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模电的半壁江山——运算放大器的原理和应用
模电的半壁江山——运算放大器的原理和应用
大家学习电子都会接触运算放大器,常常听到虚短虚断一说。虚短虚断是解开负反馈运放电路的核心方法,具体就要从运放的原理开始说起了。模电的半壁江山——运算放大器的原理和应用大家学习电子都会接触运算放大器,常 ...
分类:    2024-3-18 16:49
谈谈SiC MOSFET的短路能力
谈谈SiC MOSFET的短路能力
在电力电子的很多应用,如电机驱动,有时会出现短路的工况。这就要求功率器件有一定的扛短路能力,即在一定的时间内承受住短路电流而不损坏。目前市面上大部分IGBT都会在数据手册中标出短路能力,大部分在5~10us之间 ...
分类:    2024-3-18 16:46
为什么叫源极跟随器 源极跟随器的作用和特点
为什么叫源极跟随器 源极跟随器的作用和特点
源极跟随器(Source Follower)是一种常见的放大电路,也被称为电压跟随器或共射跟随器。它的名称源自其特性:输出跟随输入电压(也就是源极电压)。为什么叫源极跟随器源极跟随器(Source Follower)是一种常见的放 ...
分类:    2024-3-18 16:45
寄生天线耦合器有什么用途?
寄生天线耦合器有什么用途?
寄生天线耦合器(Parasitic Element Coupling Device),是有助于天线特性的宽带化和小型化的耦合器。对于Wi-Fi 6E、Wi-Fi 7和蜂窝网络等需要较宽频率带宽用途的天线,通过宽带化和改进天线效率,可使天线部分小型化 ...
分类:    2024-3-18 16:43
脉冲产生电路之多谐振荡器
脉冲产生电路之多谐振荡器
脉冲产生电路的原理是利用触发器的输入端和输出端之间的正反馈作用,当输入脉冲出现时,触发器的状态会发生改变,从而产生一个有限宽度的输出脉冲。常见的单稳态触发器包括555定时器和触发器。其工作原理是当输入脉 ...
分类:    2024-3-18 16:42
可控硅整流器什么时候开始导通?
可控硅整流器什么时候开始导通?
可控硅整流器的导通电压一般由其器件参数决定,具体的可控硅导通电压取决于其型号、制造商以及应用需求。因此,在具体的应用中,应该根据实际情况选择相应的可控硅型号和规格,以满足电路要求。可控硅整流器的导通电 ...
分类:    2024-3-18 16:41
MOSFET共源放大器介绍
MOSFET共源放大器介绍
模拟电路随处可见,放大器基本上是每个模拟电路的一部分。MOSFET能够制造出卓越的放大器件,这就是为什么有多种基于它们的单级放大器拓扑结构的原因。根据哪个晶体管端子是输入端和哪个晶体管端子是输出端来区分它们 ...
分类:    2024-3-18 16:38
基础知识之无源红外传感器
基础知识之无源红外传感器
PIR全称为Passive Infra-Red,称作被动红外传感器(又被称为Pyroelectric Infrared——热释电红外线传感器)是近年来发展起来的一种新型高灵敏度探测元件,是一种能检测人体发射的红外线而输出电信号的传感器。它能 ...
分类:    2024-3-18 16:35
浅谈因电迁移引发的半导体失效
浅谈因电迁移引发的半导体失效
半导体产品老化是一个自然现象,在电子应用中,基于环境、自然等因素,半导体在经过一段时间连续工作之后,其功能会逐渐丧失,这被称为功能失效。半导体功能失效主要包括:腐蚀、载流子注入、电迁移等。其中,电迁移 ...
分类:    2024-3-18 16:34
发光二极管中的电阻器
发光二极管中的电阻器
当电流通过时,LED(发光二极管)就会发光。为 LED 供电的简单电路是一个带有串联电阻和 LED 的电压源。这种电阻器通常称为镇流电阻器。镇流电阻用于限制通过 LED 的电流并防止电流过大而烧坏 LED。如果电压源等于 L ...
分类:    2024-3-18 16:30
如何测量功率回路中的杂散电感
如何测量功率回路中的杂散电感
影响IGBT和SiC MOSFET在系统中的动态特性有两个非常重要的参数:寄生电感和寄生电容。而本文主要介绍功率回路中寄生电感的定义和测试方法,包括直流母线电容的寄生电感,直流母排寄生电感以及模块本身的寄生电感。影 ...
分类:    2024-3-18 16:29
电池增强器 IC 可巧妙地延长无线应用中纽扣锂电池的使用寿命 ...
电池增强器 IC 可巧妙地延长无线应用中纽扣锂电池的使用寿命 ...
物联网 (IoT) 加速了无线传感器的普及。无论是用于消费、医疗、工业还是农业,无线传感器都必须小巧轻便并具有长电池使用寿命。此外,这类设备在传输和接收模式期间,还会使电源承受间歇性高电流负载。例如,突发传 ...
分类:    2024-3-18 16:27
直流超快充电桩方案设计必知的常见拓扑解析
直流超快充电桩方案设计必知的常见拓扑解析
充电时间是消费者和企业评估购买电动汽车的一个主要考虑因素,为了缩短充电时间,业界正在转向直流快速充电桩(DCFC)和超快速充电桩。超快速DCFC和超快速充电桩绕过了电动汽车的车载充电机(OBC),直接向电池提供更⾼ ...
分类:    2024-3-18 16:26
了解电子元件和电路中的磁滞现象
了解电子元件和电路中的磁滞现象
比较器电路可能是电子设计中最具象征意义的故意磁滞。顾名思义,比较器是一种比较两个输入信号并通过其输出电压指示两个输入中哪个电压较高的装置。了解电比较器电路、磁性元件和大功率设备中磁滞的行为及优点。在前 ...
分类:    2024-3-18 16:24
MOSFET 二次崩潰 (Secondary Breakdown)
MOSFET 二次崩潰 (Secondary Breakdown)
本文描述了由 MOSFET 的安全工作區(SOA)曲線所示的二次崩潰極限。1. MOSFET 的 SOA(Safe Operating Area)SOA 是 MOSFET在沒有自損壞或退化的情況下工作的電壓和電流條件。 即使只有一瞬間,也不得將 MOSFET 暴露 ...
分类:    2024-3-18 16:12

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