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初学入门

推进汽车智能化和安全性，车载半导体为先进功能提供支撑: 我国大力发展新能源车，经过多年的政策扶持，产业已经成熟，涌现了主攻纯电动车的“造车新势力”，传统整车厂商相继也扩增新能源车型，产业生态汇集本土品牌和合资品牌。各国新能源汽车渗透率持续提升，根据我国《新 ...; 2022-8-4 10:14

如何抑制开关电源的输出纹波？: 在开关电源中，稳定直流信号中交流纹波的叠加通常都是工程师苦恼的问题，那么我们如何来减小和抑制纹波噪声呢？什么是电源纹波，它是如何产生的呢？随着开关电源的发展，越来越多的传统线性电源被其优越的性能替代， ...; 2022-8-4 10:13

用它代替LDO稳压器，解决了电流环路的功耗问题: 自动化控制在工业和消费类应用中越来越普遍，但即使是一流的自动化解决方案，也要依赖一种古老的技术：电流环路。电流环路是控制环路中普遍存在的组件，可以双向工作：它们将测量结果从传感器传递给可编程逻辑控制器 ...; 2022-8-3 09:33

達爾科技差分時鐘LVPECL LVDS HCSL and CML Clock 介紹: 現今所有電子匯流排在大多數係統設計中都採用串列連接，時鐘時序也採用差分時鐘。差分時鐘可以傳輸更長的 PCB 走線，因為它的信號參考是它的正+和負- ，比 CMOS Clock它需要參考Vcc 或 VDD 和 GND 。差分正+和負– ...; 2022-8-2 11:27

英飞凌IGBT单管命名规则: Infineon 作为IGBT大厂，除了种类繁多的模块型号，还有单管型号也是数不胜数。好在单管封装没有那么多复杂的拓扑，封装形式也有限。因此IGBT单管的命名规则相对简洁一些。IGBT单管以时间为界，有两套体系对于2013年3 ...; 2022-8-2 11:21

T型三电平拓扑换流过程分析: 一. T型三电平电路拓扑拓扑中共有4只IGBT，4只二极管，还有电容组C1和C2；假设正负母线电压均等，都是Vdc。将T1,T2,T3,T4的状态用1和0分别表示1表示开二.三电平电路，状态表1. 用16进制表示；2. 稳定模态有3种：C， ...; 2022-8-2 11:20

ST 6 V 至 75 V 寬輸入電壓同步降壓控制器(L3751PUR): 特徵6 V 至 75 V 寬輸入電壓範圍0.8 V 至 60 V 的可調輸出電壓100 kHz - 1 MHz 開關頻率範圍極端佔空比的最短接通時間為 40 nsec線路瞬態期間的低壓差操作可調軟啟動或輸入電壓跟踪輕負載時的脈衝跳躍或強制 PWM 操 ...; 2022-8-2 11:18

ST MDmesh M9 Series 开创SI基MOSFET 更优的性能: M9在ST HV MOSFET中的地位。及与ST其他Series HV MOSFET的区别。先看下面一个图： M9 Series 从ST M5 Series制程工艺上发展起来。与M5 Series相比，Rd(on)/Qg有了极大的降低；提升di/dt dv/dt 动态参数；据 ...; 2022-8-2 11:13

MM/SMM 系列 MELF 薄膜电阻: MELF 電阻是外觀近似色環電阻圓柱形封裝的貼片電阻，如圖所示。MM/SMM 是 Vishay 推出的明星產品，具備以下特點。1，長期穩定性（1000小時耐久測試，誤差≤0.05%）；2，耐衝擊性，單次脈衝功率可達230W；3，高功率 ...; 2022-8-2 11:11

碳化硅器件“大有可为的功率器件”: 碳化硅，是一种无机物，化学式为SiC，是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生产绿色碳化硅时需要加食盐）等原料通过电阻炉高温冶炼而成。碳化硅的禁带宽度、临界击穿场强，优越于硅2-10倍，比较适合高频的应用，IGB ...; 2022-8-2 11:09

中科蓝讯 AB5301A 驱动 RGB 灯示例: 这次我将和大家分享如何使用中科蓝讯 AB5301A 驱动 RGB 灯。我将从 RGB灯的原理出发，接着介绍驱动程序，最后使用 RGB 灯实现呼吸灯效。一、RGB灯工作原理1、RGB 灯概述示例的 GBH6812 RGB灯有四个引脚，DIN 端与 ...; 2022-8-2 10:53

世平安森美碳化矽(SiC) MOSFET 產品的特性與應用: 一、第三代半導體介紹:首先簡單介紹一下第一、二代半導體。在半導體材料領域中，第一代半導體是「矽」（Si），第二代半導體是「砷化鎵」（GaAs），第三代半導體（又稱「寬能隙半導體」，WBG）則是「碳化矽」（SiC） ...; 2022-8-2 10:50

反激开关电源元器件介绍（8） MOSFET: 一般电源转换器都是用MOSFET作为开关元件。1. 额定电压 MOSFET额定电压*降额（通常是0.9）必须大于任何工况下漏-源之间出现的剑锋电压对于单端反激拓扑，在110Vac系统使用400V的FET，在200-240Vac或100-240Vac系 ...; 2022-8-2 10:30

封装变迁与封装形式的详细说明: 自从美国Intel公司1971年设计制造出4位芯片以来，在20多年时间内，CPU从Intel4004、80286、80386、80486发展到Pentium和PentiumⅡ，数位从4位、8位、16位、32位发展到64位;主频从几兆到今天的400MHz以上，接近GHz;CP ...; 2022-8-2 10:13

一颗电机驱动芯片的内部版图: 本文将以DC/DC降压电源芯片为例详细解说一颗电源芯片的内部设计，它和板级的线路设计有何异同？芯片内部的参考电压又被称为带隙基准电压，值为1.2V左右。同时开关电源的基本原理是利用PWM方波来驱动功率MOS管。这是 ...; 2022-8-2 10:12

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