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人機大戰之如何計算IGBT壽命——ChatGPT越戰越勇: Ｑ：如何計算IGBT的壽命要計算IGBT的壽命，需要考慮許多因素，例如應用場景、工作條件、晶片溫度、電壓、電流等。下面是一些可能影響IGBT壽命的因素：1. 應用場景：IGBT被應用在不同的領域和環境中，如電力電子、交 ...; 分类: 初学入门 2024-2-19 14:16

電機硬體基礎--MOS管自舉電路的原理學習筆記: 一、什麼是自舉電路？自舉電路有何作用？以H橋為例，當右下MOS導通，左上MOS導通後，MOS管S極電壓升壓為VM,G極電壓還是VM。Vgs為0，MOS管僅開通一瞬間變關閉，因此需要將MOS管G極與S極同時升壓，以維持MOS管導通，故 ...; 分类: 电子制作 2024-2-19 14:11

如何選取SiC MOSFET的Vgs門極電壓及其影響: 在IGBT時代，門極電壓的選擇比較統一，無非Vge=+15V/-15V或+15V/-8V或+15V/0V這幾檔。而在新興的SiC MOSFET領域，還未有約定俗成的門極電壓規範。本文願就SiC MOSFET的門極電壓選擇上的困惑，提供些有用的參考。下文 ...; 分类: 电源技术/新能源 2024-2-19 14:06

功率半導體冷知識之二：IGBT短路時的損耗: 短路不可怕IGBT主要用於電機驅動和各類變流器，IGBT的抗短路能力是系統可靠運行和安全的保障之一，短路保護可以通過串在迴路中的分流電阻或退飽和檢測等多種方式實現。IGBT是允許短路的，完全有這樣的底氣，EconoDUA ...; 分类: 电源技术/新能源 2024-2-19 14:05

PIM模塊中整流橋的損耗計算: 在通用變頻器或伺服驅動器的設計中，經常會用到英飛凌的PIM模塊（即集成了二極體整流橋+剎車單元+IGBT逆變單元的模塊）。一般情況下PIM模塊中的整流二極體都是根據後面逆變IGBT的電流等級來合理配置的，且由於其多數 ...; 分类: 电源技术/新能源 2024-2-19 14:04

淺談驅動晶片的絕緣安規標準: 為什麼要遵循安規？眾所周知，各個行業各個領域都有其需要遵循的標準規範，一般會對其產品需要達到的使用條件提出各方面的要求。諸如電機驅動、光伏、乘用汽車等都有各自的應用規範，而每個零部件也有相應的規範認證 ...; 分类: 电源技术/新能源 2024-2-19 14:03

IGBT安全工作區(SOA)知多少: 作為電力電子研發工程師，最不想見到的畫面之一一定有下面這樣的圖片，完了，BBQ了……圖1.IGBT單管和模塊的典型失效圖片失效器件送到原廠做FA分析，看到的字眼通常包含over voltage，over current，short circuit， ...; 分类: 电源技术/新能源 2024-2-19 14:01

新品 | 6.5A，2300V單通道隔離式柵極驅動器評估板（配SiC MOSFET） ...: 6.5A，2300V單通道隔離式柵極驅動器評估板（配SiC MOSFET）EVAL-1ED3142MX12F-SIC採用半橋電路，用兩個柵極驅動IC　1ED3142MU12F來驅動IGBT、MOSFET和SiC MOSFET等功率開關。該板預裝了兩個CoolSiC™ SiC MOSFET IMZ ...; 分类: 汽车电子 2024-2-19 13:58

採用SiC MOSFET的高性能逆變焊機設計要點: 逆變焊機通常是通過IGBT功率模塊解決方案設計來實現更高輸出功率，從而幫助降低節能焊機的成本、重量和尺寸。在焊機行業，諸如提高效率、降低成本和增強便攜性（即，縮小尺寸並減輕重量）等趨勢一直是促進持續發展的 ...; 分类: 电源技术/新能源 2024-2-19 13:55

基於IM828-XCC的高速電機驅動器設計: 隨著現代工具機向高速、高精度方向發展，對工具機主軸的技術要求越來越高。電主軸作為高速工具機的重要組成部件之一，因其轉速高、體積小和優異的動態性能等特性，可有效提高工具機的動態平衡，避免了振動和噪聲。主 ...; 分类: 汽车电子 2024-2-19 13:53

增強型M1H CoolSiC™ MOSFET的技術解析及可靠性考量: 1.碳化矽的材料特性(a)SiC是寬禁帶半導體，它的帶隙寬度約是Si的3倍，由此帶來的好處是SiC的臨界場強約是Si的10倍。對於高壓Si基MOSFET來說，漂移區電阻占總導通電阻的主要分量。SiC臨界擊穿場強高，要達到相同的耐 ...; 分类: 电源技术/新能源 2024-2-19 13:49

一步步糾正關於SiC MOSFET短路認知誤區: 本期是和ChatGPT辯論的第五回合，英飛凌趙工出場了（第四回合回顧）。趙工內心OS：往期雖然ChatGPT有時表現得可圈可點，但有時也不知所云。都說人工智慧模型需要訓練，它會自我學習疊代。不如今天來刻意訓練一下Chat ...; 分类: 初学入门 2024-2-19 13:48

英飛凌EiceDRIVER™技術以及應對SiC MOSFET驅動的挑戰: 碳化矽MOSFET導通損耗低，開關速度快，dv/dt高，短路時間小，對驅動電壓的選擇、驅動參數配置及短路響應時間都提出了更高的要求。英飛凌零碳工業功率事業部產品工程師鄭姿清女士，在2023IPAC英飛凌工業功率技術大會 ...; 分类: 电源技术/新能源 2024-2-19 13:47

碳化矽 MOSFET 給電力電子系統帶來哪些創新設計: 1.SiC MOSFET相對於Si IGBT，性能大幅度改進。主要表現在：(a)SiC MOSFET沒有拖尾電流，關斷損耗大幅度降低(b)SiC MOSFET體二極體反向恢復損耗降低(c)SiC MOSFET導通無拐點，導通損耗降低2.CoolSiC™ MOSFET可降低損 ...; 分类: 电源技术/新能源 2024-2-19 13:45

SiC MOSFET用於電機驅動的優勢在哪裡: 在我們的傳統印象中，電機驅動系統往往採用IGBT作為開關器件，而SiC MOSFET作為高速器件往往與光伏和電動汽車充電等需要高頻變換的應用相關聯。但在特定的電機應用中，SiC仍然具有不可比擬的優勢，他們是：1低電感 ...; 分类: 汽车电子 2024-2-19 13:37

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