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NXP电源芯片-PFC工作原理: PFC即是“功率因数校正”，它的存在使电源的表现相对于交流电源而言更像是一个纯电阻（纯电阻功率因数为1，PFC的存在就是使功率因数接近1）.按照标准规定，电网输入功率在75W以上，需要符合谐波限制，这也是要求使用 ...; 分类: 电源技术/新能源 2022-8-23 10:42

反激开关电源DCM波形分析: 反激开关电源DCM波形分析Flyback Power有两种工作模式:CCMDCM1、CCM（ContinuousConductionMode），连续导通模式：在一个开关周期内，电感电流从不会到0。或者说电感从不“复位”，意味着在开关周期内电感磁通从不回 ...; 分类: 电源技术/新能源 2022-8-23 10:39

MOS FET相关知识（2）: 寄生二极管的方向如何判定？它的判断规则：N沟道，由S极指向D极；P沟道，由D极指向S极；电压开关；MOS开关可以实现的是信号切换（高低电平切换）。也可以实现开关电压通断的 ...; 分类: 初学入门 2022-8-23 10:38

MOSFET导通过程详细分析: 一、MOSFET开通过程T0~T1：驱动通过Rgate对Cgs充电，电压Vgs以指数的形式上升T1~T2：Vgs达到MOSFET开启电压，MOSFET进入线性区，Id缓慢上升，至T2时刻Id到达饱和或是负载最大电流。在此期间漏源极之间依然承受近乎全 ...; 分类: 初学入门 2022-8-23 10:37

OBC 逆变电感功率 MOS 选型: 1. 概述随着汽车走近千家万户，汽车距离我们生活越来越近。开着汽车带着家人和朋友出去游玩成了大众生活的必备，在野外很多电器需要使用市电，带个电脑办公休闲，还是全家围着吃个火锅唱个歌，都是不错的选择。电动 ...; 分类: 电源技术/新能源 2022-8-23 10:35

CCU CLLLC 变压器功率MOS 选型计算: 1. 概述随着汽车走近千家万户，汽车距离我们生活越来越近。开着汽车带着家人和朋友出去游玩成了大众生活的必备，在野外很多电器需要使用市电，带个电脑办公休闲，还是全家围着吃个火锅唱个歌，都是不错的选择。电动 ...; 分类: 电源技术/新能源 2022-8-23 10:34

MOS管驅動電路: MOSFET管因為導通內阻低、開關速度快，因此被廣泛應用在開關電源上。而用好一個MOS管，其驅動電路的設計很關鍵，下面分享幾種常用的驅動原理。一、電源IC驅動。電源IC驅動是最簡單的驅動方法，就注意幾個參數及影 ...; 分类: 初学入门 2022-8-23 10:31

氮化鎵(GaN)與矽(Si)的MOS開關比較: 由於寬能隙功率元件的優異切換性能，近幾年已經漸漸被商用化。常見的問題，如：究竟寬能隙元件對於系統的功率密度與效率的提升幫助有多少？原先所使用的以矽為基礎的元件在更複雜的拓撲與控制機制，是否需要付出更大 ...; 分类: 初学入门 2022-8-23 10:29

OBC 功率MOS 结温计算: 1. 概述新能源汽车中的电动汽车离我们越来越近，在汽车上有个负责给充电的器件叫 OBC，全名叫 On-board charger。拥有超小的身材，却拥有强大的性能。常规家用车中的 OBC 拥有6.6KW最大功率，却不到 A4 纸张大小的尺 ...; 分类: 初学入门 2022-8-23 10:26

MOS工艺与MOS应用和损耗计算: 一.MOS概述MOS，金属-氧化层-半导体-场效晶体管，简称金氧半场效晶体管（ Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,MOSFET）;依照其“通道”的极性不同，可分为称为NMOSFET与PMOSFET。MOS结构图如下：MOS ...; 分类: 初学入门 2022-8-23 10:18

反击拓扑中初级侧MOS管Vds波形分析: 1. 反激拓扑电路的基本线路如下：DC IN：市电经过整流滤波后的直流输入Drive：控制芯片的驱动信号，控制Q1进行ON/OFFCS：控制芯片对Q1电流的采样AGND：初级侧的地DC OUT：输出GND：次级侧的地2. 两种工作模式DCM（断 ...; 分类: 电源技术/新能源 2022-8-23 10:16

关于MOS datasheet 参数解读: 文章主要介绍 mosfet 的主要参数，通过这些参数来理解设计时候的考量一、场效应管的参数有很多，一般的MOS datasheet 都包含如下关键参数：1 极限参数：ID：最大漏源电流。是指场效应管正常工作时，漏源间所允许通过 ...; 分类: 初学入门 2022-8-23 10:14

谈MOS管的米勒效应: 米勒效应MOSFET的栅极驱动过程，可以简单的理解为驱动源对MOSFET的输入电容的充放电过程；当Cgs达到门槛电压之后， MOSFET就会进入开通状态；当MOSFET开通后，Vds开始下降，Id开始上升，此时MOSFET进入饱和区；但由 ...; 分类: 初学入门 2022-8-23 10:13

氮化镓MOS与COOL-MOSFET区别: 新的的半导体材料氮化镓将给我们生活带来质的改变，可以跑高频，发热量超级低。氮化镓材料的结温可以达到300度，而硅材料只能150度。氮化镓MOSFET体内没有寄生二极管，但电流可以从S流到D，没有恢复的损耗。而氮化镓 ...; 分类: 初学入门 2022-8-23 10:12

MOS管开关损耗和导通损耗讲述: 人们对开关电源的要求越来越高，要求开关电源的体积越来越小，这也意味着开关频率越来越高。随着开关频率的提高，降低变换器的开关损耗也变得极其重要。开关频率越高，每秒钟开关管改变状态的次数就越多，开关损耗也 ...; 分类: 初学入门 2022-8-23 10:10

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