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初学入门

SiC JFET和SiC MOSFET短路事件的故障模型: 碳化硅功率器件已成为一种很有前途的技术，人们对降低能耗和在高开关频率应用下运行的兴趣日益浓厚。碳化硅还可以维持较高的工作温度，使其成为工业环境的合适候选者。宽带隙半导体器件的可用性使工程师能够设计电力 ...; 2022-7-29 17:02

电源设计说明：面向高性能应用的新型SiC和GaN FET器件分析: 在本文中，我们分析了一些碳化硅和氮化镓FET器件的静态和动态行为。公司正在将精力集中在这些类型的组件上，这些组件允许创建高效转换器和逆变器。本文是上一篇文章的后续，可以在这里找到。UnitedSiC的UJ4SC075006K ...; 2022-7-29 17:00

从升压转换器获得更长的电池寿命: ADP1612是一款低成本、高效率的升压转换器，工作频率为 1.3 MHz，非常适合需要体积小巧的消费电子电路。它有一个关断引脚，可将静态电流降至 2 μA 以下，并在低至 1.8 V 的输入电压下工作，非常适合电池供电的电子 ...; 2022-7-29 16:58

通过基于SiC的改进的中性腿最小化EV充电器的二阶纹波和直流电容 ...: 电动汽车技术是汽车行业的未来，电池和快速充电器系统不断取得快速发展。在不牺牲充电时间的情况下，正在进行研究和开发，以确保电池尺寸更小，充电期间的功耗最小。太阳能光伏、风力涡轮机和储能系统具有三相逆变器 ...; 2022-7-29 16:56

电源设计笔记:适用于高性能应用的SiC JFET: 本文检查了 JFET SJEP120R100A 的功能和性能——这篇文章纯粹是指导性的;此组件不再可用。但是这种简单的方法也可以应用于其他新组件。在接下来的文章中，将使用其他组件——这种碳化硅 (SiC) JFET 可以成功地用于任 ...; 2022-7-29 16:55

采用GaN的多相MHZ转换器: 氮化镓(GaN)器件可实现航空航天、交通运输和医疗应用所需的高频、高密度电源。在布置印刷电路板(PCB)时必须考虑某些设计规则和组件。例如，多层布局和带有铜孔的走线将减少传导路径长度并因此最大限度地减少寄生元件 ...; 2022-7-29 16:49

S-MOS单元技术提高了SiC MOSFET的效率: 启动 mqSemi 引入了单点源 MOS (S-MOS) 单元设计，适用于基于功率 MOS 的设备。S-MOS 技术采用 Silvaco Victory 工艺和器件软件在 1200V SiCMOSFET结构上采用和实施。提供了一整套静态和动态结果，用于将 S-MOS 与使 ...; 2022-7-29 16:47

增强型GaN HEMT的漏极电流特性: 已经为基于 GaN 的高电子迁移率晶体管(HEMT)的增强模式开发了两种不同的结构。这两种模式是金属-绝缘体-半导体(MIS) 结构，2具有由电压驱动的低栅极泄漏电流，以及栅极注入晶体管 (GIT)，3具有脊结构和高阈值电压。 ...; 2022-7-29 16:45

磁性元件在开关电源中有哪些损耗: 开关电源磁性元件一般就是指变压器和电感，变压器在开关电源中应用非常广泛。变压器的作用大致是提供初级和次级的电气隔离，使输出电压或升或降，传送能量。电感在开关电源中起着储能和滤波作用。在典型的降压转换中 ...; 2022-7-29 16:41

使用宽带隙推动提高效率的下一代电源设计扩大了性能差距: 不久前，全球能源需求预计将继续呈指数增长，但 2020 年的健康危机导致需求下降，一些主要经济体在每周的某些时段内需求下降了 25% 以上。然而，预计主要由中国和印度经济推动的全球反弹将刺激两位数的 GDP 增长。与 ...; 2022-7-29 16:08

缓启动电路的工作原理和作用: SiCMOSFET在开关状态下工作。然而，了解其在线性状态下的行为是有用的，这可能发生在驱动器发生故障的情况下，或者出于某些目的，当设计者编程时会发生这种情况。线性区电子元件的线性区(或有源区)是无法循环所有可 ...; 2022-7-29 16:02

电化学阻抗谱法的基本原理 EIS在锂电池状态检测中的应用: 本文阐述了电化学阻抗谱法的基本原理，电解质与电极材料中的界面反应机理，以及它在锂离子电池的状态监测、正极材料、负极材料研究中的应用，从而可以提高电池的性能，延长电池的寿命。一、EIS的简介电化学阻抗谱EIS ...; 2022-7-29 15:57

氮化镓 (GaN) 技术：属性、优点、不同制造工艺及最新进展: 本章将深入探讨氮化镓(GaN) 技术：其属性、优点、不同制造工艺以及最新进展。这种更深入的探讨有助于我们了解：为什么 GaN 能够在当今这个技术驱动的环境下发挥越来越重要的作用。GaN ：可靠的技术GaN 是一项久经 ...; 2022-7-29 15:54

如何避免功率MOSFET发生寄生导通: 1、功率MOSFET的寄生导通实际上，功率MOSFET发生寄生导通（不希望发生的事件）的机率比我们的预计更高，造成的损失也更大。寄生导通通常会损坏MOSFET，而且之后很难查出故障的根源。寄生导通的机制由DS及GS电压间的 ...; 2022-7-29 14:47

SR同步整流的工作原理详解: SR同步整流顾名思义，就是用低Rdson的MOS来替代整流二极管整流并提高效率降低损耗的新技术，其具体工作原理是如何的，现为大家详细解答。SR的电路图举例： SR的原理波形分析：注：VDS为MOS的漏源间 ...; 2022-7-29 14:31

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