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技术应用

DC-DC自举升压电路的典型应用
DC-DC自举升压电路的典型应用
一、自举升压电路的典型应用:图一:Buck电路系统的框图、参考设计图二:Boost 电路系统的框图、参考设计如图一、图二所示,在DC-DC开关芯片【Buck、Boost】上都有一个BST的引脚,它和SW开关引脚之间需要连接一个小 ...
分类:    2022-9-6 09:37
如何设计最安全的CAN总线拓扑?
如何设计最安全的CAN总线拓扑?
CAN总线的应用越来越广泛,工程师在各种不同工况下,如何选择最合适的网络拓扑方式呢?本篇文章将介绍主流的几种总线拓扑方式,以及如何解决CAN总线故障。常见的四种拓扑方式如果对于这四种常见的拓扑方式感兴趣,可 ...
分类:    2022-9-6 09:32
OLED屏体电路原理(一)
OLED屏体电路原理(一)
像素排列方式:V-style4:如图1所示,从正面可以根据阳极图形的形貌看出G像素,参考G位置可以得到G上面为R(头朝上),下面为B(头朝下),阳极图形按列奇数为R\G\B,偶数为B\R\G排列;如图2所示,子像素驱动电路排列顺 ...
分类:    2022-9-5 09:54
恒流宽范围输出LLC 谐振变流器的设计方法
恒流宽范围输出LLC 谐振变流器的设计方法
1 引言  半导体照明作为21 世纪的新型光源,具有节能、环保、寿命长、易维护等优点。用大功率高亮度发光二极管(LED)取代白炽灯、荧光灯等传统照明光源已是大势所趋。由于LED 自身特性,必须采用恒流源为其供电。 ...
分类:    2022-9-5 09:46
漏电保护器的工作原理及16个漏电保护器常见问题
漏电保护器的工作原理及16个漏电保护器常见问题
漏电保护器电路原理图介绍图中L为电磁铁线圈,漏电时可驱动闸刀开关K1断开,每个桥臂用两只1N4007串联可提高耐压。R3、R4阻值很大,所以K1合上时,流经L的电流很小,不足以造成K1断开。R3、R4为可控硅T1、T2的均压电 ...
分类:    2022-9-5 09:43
表面贴装的散热面积估算和注意事项
表面贴装的散热面积估算和注意事项
到目前为止,我们已经介绍过使用热阻和热特性参数来估算TJ的方法。本文将介绍在表面贴装应用中,如何估算散热面积以确保符合TJ max,以及与热相关的元器件布局注意事项。本文的关键要点・如果将会发热的IC安装得过于 ...
分类:    2022-9-5 09:39
整流电容滤波负载实例
整流电容滤波负载实例
整流电路AC/DC变换应用非常广泛,其中二极管整流在电机驱动中是主流的方案,而且功率范围很广,所以了解二极管整流工程设计非常重要。整流电路AC/DC变换应用非常广泛,比DC/AC逆变器功率范围更广,数量更多。为了降 ...
分类:    2022-9-5 09:38
为什么要计算电容器寿命?
为什么要计算电容器寿命?
电解电容器和聚合物混合电容器具有多项优点,然而它们的使用寿命有限,用户需要借助算法来确定其寿命。电解电容器和聚合物混合电容器具有几乎相同的设计:它们由阴极侧和阳极侧组成,而两者均由铝膜制成。阳极薄膜经 ...
分类:    2022-9-5 09:36
什么是dV/dt失效
什么是dV/dt失效
如下图(2)所示,dV/dt失效是由于MOSFET关断时流经寄生电容Cds的瞬态充电电流流过基极电阻RB,导致寄生双极晶体管的基极和发射极之间产生电位差VBE,使寄生双极晶体管导通,引起短路并造成失效的现象。通常,dV/dt ...
分类:    2022-9-5 09:35
什么是雪崩失效
什么是雪崩失效
当向MOSFET施加高于绝对最大额定值BVDSS的电压时,就会发生击穿。当施加高于BVDSS的高电场时,自由电子被加速并带有很大的能量。这会导致碰撞电离,从而产生电子-空穴对。这种电子-空穴对呈雪崩式增加的现象称为“雪 ...
分类:    2022-9-5 09:35
采用IGBT7的1700V Econo DUAL 3模块性能解析
采用IGBT7的1700V Econo DUAL 3模块性能解析
半导体市场不断推动IGBT技术实现更高功率密度、鲁棒性和性能水平。对于新一代IGBT而言,始终需要能够轻松融入设计并在不同应用中表现良好的产品。IGBT应能助力打造出拥有优化系统成本的可扩展逆变器产品组合。本文通 ...
分类:    2022-9-2 09:55
碳化硅MOSFET设计双向降压-升压转换器实现97%能效
碳化硅MOSFET设计双向降压-升压转换器实现97%能效
随着电池和超级电容等高效蓄能器的大量使用,更好的电流控制成为一种趋势。今天为大家介绍的是一种双向DC-DC转换器,其双向性允许电流发生器同时具备充电和放电能力。双向控制器可以为汽车双电池系统提供出色的性能 ...
分类:    2022-9-1 09:38
关断栅极电压欠冲对SiC MOSFET导通行为的影响
关断栅极电压欠冲对SiC MOSFET导通行为的影响
本文探讨了关断时发生的栅极电压欠冲对导通开关特性的影响。这种影响来自于阈值电压的迟滞效应,指栅偏压变化时,阈值电压的完全可恢复瞬态偏移。阈值电压的迟滞效应是由半导体-绝缘体界面缺陷中,电荷的短期俘获和 ...
分类:    2022-9-1 09:32
在大多数参数上,双开关反激优于LLC谐振变换器
在大多数参数上,双开关反激优于LLC谐振变换器
虽然价格通常是第一位的,但设计电源时的其他主要标准是高效率、低成本备用功率和高功率因数。其中一些目标很难通过广泛使用的回扫来实现转换器。其损失的很大一部分是由主变压器的泄漏功率引起的,浪费了在缓冲电路 ...
分类:    2022-8-31 11:23
智能浪涌电流限制器可提高AC-DC转换器的效率
智能浪涌电流限制器可提高AC-DC转换器的效率
浪涌电流限制在广泛的电子应用中需要,从电器到汽车,尤其是在执行ac-dc转换以提供dc负载的系统中,如电机控制、电池充电和照明。该限流功能满足中规定的限值EN61000-3-3,电磁兼容性的国际标准。它还允许管理通过整 ...
分类:    2022-8-31 11:03

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