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ST STM32G4_解決 STM32CubeIDE 與STM32CubeMX 無法連結問題: . 目的 STM32CubeMX 是 ST STM32G4 系列晶片圖形化設定介面軟體，主要功能是定義周邊腳位與初始化參數，完成產生程式碼後會連結到另外一個軟體 STM32CubeIDE 來做編譯程式功能。當你需要在 CubeIDE 同個 Workspace ...; 分类: 嵌入式系统 2023-12-21 10:26

基於 ST STM32G474 快速上手 STM32CubeMonitor 即時監控軟體: STM32CubeMonitor 系列工具通過實時讀取參數來幫助在運行時微調和診斷 STM32 應用程序。多功能的 STM32CubeMonitor 還提供基於流程的圖形編輯器，可以簡單地構建自定義儀表板，並快速添加儀表、條形圖和繪圖等小部件 ...; 分类: 嵌入式系统 2023-12-21 10:24

【Light一刻】 Infineon MOSFET MOS導通行不行-論英飛凌MOS導通條件參數 ...: 在一些非穩態的情況下，Vgs有可能因為雜訊干擾、電路特性等成因產生瞬間大突波。這時候往往會擔心，到底Vgs突波會不會導致開關誤動作，而產生short through現象，如圖一所示。實際上Vgs並非有電就會有產生導通現象， ...; 分类: 初学入门 2023-12-21 10:04

採用IGBT7高功率密度變頻器的設計實例: 摘要變頻器在設計上不斷的推陳出新，為了提高功率密度並降低成本，工程師更是絞盡腦汁。IGBT（絕緣柵型雙極性電晶體）在變頻器里屬於關鍵器件，其選型和損耗直接關係散熱器的大小，也直接影響著系統的性能、成本和 ...; 分类: 初学入门 2023-12-21 09:58

具備出色穩定性的CoolSiC™ MOSFET M1H: 過去幾年，實際應用條件下的閾值電壓漂移（VGS(th)）一直是SiC的關注重點。英飛凌率先發現了動態工作引起的長期應力下VGS(th)的漂移現象，並提出了工作柵極電壓區域的建議，旨在最大限度地減少使用壽命內的漂移。。 ...; 分类: 初学入门 2023-12-21 09:56

如何通過優化模塊布局解決晶片縮小帶來的電氣性能挑戰: 在本文的第一部分——《如何通過改進IGBT模塊布局來克服晶片縮小帶來的熱性能挑戰》，我們提到尺寸和功率往往看起來像硬幣的兩面。當你縮小尺寸時，你不可避免地會降低功率。在那篇文章中，我們介紹了晶片縮小對熱性 ...; 分类: 初学入门 2023-12-21 09:51

搭載1200V P7晶片的PrimePACK™刷新同封裝功率密度: 繼英飛凌1200V IGBT7 T7晶片在中小功率模塊產品相繼量產並取得客戶認可後，英飛凌最新推出了適用於大功率應用場景的1200V IGBT7 P7晶片，並將其應用在PrimePACK™模塊中，再次刷新了該封裝的功率密度上限。目標應用 ...; 分类: 初学入门 2023-12-21 09:50

淺談高功率密度電源設計（三）: 我們在開始設計電源產品時，會根據電源功率/輸入輸出電壓選擇拓樸。除了之前介紹的外，電路拓樸很多。有反激拓撲正激，雙管反激，LLC准諧振、推挽，半橋、雙管正激，全橋等。常用拓樸簡單對比如下： ...; 分类: 初学入门 2023-12-21 09:47

淺談高功率密度電源設計（二）: 在電力電子領域的不斷發展和創新下，開關電源技術朝向標準化、小型化、高效化、節能環保等方向發展。而在節能倡議和客戶期望的推動下，電源還需要具有功率因子校正（PFC）功能。通過減少諧波含量和被動電源引起的電 ...; 分类: 初学入门 2023-12-21 09:46

隔離式雙向 DC-DC 轉換器介紹: 1. 前言由於環保意識的抬頭帶動再生能源與綠能產業的蓬勃發展。得利於電力電子、數位控制及電池技術的進步，電能轉換與電池儲能系統的應用需求越來越廣泛。例如 : 電動汽車的電能系統、對電力系統用電進行削峰填谷和 ...; 分类: 初学入门 2023-12-20 13:31

單相雙向 AC-DC 轉換器介紹: 1. 前言由於電力電子、數位控制及電池技術的進步，促使再生能源、儲能系統及新能源應用等產業的蓬勃發展。例如 : 電動汽車的電能系統、對電力系統用電進行削峰填谷和調節電力的儲能系統、應急電源及可攜式行動 ...; 分类: 初学入门 2023-12-20 13:30

開關電源的主要拓撲結構: 開關電源（Switch Mode Power Supply，簡稱SMPS），利用MOSFET或者IGBT作為開關管，輪流工作在導通和關斷的狀態，將一個電壓，通過不同形式的架構轉換為用戶端所需求的電壓或電流。開關電源有一些常用的拓撲，每種拓 ...; 分类: 初学入门 2023-12-20 13:28

MOSFET主要參數解讀: MOSFET即MOS(Metal Oxide Semiconductor)金屬氧化物半導體；FET(Field Effect Transistor)場效應電晶體，即以金屬層的柵極隔著氧化層，利用電場的效應來控制半導體的場效應電晶體。其特點是用柵極電壓來控制漏極電流 ...; 分类: 初学入门 2023-12-20 13:27

簡單的方式去鑑定MOSFET的好壞: 由於3C產品品項眾多，在各3C產品上也使用了相當多的MOSFET在上面，不論是使用在switching power上的MOSFET，或是當做是一般的負載開關，其使用量非常的大，當然也造就了一些使用上的失效問題，而必須退回原廠做開蓋 ...; 分类: 初学入门 2023-12-20 13:25

常見的DC/DC雜訊消除的方法: 對策是通過增加降噪電路或增加零件來降低雜訊的三個方法:1. 增加緩衝電路:增加緩衝電路是降低雜訊的常用手法。本文中採用在輸出端增加緩衝電路，其實在輸入端也可以增加。在本例中，通過在開關節點增加RC，起到將開 ...; 分类: 初学入门 2023-12-20 13:24

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