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技术应用

世平安森美推出NCP1681(TP PFC IC) + NCP13994(LLC) + NCP4318 (SR IC) 應用於600W 電 ...
世平安森美推出NCP1681(TP PFC IC) + NCP13994(LLC) + NCP4318 (SR IC) 應用於600W 電 ...
方案介紹 本方案使用NCP1681 Totem pole PFC架構 + NCP13994 LLC架構 + NCP4318同步整流 IC來做電池充電電源應用。本方案PFC端使用NCP1681 Totem pole PFC架構可讓PFC架構達到更高效率與更高的功率密度。 NCP1681是 ...
分类:    2023-7-26 13:49
LNK6766E 30 W電源的設計參考
LNK6766E 30 W電源的設計參考
摘要與功能 一次側調節隔離式返馳式轉換器,調節範圍不超過±5%。 132 kHz 切換頻率,可減小變壓器和輸出濾波器的尺寸。 滿載連續導通模式操作,可改善效率並降低輸出電容器漣波電流。 多重模式操作使滿載範 ...
分类:    2023-7-26 13:42
深度剖析 IGBT 栅极驱动注意事项
深度剖析 IGBT 栅极驱动注意事项
IGBT晶体管的结构要比 MOSFET 或双极结型晶体管 (BJT) 复杂得多。它结合了这两种器件的特点,并且有三个端子:一个栅极、一个集电极和一个发射极。就栅极驱动而言,该器件的行为类似于 MOSFET。它的载流路径与 BJT ...
分类:    2023-6-25 10:47
使用NCP1623A設計緊湊高效的PFC級的關鍵步驟
使用NCP1623A設計緊湊高效的PFC級的關鍵步驟
本文介紹了快速設計由 NCP1623 驅動的 CrM/DCM PFC 級的關鍵步驟中的定義關鍵規格與功率級設計,並以實際的 100W 通用電源應用為例進行說明,IC控制電路設計將在後續的推文中分享。最大輸出功率:100 WRms 線路電壓 ...
分类:    2023-6-16 15:18
單管封裝功率器件的散熱性能提升
單管封裝功率器件的散熱性能提升
前言經典單管TO直插封裝有兩類TO-220和TO-247,其使逆變器系統並聯擴容靈活,器件成本優勢明顯,且標準封裝容易找替代品,廣泛應用於中小功率範圍。在單管電驅應用方案中可以覆蓋30kW到180kW功率範圍,最多需要6-8個 ...
分类:    2023-6-16 15:15
安森美FAN9672搭配FAN7688的3.3KW OBC demo介紹
安森美FAN9672搭配FAN7688的3.3KW OBC demo介紹
這是一款安森美採用FAN9672搭配FAN7688的3.3KW OBC demo,功率管採用SJ MOS,二極體採用碳化矽。全電壓90-265VAC輸入,輸出200-450VDC,輸出電流0-14A,平均效率達95%以上。 ... ...
分类:    2023-6-16 15:13
M480系列 : NuMicro M480 MCU上實現MicroPython (NuMicroPy)
M480系列 : NuMicro M480 MCU上實現MicroPython (NuMicroPy)
Python是一種直譯式的物件導向程式語言,伴隨豐富的第三方函式庫以及簡單易上手的特性,使得它在一些領域上被廣泛的使用,例如:機器學習(Google TensorFlow, Facebook caffe)、電腦視覺(OpenCV)等。根據 Stack Over ...
分类:    2023-6-16 15:10
淺談Wi-Fi 2.4G Control Sideband 通道配置與功能
淺談Wi-Fi 2.4G Control Sideband 通道配置與功能
Wi-Fi 路由上的Control Sideband設定通道是如何計算的? 有什麼樣的用途 ?有些人可能有設定過但不瞭解它的作動行為,在此我們用範例說明一下。首先我們解一下2.4GHz的channel list 如下圖一,每個channel bandwidth為 ...
分类:    2023-6-16 15:08
淺談IGBT工作狀態以及安全工作區
淺談IGBT工作狀態以及安全工作區
IGBT工作狀態分為三個部分:1、截止區:CE間電壓小於一個門檻電壓,即背面PN節的開啟電壓時,IGBT背面PN結截止,無電流流動2、飽和區:CE間電壓大於門檻電壓後,電流開始流動,CE間電壓隨著集電極電流上升而線性上升 ...
分类:    2023-6-16 15:06
淺談IGBT發展技術
淺談IGBT發展技術
IGBT全稱為絕緣柵雙極型電晶體,它由絕緣柵型場效應管和雙極型三極體兩個部分組成,其兼具MOSFET輸入阻抗高、控制功率小、驅動電路簡單、開關速度快和 BJT通態電流大、導通壓降低、損耗小等優點,是功率半導體未來主 ...
分类:    2023-6-16 15:05
不須使用驅動IC就可以使用GaNFET? Ancora(碇基) 利用一般電阻/電容元件來驅動E-GaN!!! ...
不須使用驅動IC就可以使用GaNFET? Ancora(碇基) 利用一般電阻/電容元件來驅動E-GaN!!! ...
GaN憑藉其特性,廣泛應用在LED、射頻、電源轉換等領域,而具體在電源管理應用上,GaN的優勢包括:傳導損耗小,能效高。 GaN的導通電阻(RDSon)是傳統矽器件的一半,在相同輸出電流下損耗更小,能效更高。低損耗同時意 ...
分类:    2023-6-16 15:01
不同功率器件在充電樁三相LLC拓撲中的應用探討
不同功率器件在充電樁三相LLC拓撲中的應用探討
摘 要近年來新能源汽車發展迅速,對充電樁也提出了高功率密度、大功率、高效率等要求。基於三相LLC變換器技術的30千瓦功率模塊單元性能更優,可以滿足現有的市場需求。基於30千瓦三相LLC變換器常見的母線電壓等級800 ...
分类:    2023-6-16 14:53
適用於下一代大功率應用的XHP™2封裝
適用於下一代大功率應用的XHP™2封裝
摘 要軌道交通牽引變流器的平台化設計和易擴展性是其主要發展方向之一,其對半導體器件也提出了新的需求。一方面需要半導體器件能滿足更寬的電壓等級和電流等級,另一方面也要兼容電力電子器件的新技術,比如IGBT5/. ...
分类:    2023-6-16 14:52
碳化矽器件在UPS中的應用研究
碳化矽器件在UPS中的應用研究
摘 要本文分析了目前不間斷電源(UPS)在網際網路數據中心中的應用和發展趨勢。對目前熱門的碳化矽材料和英飛凌碳化矽技術做了介紹,並著重說明了碳化矽器件在UPS應用中的優勢。分析給出了目前UPS常用拓撲及方案,最 ...
分类:    2023-6-16 14:50
米勒電容、米勒效應和器件與系統設計對策
米勒電容、米勒效應和器件與系統設計對策
搞電力電子的同學想必經常被“米勒效應”這個詞困擾。米勒效應增加開關延時不說,還可能引起寄生導通,增加器件損耗。那麼米勒效應是如何產生的,我們又該如何應對呢?。”我們先來看IGBT開通時的典型波形:上圖中, ...
分类:    2023-6-16 14:49

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