效晶体管( Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,MOSFET);依照其“通道”的极性不同,可分为称为NMOSFET与PMOSFET。MOS结构图如下:MOS ...
2022-8-23 10:04
为离线开关电源选择最佳MOSFET
为离线开关电源选择最佳MOSFET
今天,硅MOSFET的选择主要分为两大类:平面和/或沟槽 MOSFET 和超结 MOSFET。平面 MOSFET 的有源区靠近管芯表面(图 1a)。为了降低 R DS(on),需要额外的芯片面积,而为了增加 MOSFET 的电压,芯片必须做得更厚。相比 ...
2022-8-23 09:31
电容参数:X5R,X7R,Y5V,COG 详解
电容参数:X5R,X7R,Y5V,COG 详解
在我们选择无极性电容式,不知道大家是否有注意到电容的X5R,X7R,Y5V,COG等等看上去很奇怪的参数,有些摸不着头脑,本人特意为此查阅了相关的文献,现在翻译出来奉献给大家。这类参数描述了电容采用的电介质材料类 ...
2022-8-22 16:14
如何正确理解SiC MOSFET的静态和动态特性
如何正确理解SiC MOSFET的静态和动态特性
CoolSiC™ MOSFET集高性能、坚固性和易用性于一身。由于开关损耗低,它们的效率很高,因此可以实现高功率密度。但尽管如此,工程师需要了解器件的静态和动态性能以及关键影响参数,以实现他们的设计目标。在下面的文 ...
2022-8-22 15:32
保护IGBT和MOSFET免受ESD损坏
保护IGBT和MOSFET免受ESD损坏
功率MOSFET用户都非常熟悉“静电敏感器件”警告标志。然而,越熟悉越容易大意。从统计的角度来看,单个MOSFET不太可能被静电放电(ESD)损坏。然而,在处理成千上万个MOSFET时,极小的故障都可能带来极大的影响。一个 ...
2022-8-22 09:38
快速充电电池组及其快速充电方法
快速充电电池组及其快速充电方法
一种快速充电电池系统及其充电方法,所述 系统可适用于大多数电动汽车、电子设备和无线 电器所使用的电池类型。所述系统可采用行业认 可的电池充电装置系统和现成的电气组件(例如 接触器、继电器开关、半导体零件和D ...
2022-8-19 15:15

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