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初学入门

一文详解数字晶体管的原理: 数字晶体管（Digital Transistor），英文名为Bias Resistor Transistor，是带电阻的晶体管，有的仅在基极上串联一只电阻，一般称为R1，有的在基极与发射极之间还并联一只电阻R2。电阻R1有多种电阻，类似标准电阻系列 ...; 2022-8-25 09:27

深入剖析高速SiC MOSFET的开关行为: 本文探讨了影响高速SiC MOSFET开关特性的关键因素，包括器件特性、工作条件和外部电路；解释了开关损耗的主要影响因素，并确定了影响器件行为和使用的重要因素，这些因素可以显著提升SiC MOSFET在功率电路中的开关性 ...; 2022-8-25 09:24

电动车锂电池保护板: 一.电动车电池保护板是动力电池与外部世界的桥梁，决定着电池的利用率，其性能对电动汽车使用成本和安全性至关重要。它可以实时采集、处理、存储电池组运行过程中的重要信息，并与外部设备进行信息交换，在电池组运 ...; 2022-8-24 13:35

锂电池保护板几种接线方法 - 锂电池保护板几种接线方法介绍 ...: 锂电池保护板简介　　锂电池保护板是对串联锂电池组的充放电保护；在充满电时能保证各单体电池之间的电压差异小于设定值（一般±20mV），实现电池组各单体电池的均充，有效地改善了串联充电方式下的充电效果；同时检 ...; 2022-8-24 13:29

怎么检测锂电池保护板_锂电池保护板好坏检测_注意事项: 锂电池保护板简介　　锂电池保护板是对串联锂电池组的充放电保护；在充满电时能保证各单体电池之间的电压差异小于设定值（一般±20mV），实现电池组各单体电池的均充，有效地改善了串联充电方式下的充电效果；同时检 ...; 2022-8-24 13:25

锂电池保护板电流选择_锂电池保护板使用方法: 锂电池保护板电流选择　　1.锂电池保护板电流是由保护IC检测电压和MOS管内阻决定的，如果保护IC无法更改，可以改MOS管，比如DW01与8205MOS，用一颗MOS管是2~5A，用两颗MOS管并联电流就会增加一倍。现在的大容量移动 ...; 2022-8-24 13:23

正常状态 - 什么是锂电池保护板_锂电池保护板有什么用: 　什么是锂电池保护板　　锂电池保护板是对串联锂电池组的充放电保护；在充满电时能保证各单体电池之间的电压差异小于设定值（一般±20mV），实现电池组各单体电池的均充，有效地改善了串联充电方式下的充电效果；同 ...; 2022-8-24 13:22

铅酸电池充放电保护电路图: 　　铅酸电池充放电保护电路图（一）铅酸电池和锂电池一样，不宜过充也不宜过放。但是锂电池使用时一般会配合保护板，实现过充放、短路等保护。但是铅酸电池一般是独立使用的，过充放就需要人为控制或者由负载内部的 ...; 2022-8-24 13:19

基本的PMOS防反接电路: 二极管串联以常用的5V/2A为例。常用二极管串联在电路中，在电源反接时，二极管承担所有的电压，有效防止电源反接损坏后级设备。但是，二极管上压降较大，损耗较高。使用肖特基二极管可以减小损耗，但是仍对电路有较 ...; 2022-8-24 13:16

氮化镓基础知识: 氮化镓是一种二元III/V族直接带隙半导体晶体，也是一般照明LED和蓝光播放器最常使用的材料。另外，氮化镓还被用于射频放大器和功率电子器件。氮化镓是非常坚硬的材料;其原子的化学键是高度离子化的氮化镓化学键，该 ...; 2022-8-24 13:15

RCD钳位电路介绍和参数计算: 一．RCD 吸收电路和RCD钳位电路的区分早期开关电源是是使用RCD吸收电路，它的作用是减少开关管(早期使用BJT做开关管)的交叉损耗，从而改善开关管的损耗和温度。同时，能够减少开关管关断转换过程中开关管上的dv/dt, ...; 2022-8-23 10:44

MOS FET相关知识（2）: 寄生二极管的方向如何判定？它的判断规则：N沟道，由S极指向D极；P沟道，由D极指向S极；电压开关；MOS开关可以实现的是信号切换（高低电平切换）。也可以实现开关电压通断的 ...; 2022-8-23 10:38

MOSFET导通过程详细分析: 一、MOSFET开通过程T0~T1：驱动通过Rgate对Cgs充电，电压Vgs以指数的形式上升T1~T2：Vgs达到MOSFET开启电压，MOSFET进入线性区，Id缓慢上升，至T2时刻Id到达饱和或是负载最大电流。在此期间漏源极之间依然承受近乎全 ...; 2022-8-23 10:37

MOS管驅動電路: MOSFET管因為導通內阻低、開關速度快，因此被廣泛應用在開關電源上。而用好一個MOS管，其驅動電路的設計很關鍵，下面分享幾種常用的驅動原理。一、電源IC驅動。電源IC驅動是最簡單的驅動方法，就注意幾個參數及影 ...; 2022-8-23 10:31

氮化鎵(GaN)與矽(Si)的MOS開關比較: 由於寬能隙功率元件的優異切換性能，近幾年已經漸漸被商用化。常見的問題，如：究竟寬能隙元件對於系統的功率密度與效率的提升幫助有多少？原先所使用的以矽為基礎的元件在更複雜的拓撲與控制機制，是否需要付出更大 ...; 2022-8-23 10:29

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