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下级分类: LED/照明/背光电源设计|EMC/EMI技术|通信技术/物联网|嵌入式系统|电源技术/新能源|初学入门|单片机|消费类电子|显示光电|模拟技术|测试测量|EDA/PLD|计算机/外设|汽车电子|电子制作|传感与控制|医疗电子

基于慧能泰HUSB311的PD 100W双向充放电参考设计方案: 随着USB Type-C的面世以及多次的叠代升级，USB Type-C俨然已成为我们生活中不可或缺的一部分。在面向电源、数据、视讯等应用场景，基于CC线的PD协议变得不可或缺，通过PD协议对主机和设备进行配置成为系统的基本要求 ...; 分类: 电源技术/新能源 2022-9-6 10:05

ST-基于STM32G474RBT6 MCU的数字控制3KW通信电源方案: STDES-3KWTLCP参考设计针对5G通信应用的3 kW/53.5V AC-DC转换器电源，使用完整的ST数字电源解决方案。电路设计包括前端无桥图腾柱PFC和后端LLC全桥架构。前级图腾柱PFC提供功率因数校正（PFC）和谐波失真（THD）抑制 ...; 分类: 电源技术/新能源 2022-9-6 10:01

DC-DC自举升压电路的典型应用: 一、自举升压电路的典型应用：图一：Buck电路系统的框图、参考设计图二：Boost 电路系统的框图、参考设计如图一、图二所示，在DC-DC开关芯片【Buck、Boost】上都有一个BST的引脚，它和SW开关引脚之间需要连接一个小 ...; 分类: 初学入门 2022-9-6 09:37

如何设计最安全的CAN总线拓扑？: CAN总线的应用越来越广泛，工程师在各种不同工况下，如何选择最合适的网络拓扑方式呢？本篇文章将介绍主流的几种总线拓扑方式，以及如何解决CAN总线故障。常见的四种拓扑方式如果对于这四种常见的拓扑方式感兴趣，可 ...; 分类: 初学入门 2022-9-6 09:32

OLED屏体电路原理(一): 像素排列方式：V-style4：如图1所示,从正面可以根据阳极图形的形貌看出G像素，参考G位置可以得到G上面为R(头朝上)，下面为B（头朝下），阳极图形按列奇数为R\G\B，偶数为B\R\G排列；如图2所示，子像素驱动电路排列顺 ...; 分类: LED/照明/背光电源设计 2022-9-5 09:54

恒流宽范围输出LLC 谐振变流器的设计方法: 1 引言半导体照明作为21 世纪的新型光源，具有节能、环保、寿命长、易维护等优点。用大功率高亮度发光二极管（LED）取代白炽灯、荧光灯等传统照明光源已是大势所趋。由于LED 自身特性，必须采用恒流源为其供电。 ...; 分类: LED/照明/背光电源设计 2022-9-5 09:46

漏电保护器的工作原理及16个漏电保护器常见问题: 漏电保护器电路原理图介绍图中L为电磁铁线圈，漏电时可驱动闸刀开关K1断开，每个桥臂用两只1N4007串联可提高耐压。R3、R4阻值很大，所以K1合上时，流经L的电流很小，不足以造成K1断开。R3、R4为可控硅T1、T2的均压电 ...; 分类: 初学入门 2022-9-5 09:43

表面贴装的散热面积估算和注意事项: 到目前为止，我们已经介绍过使用热阻和热特性参数来估算TJ的方法。本文将介绍在表面贴装应用中，如何估算散热面积以确保符合TJ max，以及与热相关的元器件布局注意事项。本文的关键要点・如果将会发热的IC安装得过于 ...; 分类: 初学入门 2022-9-5 09:39

整流电容滤波负载实例: 整流电路AC/DC变换应用非常广泛，其中二极管整流在电机驱动中是主流的方案，而且功率范围很广，所以了解二极管整流工程设计非常重要。整流电路AC/DC变换应用非常广泛，比DC/AC逆变器功率范围更广，数量更多。为了降 ...; 分类: 初学入门 2022-9-5 09:38

为什么要计算电容器寿命？: 电解电容器和聚合物混合电容器具有多项优点，然而它们的使用寿命有限，用户需要借助算法来确定其寿命。电解电容器和聚合物混合电容器具有几乎相同的设计：它们由阴极侧和阳极侧组成，而两者均由铝膜制成。阳极薄膜经 ...; 分类: 初学入门 2022-9-5 09:36

什么是dV/dt失效: 如下图（2）所示，dV/dt失效是由于MOSFET关断时流经寄生电容Cds的瞬态充电电流流过基极电阻RB，导致寄生双极晶体管的基极和发射极之间产生电位差VBE，使寄生双极晶体管导通，引起短路并造成失效的现象。通常，dV/dt ...; 分类: 初学入门 2022-9-5 09:35

什么是雪崩失效: 当向MOSFET施加高于绝对最大额定值BVDSS的电压时，就会发生击穿。当施加高于BVDSS的高电场时，自由电子被加速并带有很大的能量。这会导致碰撞电离，从而产生电子-空穴对。这种电子-空穴对呈雪崩式增加的现象称为“雪 ...; 分类: 初学入门 2022-9-5 09:35

采用IGBT7的1700V Econo DUAL 3模块性能解析: 半导体市场不断推动IGBT技术实现更高功率密度、鲁棒性和性能水平。对于新一代IGBT而言，始终需要能够轻松融入设计并在不同应用中表现良好的产品。IGBT应能助力打造出拥有优化系统成本的可扩展逆变器产品组合。本文通 ...; 分类: 初学入门 2022-9-2 09:55

碳化硅MOSFET设计双向降压-升压转换器实现97%能效: 随着电池和超级电容等高效蓄能器的大量使用，更好的电流控制成为一种趋势。今天为大家介绍的是一种双向DC-DC转换器，其双向性允许电流发生器同时具备充电和放电能力。双向控制器可以为汽车双电池系统提供出色的性能 ...; 分类: 初学入门 2022-9-1 09:38

关断栅极电压欠冲对SiC MOSFET导通行为的影响: 本文探讨了关断时发生的栅极电压欠冲对导通开关特性的影响。这种影响来自于阈值电压的迟滞效应，指栅偏压变化时，阈值电压的完全可恢复瞬态偏移。阈值电压的迟滞效应是由半导体-绝缘体界面缺陷中，电荷的短期俘获和 ...; 分类: 初学入门 2022-9-1 09:32

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