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技术应用

SiC MOSFET FIT率和柵極氧化物可靠性的關係
SiC MOSFET FIT率和柵極氧化物可靠性的關係
除了性能之外,可靠性和堅固性是SiC MOSFET討論最多的話題。我們將堅固性定義為器件承受特定的特殊壓力事件的能力,例如,短路能力或脈衝電流處理能力。可靠性指器件在目標壽命內額定工作條件下的穩定性。與可靠性相 ...
分类:    2023-12-20 10:47
如何正確理解SiC MOSFET的靜態和動態特性
如何正確理解SiC MOSFET的靜態和動態特性
CoolSiC™ MOSFET集高性能、堅固性和易用性於一身。由於開關損耗低,它們的效率很高,因此可以實現高功率密度。但儘管如此,工程師需要了解器件的靜態和動態性能以及關鍵影響參數,以實現他們的設計目標。在下面的文 ...
分类:    2023-12-20 10:46
仿真看世界之SiC單管並聯中的寄生導通問題
仿真看世界之SiC單管並聯中的寄生導通問題
這篇微信文章,其實構思已久。為了有所鋪墊,已在2020和2021發布了兩篇基礎篇:2020《仿真世界之SIC單管的寄生導通現象》2021《仿真看世界之SiC MOSFET單管的並聯均流特性》2022,讓我們再次聊聊在SiC單管並聯中的寄 ...
分类:    2023-12-20 10:44
不同殼溫下SOA曲線的計算方法
不同殼溫下SOA曲線的計算方法
安全工作區(SOA)定義為IGBT可以預期在沒有自損壞或退化的情況下工作的電流和電壓條件,分為正向偏置和反向偏置安全工作區(FBSOA和RBSOA)。正向偏置安全工作區(FBSOA)定義了IGBT開啟期間的可用電流和電壓條件。反向 ...
分类:    2023-12-20 10:42
新品 | 75mm平板型晶閘管AMPT系列 1400/1700A 1600V
新品 | 75mm平板型晶閘管AMPT系列 1400/1700A 1600V
新品75mm平板型晶閘管AMPT系列 1400/1700A 1600V產品描述:Infineon Technologies Bipolar採用先進的中功率技術(AMPT),推出新的直徑75毫米、高26毫米的1600V平板型器件1400A和1700A,目標應用是低壓軟起動器、UPS旁 ...
分类:    2023-12-20 10:41
IGBT單管數據手冊參數解析——下
IGBT單管數據手冊參數解析——下
IGBT是大家常用的開關功率器件,本文基於英飛凌單管IGBT的數據手冊,對手冊中的一些關鍵參數和圖表進行解釋說明,用戶可以了解各參數的背景信息,以便合理地使用IGBT。在上篇《IGBT單管數據手冊參數解析——上》中, ...
分类:    2023-12-20 10:40
IGBT單管數據手冊參數解析——上
IGBT單管數據手冊參數解析——上
IGBT是大家常用的開關功率器件,本文基於英飛凌單管IGBT的數據手冊,對手冊中的一些關鍵參數和圖表進行解釋說明,用戶可以了解各參數的背景信息,以便合理地使用IGBT。英飛凌的IGBT數據手冊通常包含以下內容:封面, ...
分类:    2023-12-20 10:39
氫燃料電池商用車高速空壓機驅動方案
氫燃料電池商用車高速空壓機驅動方案
近年來新能源汽車發展迅速,特別是以純電動為代表的新能源乘用車和大巴在市場上已經得到廣泛認可,但是商用車中長途重卡、工程機械等還是以柴油為主要燃料,鮮見新能源的身影。本文首先討論了新能源商用車尤其是長途 ...
分类:    2023-12-20 10:38
新一代1700V IGBT7技術及其在電力電子系統中的應用優勢
新一代1700V IGBT7技術及其在電力電子系統中的應用優勢
原文發表於2022中國電力電子與能量轉換大會(CPEEC 2022)暨中國電源學會第二十五屆學術年會(CPSSC 2022)論文集摘要EconoDUAL™3是一款經典的IGBT模塊封裝,其上一代的1700V系列產品已經廣泛應用於級聯型中高壓變 ...
分类:    2023-12-20 10:35
如何通過改進IGBT模塊布局來克服晶片縮小帶來的熱性能挑戰
如何通過改進IGBT模塊布局來克服晶片縮小帶來的熱性能挑戰
尺寸和功率往往看起來像是硬幣的兩面。當你縮小尺寸時--這是我們行業中不斷強調的目標之一--你不可避免地會降低功率。但情況一定是這樣嗎?如果將我們的思維從晶片轉移到模塊設計上,就不需要拋硬幣了。在IGBT模塊中 ...
分类:    2023-12-20 10:34
隔離型驅動晶片下面到底能不能走線
隔離型驅動晶片下面到底能不能走線
首先給出結論:一般我們把隔離驅動晶片的垂直面下方的PCB設為禁止布線層,既不走任何的信號也不放置各類元器件,如下方所示。然後再討論為什麼不能布線,最後介紹例外的應用情況。▼為什麼晶片下面不建議布線?因為 ...
分类:    2023-12-20 10:33
晶閘管在UPS旁路應用中的損耗計算
晶閘管在UPS旁路應用中的損耗計算
功率晶閘管廣泛應用於AC/DC變換器,UPS旁路等場合。本文通過公式計算和在線IPOSIM仿真兩種方式,對晶閘管在UPS旁路應用中的損耗計算和結溫預估進行說明,給廣大工程師在晶閘管選型時提供幫助。晶閘管在AC/DC整流應用 ...
分类:    2023-12-20 10:32
來自英飛凌開發者社區的10問10答——IGBT篇
來自英飛凌開發者社區的10問10答——IGBT篇
Q:在IGBT器件的開通過程中,柵極電荷Qg的充電過程是怎樣的?A:IGBT器件例如IKZA50N65EH7的數據手冊中如圖1所示,給出了柵極電荷Qg和柵極電壓Vge的關係。圖2為IGBT器件簡化示意圖。柵極電荷的充電過程可以分為以下 ...
分类:    2023-12-20 10:30
基於ST MasterGaN1+L6599A的250瓦LLC諧振直流變換器開發板: EVLMG1-250WLLC ... ...
基於ST MasterGaN1+L6599A的250瓦LLC諧振直流變換器開發板: EVLMG1-250WLLC ... ...
EVLMG1-250WLLC參考設計是一個250W諧振轉換器,電路板尺寸是100mm x 60mm,最高元件高度是35mm。EVLMG1-250WLLC是一個400V輸入的電源參考設計,提供一個24V/10A輸出,最高能效超過94%。得益於MasterGaN內部集成的安 ...
分类:    2023-12-13 14:28
電路中的另類之“光”- 光耦合器簡介 (下篇)
電路中的另類之“光”- 光耦合器簡介 (下篇)
生活中都會接觸到的「電」,而電的來源則是涉及到AC-DC或中高電壓DC-DC電源轉換的電子電路,在這樣的電路中都需要電氣隔離。而光耦作為一種常見的隔離器件,廣泛用於各個領域的電氣和電子系統設計中。在前(中)篇我們 ...
分类:    2023-12-13 13:47

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