设为首页收藏本站官方微博官方QQ群帮助

开启辅助访问

无线电爱好网 › 首页 ›技术应用

本站直销

技术应用

下级分类: LED/照明/背光电源设计|EMC/EMI技术|通信技术/物联网|嵌入式系统|电源技术/新能源|初学入门|单片机|消费类电子|显示光电|模拟技术|测试测量|EDA/PLD|计算机/外设|汽车电子|电子制作|传感与控制|医疗电子

MOS管驅動電路: MOSFET管因為導通內阻低、開關速度快，因此被廣泛應用在開關電源上。而用好一個MOS管，其驅動電路的設計很關鍵，下面分享幾種常用的驅動原理。一、電源IC驅動。電源IC驅動是最簡單的驅動方法，就注意幾個參數及影 ...; 分类: 初学入门 2022-8-23 10:31

氮化鎵(GaN)與矽(Si)的MOS開關比較: 由於寬能隙功率元件的優異切換性能，近幾年已經漸漸被商用化。常見的問題，如：究竟寬能隙元件對於系統的功率密度與效率的提升幫助有多少？原先所使用的以矽為基礎的元件在更複雜的拓撲與控制機制，是否需要付出更大 ...; 分类: 初学入门 2022-8-23 10:29

OBC 功率MOS 结温计算: 1. 概述新能源汽车中的电动汽车离我们越来越近，在汽车上有个负责给充电的器件叫 OBC，全名叫 On-board charger。拥有超小的身材，却拥有强大的性能。常规家用车中的 OBC 拥有6.6KW最大功率，却不到 A4 纸张大小的尺 ...; 分类: 初学入门 2022-8-23 10:26

MOS工艺与MOS应用和损耗计算: 一.MOS概述MOS，金属-氧化层-半导体-场效晶体管，简称金氧半场效晶体管（ Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,MOSFET）;依照其“通道”的极性不同，可分为称为NMOSFET与PMOSFET。MOS结构图如下：MOS ...; 分类: 初学入门 2022-8-23 10:18

反击拓扑中初级侧MOS管Vds波形分析: 1. 反激拓扑电路的基本线路如下：DC IN：市电经过整流滤波后的直流输入Drive：控制芯片的驱动信号，控制Q1进行ON/OFFCS：控制芯片对Q1电流的采样AGND：初级侧的地DC OUT：输出GND：次级侧的地2. 两种工作模式DCM（断 ...; 分类: 电源技术/新能源 2022-8-23 10:16

关于MOS datasheet 参数解读: 文章主要介绍 mosfet 的主要参数，通过这些参数来理解设计时候的考量一、场效应管的参数有很多，一般的MOS datasheet 都包含如下关键参数：1 极限参数：ID：最大漏源电流。是指场效应管正常工作时，漏源间所允许通过 ...; 分类: 初学入门 2022-8-23 10:14

谈MOS管的米勒效应: 米勒效应MOSFET的栅极驱动过程，可以简单的理解为驱动源对MOSFET的输入电容的充放电过程；当Cgs达到门槛电压之后， MOSFET就会进入开通状态；当MOSFET开通后，Vds开始下降，Id开始上升，此时MOSFET进入饱和区；但由 ...; 分类: 初学入门 2022-8-23 10:13

氮化镓MOS与COOL-MOSFET区别: 新的的半导体材料氮化镓将给我们生活带来质的改变，可以跑高频，发热量超级低。氮化镓材料的结温可以达到300度，而硅材料只能150度。氮化镓MOSFET体内没有寄生二极管，但电流可以从S流到D，没有恢复的损耗。而氮化镓 ...; 分类: 初学入门 2022-8-23 10:12

MOS管开关损耗和导通损耗讲述: 人们对开关电源的要求越来越高，要求开关电源的体积越来越小，这也意味着开关频率越来越高。随着开关频率的提高，降低变换器的开关损耗也变得极其重要。开关频率越高，每秒钟开关管改变状态的次数就越多，开关损耗也 ...; 分类: 初学入门 2022-8-23 10:10

MOSFET在电源中的应用: 1、MOSFET 简介MOSFET，全称Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，即金属-氧化物半导体场效应晶体管，广泛使用在模拟电路与数字电路。分类按照沟道类型分为NMOS和PMOS。根据场效应原理的不同，又分为 ...; 分类: 电源技术/新能源 2022-8-23 10:08

详解IGBT MOSFET与BJT的区别: 在功率半导体鼎鼎有名的igbt、mosfet与BJT，想必是硬件工程师和电源工程师每天都会打交道的器件。进入主题前，先上分别将这三种器件产品化的datasheet贴出来。igbtBJT出现在MOSFET之前，而MOSFET出现在IGBT之前，所 ...; 分类: 初学入门 2022-8-23 10:07

MOS工艺与MOS应用和损耗计算: 一.MOS概述MOS，金属-氧化层-半导体-场效晶体管，简称金氧半场效晶体管（ Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,MOSFET）;依照其“通道”的极性不同，可分为称为NMOSFET与PMOSFET。MOS结构图如下：MOS ...; 分类: 初学入门 2022-8-23 10:04

常见电源top 种类及特性(2): 6Forward正激 ■ 降压电路的变压器耦合形式。 ■ 不连续的输入电流，平滑的输出电流。 ■ 因为采用变压器，输出可以大于或小于输入，可以是任何极性。 ■ 增加次级绕组和电路可以获得多个输出。 ■ 在每个开 ...; 分类: 电源技术/新能源 2022-8-23 09:58

LNCL30125:固定頻率電流模式兩開闢正激拓樸電源: NCL30125是具有集成高壓柵極驅動器的固定頻率電流模式控制器。 HV引腳具有動態自供電（DSS）功能，可快速啟動。跳過循環模式可確保在輕負載條件下具有良好的效率。並通過可控的軟啟動時間，開關頻率和各種保護功能 ...; 分类: 电源技术/新能源 2022-8-23 09:56

ST PM8804的有源钳位正激变换器: STEVAL-ISA204V1开发板是基于PM8804的DC-DC有源钳位正激变换器，对于正激变换器而言有一个很大的痛点摆在工程师面前，就是磁芯复位问题。目前市场上大部分正激电源采用的磁芯复位方式是第三绕组复位，即除了输入初级 ...; 分类: 电源技术/新能源 2022-8-23 09:53

1 ... 89 90 91 929394 95 96 97 ... 222 / 222 页下一页

相关分类

• 技术应用

赞助广告

|关于本站|小黑屋|Archiver|手机版|无线电爱好网 ( 粤ICP备15040352号 )

粤公网安备 44030702001224号

GMT+8, 2025-5-17 19:35 , Processed in 0.140401 second(s), 11 queries .

Powered by Discuz! X3.4 Licensed

Copyright © 2001-2020, Tencent Cloud.

返回顶部