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初学入门

OBC 功率MOS 结温计算
OBC 功率MOS 结温计算
1. 概述新能源汽车中的电动汽车离我们越来越近,在汽车上有个负责给充电的器件叫 OBC,全名叫 On-board charger。拥有超小的身材,却拥有强大的性能。常规家用车中的 OBC 拥有6.6KW最大功率,却不到 A4 纸张大小的尺 ...
2022-8-23 10:26
MOS工艺与MOS应用和损耗计算
MOS工艺与MOS应用和损耗计算
一.MOS概述MOS,金属-氧化层-半导体-场效晶体管,简称金氧半场效晶体管( Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,MOSFET);依照其“通道”的极性不同,可分为称为NMOSFET与PMOSFET。MOS结构图如下:MOS ...
2022-8-23 10:18
关于MOS datasheet 参数解读
关于MOS datasheet 参数解读
文章主要介绍 mosfet 的主要参数,通过这些参数来理解设计时候的考量一、场效应管的参数有很多,一般的MOS datasheet 都包含如下关键参数:1 极限参数:ID:最大漏源电流。是指场效应管正常工作时,漏源间所允许通过 ...
2022-8-23 10:14
谈MOS管的米勒效应
谈MOS管的米勒效应
米勒效应MOSFET的栅极驱动过程,可以简单的理解为驱动源对MOSFET的输入电容的充放电过程;当Cgs达到门槛电压之后, MOSFET就会进入开通状态;当MOSFET开通后,Vds开始下降,Id开始上升,此时MOSFET进入饱和区;但由 ...
2022-8-23 10:13
氮化镓MOS与COOL-MOSFET区别
氮化镓MOS与COOL-MOSFET区别
新的的半导体材料氮化镓将给我们生活带来质的改变,可以跑高频,发热量超级低。氮化镓材料的结温可以达到300度,而硅材料只能150度。氮化镓MOSFET体内没有寄生二极管,但电流可以从S流到D,没有恢复的损耗。而氮化镓 ...
2022-8-23 10:12
MOS管开关损耗和导通损耗讲述
MOS管开关损耗和导通损耗讲述
人们对开关电源的要求越来越高,要求开关电源的体积越来越小,这也意味着开关频率越来越高。随着开关频率的提高,降低变换器的开关损耗也变得极其重要。开关频率越高,每秒钟开关管改变状态的次数就越多,开关损耗也 ...
2022-8-23 10:10
详解IGBT MOSFET与BJT的区别
详解IGBT MOSFET与BJT的区别
在功率半导体鼎鼎有名的igbt、mosfet与BJT,想必是硬件工程师和电源工程师每天都会打交道的器件。进入主题前,先上分别将这三种器件产品化的datasheet贴出来。igbtBJT出现在MOSFET之前,而MOSFET出现在IGBT之前,所 ...
2022-8-23 10:07
MOS工艺与MOS应用和损耗计算
MOS工艺与MOS应用和损耗计算
一.MOS概述MOS,金属-氧化层-半导体-场效晶体管,简称金氧半场效晶体管( Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,MOSFET);依照其“通道”的极性不同,可分为称为NMOSFET与PMOSFET。MOS结构图如下:MOS ...
2022-8-23 10:04
为离线开关电源选择最佳MOSFET
为离线开关电源选择最佳MOSFET
今天,硅MOSFET的选择主要分为两大类:平面和/或沟槽 MOSFET 和超结 MOSFET。平面 MOSFET 的有源区靠近管芯表面(图 1a)。为了降低 R DS(on),需要额外的芯片面积,而为了增加 MOSFET 的电压,芯片必须做得更厚。相比 ...
2022-8-23 09:31
电容参数:X5R,X7R,Y5V,COG 详解
电容参数:X5R,X7R,Y5V,COG 详解
在我们选择无极性电容式,不知道大家是否有注意到电容的X5R,X7R,Y5V,COG等等看上去很奇怪的参数,有些摸不着头脑,本人特意为此查阅了相关的文献,现在翻译出来奉献给大家。这类参数描述了电容采用的电介质材料类 ...
2022-8-22 16:14
如何正确理解SiC MOSFET的静态和动态特性
如何正确理解SiC MOSFET的静态和动态特性
CoolSiC™ MOSFET集高性能、坚固性和易用性于一身。由于开关损耗低,它们的效率很高,因此可以实现高功率密度。但尽管如此,工程师需要了解器件的静态和动态性能以及关键影响参数,以实现他们的设计目标。在下面的文 ...
2022-8-22 15:32
保护IGBT和MOSFET免受ESD损坏
保护IGBT和MOSFET免受ESD损坏
功率MOSFET用户都非常熟悉“静电敏感器件”警告标志。然而,越熟悉越容易大意。从统计的角度来看,单个MOSFET不太可能被静电放电(ESD)损坏。然而,在处理成千上万个MOSFET时,极小的故障都可能带来极大的影响。一个 ...
2022-8-22 09:38
快速充电电池组及其快速充电方法
快速充电电池组及其快速充电方法
一种快速充电电池系统及其充电方法,所述 系统可适用于大多数电动汽车、电子设备和无线 电器所使用的电池类型。所述系统可采用行业认 可的电池充电装置系统和现成的电气组件(例如 接触器、继电器开关、半导体零件和D ...
2022-8-19 15:15
燃料电池电堆的设计和制造技术
燃料电池电堆的设计和制造技术
1 前言目前,影响燃料电池推广应用的因素除了加氢站等基础设施和法规等有待配套完善外,燃料电池的成本、耐久性、低温性能以及功率密度等仍有待提高。电堆作为燃料电池核心部件,是对外功率输出的核心,其成本约占燃 ...
2022-8-19 14:59
磷酸铁锂和三元两种材料及电池的区别
磷酸铁锂和三元两种材料及电池的区别
近年来,磷酸铁锂和三元技术路线之争从未停歇,本文结合两种正极材料及电池的特点,对它们在不同领域的应用进行了对比分析。1. 磷酸铁锂材料及电池三维空间网状橄榄石结构的LiFePO4,形成了一维的Li+传输通道,限制 ...
2022-8-19 14:58
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