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技术应用

M480系列 : NuMicro M480 MCU上實現MicroPython (NuMicroPy)
M480系列 : NuMicro M480 MCU上實現MicroPython (NuMicroPy)
Python是一種直譯式的物件導向程式語言,伴隨豐富的第三方函式庫以及簡單易上手的特性,使得它在一些領域上被廣泛的使用,例如:機器學習(Google TensorFlow, Facebook caffe)、電腦視覺(OpenCV)等。根據 Stack Over ...
分类:    2023-6-16 15:10
淺談Wi-Fi 2.4G Control Sideband 通道配置與功能
淺談Wi-Fi 2.4G Control Sideband 通道配置與功能
Wi-Fi 路由上的Control Sideband設定通道是如何計算的? 有什麼樣的用途 ?有些人可能有設定過但不瞭解它的作動行為,在此我們用範例說明一下。首先我們解一下2.4GHz的channel list 如下圖一,每個channel bandwidth為 ...
分类:    2023-6-16 15:08
淺談IGBT工作狀態以及安全工作區
淺談IGBT工作狀態以及安全工作區
IGBT工作狀態分為三個部分:1、截止區:CE間電壓小於一個門檻電壓,即背面PN節的開啟電壓時,IGBT背面PN結截止,無電流流動2、飽和區:CE間電壓大於門檻電壓後,電流開始流動,CE間電壓隨著集電極電流上升而線性上升 ...
分类:    2023-6-16 15:06
淺談IGBT發展技術
淺談IGBT發展技術
IGBT全稱為絕緣柵雙極型電晶體,它由絕緣柵型場效應管和雙極型三極體兩個部分組成,其兼具MOSFET輸入阻抗高、控制功率小、驅動電路簡單、開關速度快和 BJT通態電流大、導通壓降低、損耗小等優點,是功率半導體未來主 ...
分类:    2023-6-16 15:05
不須使用驅動IC就可以使用GaNFET? Ancora(碇基) 利用一般電阻/電容元件來驅動E-GaN!!! ...
不須使用驅動IC就可以使用GaNFET? Ancora(碇基) 利用一般電阻/電容元件來驅動E-GaN!!! ...
GaN憑藉其特性,廣泛應用在LED、射頻、電源轉換等領域,而具體在電源管理應用上,GaN的優勢包括:傳導損耗小,能效高。 GaN的導通電阻(RDSon)是傳統矽器件的一半,在相同輸出電流下損耗更小,能效更高。低損耗同時意 ...
分类:    2023-6-16 15:01
不同功率器件在充電樁三相LLC拓撲中的應用探討
不同功率器件在充電樁三相LLC拓撲中的應用探討
摘 要近年來新能源汽車發展迅速,對充電樁也提出了高功率密度、大功率、高效率等要求。基於三相LLC變換器技術的30千瓦功率模塊單元性能更優,可以滿足現有的市場需求。基於30千瓦三相LLC變換器常見的母線電壓等級800 ...
分类:    2023-6-16 14:53
適用於下一代大功率應用的XHP™2封裝
適用於下一代大功率應用的XHP™2封裝
摘 要軌道交通牽引變流器的平台化設計和易擴展性是其主要發展方向之一,其對半導體器件也提出了新的需求。一方面需要半導體器件能滿足更寬的電壓等級和電流等級,另一方面也要兼容電力電子器件的新技術,比如IGBT5/. ...
分类:    2023-6-16 14:52
碳化矽器件在UPS中的應用研究
碳化矽器件在UPS中的應用研究
摘 要本文分析了目前不間斷電源(UPS)在網際網路數據中心中的應用和發展趨勢。對目前熱門的碳化矽材料和英飛凌碳化矽技術做了介紹,並著重說明了碳化矽器件在UPS應用中的優勢。分析給出了目前UPS常用拓撲及方案,最 ...
分类:    2023-6-16 14:50
米勒電容、米勒效應和器件與系統設計對策
米勒電容、米勒效應和器件與系統設計對策
搞電力電子的同學想必經常被“米勒效應”這個詞困擾。米勒效應增加開關延時不說,還可能引起寄生導通,增加器件損耗。那麼米勒效應是如何產生的,我們又該如何應對呢?。”我們先來看IGBT開通時的典型波形:上圖中, ...
分类:    2023-6-16 14:49
SiC MOSFET的短溝道效應
SiC MOSFET的短溝道效應
Si IGBT和SiC溝槽MOSFET之間有許多電氣及物理方面的差異,Practical Aspects and Body Diode Robustness of a 1200V SiC Trench MOSFET這篇文章主要分析了在SiC MOSFET中比較明顯的短溝道效應、Vth滯回效應、短路特 ...
分类:    2023-6-16 14:47
分步解析,半桥 LLC 谐振转换器的设计要点
分步解析,半桥 LLC 谐振转换器的设计要点
在众多谐振转换器中,LLC 谐振转换器有着高功率密度应用中最常用的拓扑结构。之前我们介绍过采用 NCP4390 的半桥 LLC 谐振转换器的设计注意事项,其中包括有关 LLC 谐振转换器工作原理的说明、变压器和谐振网络的设 ...
分类:    2023-6-12 14:04
注意!设计半桥 LLC 谐振转换器,你得注意这些
注意!设计半桥 LLC 谐振转换器,你得注意这些
在众多谐振转换器中,LLC 谐振转换器有着高功率密度应用中最常用的拓扑结构。与其他谐振拓扑相比,这种拓扑具有许多优点:它能以相对较小的开关频率变化来调节整个负载变化的输出;它可以实现初级侧开关的零电压开关 ...
分类:    2023-6-9 13:59
安森美 M 1 1200 V SiC MOSFET 静态特性分析
安森美 M 1 1200 V SiC MOSFET 静态特性分析
SiC MOSFET 在功率半导体市场中正迅速普及,因为它最初的一些可靠性问题已得到解决,并且价位已达到非常有吸引力的水平。随着市场上的器件越来越多,必须了解 SiC MOSFET 与 IGBT 之间的共性和差异,以便用户充分利 ...
分类:    2023-6-9 11:20
恩智浦有源桥式整流器控制器TEA2209T 搭配不同MOSFET比較
恩智浦有源桥式整流器控制器TEA2209T 搭配不同MOSFET比較
TEA2209T是新一代有源橋式整流控制器產品,主要功能在於替代傳統的二極管橋。將TEA2209T與低電阻的外部MOSFET配合使用,可消除典型整流器二極管正向傳導損耗,從而顯著提高功率轉換器的效率,產品功能方塊圖如下,內 ...
分类:    2023-5-30 10:31
先进制程新材料特性 就靠它来验
先进制程新材料特性 就靠它来验
当IC元件尺寸随着摩尔定律不断地缩小,而达到物理极限无法再进行微缩的情况时,能够解决的方式就是改变使用的材料,可以藉由更换更合适的特性材料,来提升组件低耗电、高频率的特性。在半导体制程中,牵涉数百道的制 ...
分类:    2023-5-18 11:28

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