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初学入门

CMOS传输门: 传输管逻辑也是静态逻辑，是由nMOS开关和PMOS开关相连而成；输入驱动晶体管的栅极和源漏极，EN_L和EN应该是互补的；当nMOS和pMOS同时处于开状态，传输门两端的电阻非常小。优点：逻辑构造灵活、晶体管数目少，在构造 ...; 2014-4-13 21:05

CMOS或非门: 　CMOS或非门图31　CMOS或非门互补CMOS或非门的特点：上拉网络和下拉网络是互补的；上拉网络中串联连接的晶体管对应于下拉网络中并联连接的晶体管； CMOS互补逻辑门天然实现的是反相逻辑（NAND与非，NOR或非）， ...; 2014-4-13 21:00

CMOS与非门: CMOS与非门 CMOS与非门中：输入从栅级输入；输出从漏极输出； nMOS晶体管源级连接Gnd；PMOS晶体管源级连接VDD。a．CMOS两输入与非门：图25　CMOS与非门1/6 图26　CMOS与非门2/6 图27　CMOS与非门3/6 图28　CMO ...; 2014-4-13 20:53

互补静态CMOS反向器: 互补静态CMOS反向器 CMOS（Complementary Metal Oxide Semiconductor）：即互补金属氧化物半导体，是一种电压控制的放大器件。是组成CMOS数字集成电路的基本单元。图21　CMOS反向器 VIN为低电平时：M1截止，M2导 ...; 2014-4-13 20:45

nMOS、pMOS晶体管及其等效开关模型: nMOS、pMOS晶体管及其等效开关模型 MOS管（nMOS、pMOS）是电压控制开关，在栅极的电压控制源漏之间的通道。 NMOS（N-Mental-Oxide-Semiconductor）：NMOS是指p型衬底、n沟道，靠电子的流动运送电流的MOS管； PMOS（p ...; 2014-4-13 20:33

数字集成电路设计工艺基础: 数字集成电路设计工艺基础知识点一　半导体掺杂与PN结杂质半导体： 1）N型半导体：硅（Silicon）+五价元素（如磷），利用自由电子导电。 2）P型半导体：硅（Silicon）+三价元素（如硼），利用空穴导电。图13　半 ...; 2014-4-13 20:32

第三章　放大电路的频率响应: 第三章　放大电路的频率响应第一节　频率响应的一般概念本节首先介绍频率响应的表示方法，然后给出共射放大电路频率特性，并定性分析其特点及形成原因，同时介绍通频带等概念，最后讨论放大电路的频率失真问题。一 ...; 2014-4-11 21:55

多级放大电路: 第八节　多级放大电路一、多级放大电路的耦合方式多级放大电路各级之间的连接方式称为耦合方式。常见的耦合方式有阻容耦合、变压器耦合和直耦合等方式。目前，直接耦合方式的应用越来越多。1．阻容耦合放大电路各 ...; 2014-4-11 21:29

共漏极放大电路: 二、共漏极放大电路场效应管共漏极基本放大电路与双极型三极管的共集极基本放大电路类似，电路如图2.7.7所示。图2.7.7　共漏极放大电路1．静态分析为分析共漏放大电路的静态情况，将共漏接法基本放大电路的直流通路 ...; 2014-4-11 20:58

共源极放大电路: 一、共源极放大电路3．交流分析画出图2.7.1电路的微变等效电路，如图2.7.4所示。（1）电压放大倍数根据图2.7.4，输出电压为由于，所以可得式中：，负号表示输出电压与输入电压反相。（2）输入电阻=Rg1∥Rg2MOS场效 ...; 2014-4-11 20:57

第七节　场效应管放大电路: 第七节　场效应管放大电路场效应管（FET）是利用电场效应控制电流大小的单极型半导体器件。在其输入端基本不取电流或电流极小，具有输入阻抗高、噪声低、热稳定性好、制造工艺简单等特点，在大规模和超大规模集成电 ...; 2014-4-11 20:48

二、共基极放大电路: 二、共基极放大电路共基极组态电路如图2.6.4（a）所示，现在对它作直流与交流分析。（a）共基极放大电路　　　　　　　　　（b）直流通路图2.6.4　共基极放大电路及其直流通路 1．静态分析由图2.6.4（b）可得基 ...; 2014-4-11 20:45

第六节　双极型三极管放大电路的三种基本组态: 根据放大电路输入、输出端的不同，放大电路有三种不同组态，即共射、共集和共基组态。共射组态：基极为输入端，集电极为输出端，发射极为公共端。共集组态：基极为输入端，发射集电极为输出端，集电极为公共端。共 ...; 2014-4-11 20:43

二、静态工作点稳定电路: 二、静态工作点稳定电路工作点稳定电路有不同的形式，但应用最多的当属分压偏置电路。 1．电路组成及工作原理（1）电路组成分压式偏置放大电路如图2.5.1所示。图2.5.1　分压偏置放大电路在图2.5.1中，各元件的作 ...; 2014-4-11 12:26

第五节　静态工作点的稳定问题: 第五节　静态工作点的稳定问题一、温度对静态工作点的影响温度对电路静态工作点的影响，主要来自温度对晶体管参数的影响。而温度对晶体管的影响主要体现在以下3个参数上。（1）温度每升高10℃，反向饱和电流ICB ...; 2014-4-11 12:21

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