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浅谈因电迁移引发的半导体失效: 半导体产品老化是一个自然现象，在电子应用中，基于环境、自然等因素，半导体在经过一段时间连续工作之后，其功能会逐渐丧失，这被称为功能失效。半导体功能失效主要包括：腐蚀、载流子注入、电迁移等。其中，电迁移 ...; 分类: 初学入门 2024-3-18 16:34

发光二极管中的电阻器: 当电流通过时，LED（发光二极管）就会发光。为 LED 供电的简单电路是一个带有串联电阻和 LED 的电压源。这种电阻器通常称为镇流电阻器。镇流电阻用于限制通过 LED 的电流并防止电流过大而烧坏 LED。如果电压源等于 L ...; 分类: 初学入门 2024-3-18 16:30

如何测量功率回路中的杂散电感: 影响IGBT和SiC MOSFET在系统中的动态特性有两个非常重要的参数：寄生电感和寄生电容。而本文主要介绍功率回路中寄生电感的定义和测试方法，包括直流母线电容的寄生电感，直流母排寄生电感以及模块本身的寄生电感。影 ...; 分类: 电源技术/新能源 2024-3-18 16:29

电池增强器 IC 可巧妙地延长无线应用中纽扣锂电池的使用寿命 ...: 物联网 (IoT) 加速了无线传感器的普及。无论是用于消费、医疗、工业还是农业，无线传感器都必须小巧轻便并具有长电池使用寿命。此外，这类设备在传输和接收模式期间，还会使电源承受间歇性高电流负载。例如，突发传 ...; 分类: 通信技术/物联网 2024-3-18 16:27

直流超快充电桩方案设计必知的常见拓扑解析: 充电时间是消费者和企业评估购买电动汽车的一个主要考虑因素，为了缩短充电时间，业界正在转向直流快速充电桩(DCFC)和超快速充电桩。超快速DCFC和超快速充电桩绕过了电动汽车的车载充电机(OBC)，直接向电池提供更⾼ ...; 分类: 电源技术/新能源 2024-3-18 16:26

了解电子元件和电路中的磁滞现象: 比较器电路可能是电子设计中最具象征意义的故意磁滞。顾名思义，比较器是一种比较两个输入信号并通过其输出电压指示两个输入中哪个电压较高的装置。了解电比较器电路、磁性元件和大功率设备中磁滞的行为及优点。在前 ...; 分类: 初学入门 2024-3-18 16:24

MOSFET 二次崩潰 (Secondary Breakdown): 本文描述了由 MOSFET 的安全工作區（SOA）曲線所示的二次崩潰極限。1. MOSFET 的 SOA（Safe Operating Area）SOA 是 MOSFET在沒有自損壞或退化的情況下工作的電壓和電流條件。即使只有一瞬間，也不得將 MOSFET 暴露 ...; 分类: 初学入门 2024-3-18 16:12

LDO 電源抑制比 (PSRR) 簡介: 1、簡介越來越多的行動裝置和其他電子設備使用了不同的半導體零件來實現其高性能，做為 LDO 負載的半導體部件，例如圖像感測器，若 LDO 的輸出電壓變動，就有可能引起電子元件的動作不良或性能劣化。因此，LDO 必須 ...; 分类: 通信技术/物联网 2024-3-18 16:10

Strain gage測試: 1.為什麼要進行strain gage測試1）在我們的生產作業當中經常會出現各種作用於產品的壓力、張力、扭力或者剪應力的制程和操作，因此隨時存在有導致產品壓傷和損壞的潛在風險。做Strain Gage測試的目的就是把這些 ...; 分类: 初学入门 2024-3-18 13:45

NFC天线防护应用先锋: NFC天线防护应用先锋Semtech是最早支持NFC防护的TVS二极管制造商之一。国内某旗舰机品牌第一次搭载NFC功能，Semtech的RClamp1851Y便凭借优异的静电防护特性和超小的0201封装，成为该NFC保护方案的独家选择。今天，我 ...; 分类: 通信技术/物联网 2024-3-18 13:43

碳化矽功率器件可靠性測試方法詳解: 引言可靠性，是指產品在規定時間內和條件下完成規定功能的能力，是產品質量的重要指標，如果在規定時間內和條件下產品失去了規定的功能，則稱之為產品失效或出現了故障。可靠性測試項目的科學性、合理性，抽樣和試 ...; 分类: 初学入门 2024-3-18 13:33

低損耗、高結溫！基本半導體混合碳化矽分立器件性能優勢介紹 ...: IGBT分立器件一般由IGBT和續流二極體（FWD）構成，續流二極體按材料可分為矽材料和碳化矽材料，按照器件結構可分為PIN二極體和肖特基勢壘二極體（SBD）。材料與結構兩兩組合就形成了4種結果：矽PIN二極體、碳化矽 P ...; 分类: 初学入门 2024-3-18 13:32

運放的基礎知識: 運算放大器（Operational Amplifier，簡稱運放）是一種直流耦合、差模（差動模式）輸入的高增益電壓放大器，通常具有單端輸出。它能產生一個相對於輸入端電勢差大數十萬倍的輸出電勢（對地而言）。由於其最初主要用 ...; 分类: 初学入门 2024-3-18 13:31

如何利用高精度MOSFET模型，設計功率轉換器: 在設計功率轉換器時，可以使用仿真模型，綜合權衡多個設計標準。其中，使用基於開關的有源器件簡易模型進行快速仿真，可以帶來更多工程參考。然而，與製造商精細的器件模型相比，這種簡易模型在設計中無法提供相等的 ...; 分类: 电源技术/新能源 2024-3-18 13:30

輕鬆了解功率MOSFET的雪崩效應: 關斷狀態下，功率MOSFET的體二極體結構的設計是為了阻斷最小漏極-源極電壓值。MOSFET體二極體的擊穿或雪崩表明反向偏置體二極體兩端的電場使得漏極和源極端子之間有大量電流流動。典型的阻斷狀態漏電流在幾十皮安到 ...; 分类: 电源技术/新能源 2024-3-18 13:25

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