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技术应用

要求苛刻的工业应用,为什么建议选电感式传感器?
要求苛刻的工业应用,为什么建议选电感式传感器?
机器人和协作机器人(cobots)能力的提高,意味着它们在工厂车间里可以承担更多的工作,处理更复杂的任务,运行速度比以前更快,同时还能与人类更加紧密地合作。这些变化意味着,在工业应用中,传感器需要具备极高的 ...
分类:    2025-3-26 09:38
一文解读ADAS 系统中的关键传感器技术
一文解读ADAS 系统中的关键传感器技术
交通安全是一项巨大的挑战--每年有 110 多万人因道路交通事故丧生1,另有约2000万到5000万人受伤。造成这些事故的一个主要原因是驾驶员失误2。汽车制造商和政府监管机构一直在寻找提高安全性的方法,近年来,先进驾 ...
分类:    2025-3-26 09:34
SiC 市场的下一个爆点:共源共栅(cascode)结构详解
SiC 市场的下一个爆点:共源共栅(cascode)结构详解
Cascode简介碳化硅结型场效应晶体管(SiC JFET)相比其他竞争技术具有一些显著的优势,特别是在给定芯片面积下的低导通电阻(称为RDS.A)。为了实现最低的RDS.A,需要权衡的一点是其常开特性,这意味着如果没有栅源 ...
分类:    2025-3-26 09:29
從矽到碳化矽過渡,碳化矽Cascode JFET 為何能成為破局者?
從矽到碳化矽過渡,碳化矽Cascode JFET 為何能成為破局者?
電力電子器件高度依賴於矽(Si)、碳化矽(SiC)和氮化鎵高電子遷移率電晶體(GaN HEMT)等半導體材料。雖然矽一直是傳統的選擇,但碳化矽器件憑藉其優異的性能與可靠性而越來越受歡迎。相較於矽,碳化矽具備多項技 ...
分类:    2025-3-26 08:36
一文详解开关电源的同步整流技术
一文详解开关电源的同步整流技术
●同步整流的分类。●同步整流的驱动方式●同步整流的MOSFET同步整流简介●高速超大规模集成电路的尺寸的不断减小,功耗的不断降低,要求供电电压也越来越低,而输出电流则越来越大。●电源本身的高输出电流、低成本 ...
分类:    2025-3-26 08:33
SiC MOSFET的短路特性和短路保护方法
SiC MOSFET的短路特性和短路保护方法
摘要在光伏逆变器、车载充电器及牵引逆变器等应用领域中,由第三代半导体材料碳化硅(SiC)制成的SiCMOSFET正逐步替代由传统硅基(Si)制成的SiIGBT。这是因为碳化硅(SiC)材料相比传统硅(Si)材料具有更优越的物 ...
分类:    2025-3-25 08:55
800V低成本压缩机控制方案
800V低成本压缩机控制方案
目前电动汽车正向智能化,高压化方向发展,前者在于提升汽车智能性,后者在于改善汽车充电时间等特性.为此,电动汽车正向高压800V平台过渡和演变,本文将简单介绍800V低成本压缩机控制方案。二、讲解1.高压输入输入部分包 ...
分类:    2025-3-25 08:49
推挽电路驱动与图腾柱驱动的区别
推挽电路驱动与图腾柱驱动的区别
1 推挽电路有时候考虑到驱动芯片的成本问题的时候,我们会考虑用三极管搭驱动电路,毕竟一个mos driver多数都要几块钱,两个三极管才一两毛钱,所以我们要清楚推挽的驱动电路用法。1.1 正确推挽驱动电路结构如下图所 ...
分类:    2025-3-25 08:47
Bi-CMOS工艺解析
Bi-CMOS工艺解析
本文主要讲解了Bi-CMOS工艺。Bi-CMOS工艺将双极型器件(Bipolar)与CMOS工艺结合,旨在融合两者的优势。CMOS具有低功耗、高噪声容限、高集成度的优势,而双极型器件拥有大驱动电流、高速等特性。Bi-CMOS则能通过优化 ...
分类:    2025-3-25 08:46
干货 | 这可能是最详细的「阻抗匹配」介绍
干货 | 这可能是最详细的「阻抗匹配」介绍
在具有电阻、电感和电容的电路里,对交流电所起的阻碍作用叫做阻抗。常用Z来表示,它的值由交流电的频率、电阻R、电感L、电容C相互作用来决定。由此可见,一个具体的电路,其阻抗是随时变化的,它会随着电流频率的改 ...
分类:    2025-3-25 08:43
汽车BMS的ESD防护方案
汽车BMS的ESD防护方案
BMS是Battery Management System的缩写,称为电池管理系统,目前为新能源汽车核心部件,是一种用于监控和管理电池组状态的复杂系统,目的是智能化地管理和维护各个电池单元,从而防止电池出现过充电和过放电,延长电 ...
分类:    2025-3-25 08:42
DAC 与 ADC:数字与模拟的往复之旅
DAC 与 ADC:数字与模拟的往复之旅
然而,在这个日益由软件定义的世界中,0和1并非万能。图像传感器将光强记录为一系列模拟值;播放音乐的扬声器,其振膜需要移动到除了“完全向内”和“完全向外”之外的多种位置。最终,几乎所有复杂的数字电路都需要 ...
分类:    2025-3-25 08:40
闩锁效应的工作原理
闩锁效应的工作原理
LU是 Latch Up的简写,即闩锁效应,也叫可控硅效应,表征芯片被触发低阻抗通路后、电源VDD到GND之间能承受的最大电流。非车规芯片的规格书中通常都不会提供这个参数,而车规芯片的规格书中通常都会明确标注出来这个 ...
分类:    2025-3-25 08:39
驱动电路设计(七)——自举电源在5kW交错调制图腾柱PFC应用 ...
驱动电路设计(七)——自举电源在5kW交错调制图腾柱PFC应用 ...
随着功率半导体IGBT,SiCMOSFET技术的发展和系统设计的优化,电平位移驱动电路应用场景越来越广,电压从600V拓展到了1200V。英飞凌1200V电平位移型颈驱动芯片电流可达+/-2.3A,可驱动中功率IGBT,包括Easy系列模块。 ...
分类:    2025-3-25 08:36
场效应晶体管入门指南
场效应晶体管入门指南
在现代电子学的宏伟建筑中,场效应晶体管(FET-Field Effect Transistor)是其不可或缺的基石。这些精巧的电子组件以其卓越的性能优势:低功耗、高输入阻抗和简便的偏置需求, 在电子技术的发展史上占据了举足轻重的地 ...
分类:    2025-3-20 09:59

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