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高級駕駛輔助系統(ADAS)常用功能解析
高級駕駛輔助系統(ADAS)常用功能解析
近期比亞迪發布的高階智駕系統 “天神之眼”將高階智駕下探至 7 萬級車型,打破了高階智駕被高端車型壟斷的局面,讓更多消費者能夠享受到高階智駕技術,比亞迪的入局有望推動 L2 + 級別銷量基盤快速從 100 萬輛提升 ...
分类:    2025-3-12 08:58
淺談AUTOSAR軟體架構
隨著汽車技術的飛速進步,尤其是電氣化、自動化及互聯化的深度融合,汽車行業正經歷著一場前所未有的變革。在這場變革中,汽車不再僅僅是機械與金屬的簡單堆砌,而是轉變為集成了高度複雜電子系統、先進算法與智能互 ...
分类:    2025-3-12 08:57
【科技友瘋狂】為什麼軟體工程師必須掌握 Linux?
還在用Windows GUI 點來點去嗎?還在複製貼上路徑然後抱怨開發環境不穩定?如果你是軟體工程師,不會 Linux,等於放棄高效開發的可能性!?✨?為什麼學 Linux?1️⃣伺服器 90% 以上跑的是 Linux(AWS、GCP、Azure 都 ...
分类:    2025-3-12 08:41
安森美 前線芯思路 | 雙管反激240W USB PD3.1 EPR設計『全流程』,一文掌握 ...
安森美 前線芯思路 | 雙管反激240W USB PD3.1 EPR設計『全流程』,一文掌握 ...
前線芯思路 | 雙管反激240W USB PD3.1 EPR設計『全流程』,一文掌握“使用高頻QR控制器NCP1345設計雙管反激240W USB PD3.1 EPR方案”繼續更新,第一篇文章介紹了變壓器匝比要求、PFC在不同的輸入電壓下的開通和關斷 ...
分类:    2025-3-10 10:25
選好柵極驅動器,SiC MOSFET性能、效率和安全性三管齊下
選好柵極驅動器,SiC MOSFET性能、效率和安全性三管齊下
電隔離式(GI)柵極驅動器在優化碳化矽(SiC)MOSFET性能方面扮演著至關重要的角色,特別是在應對電氣化系統日益增長的需求時。隨著全球對電力在工業、交通和消費產品中依賴性的加深,SiC技術憑藉其提升效率和縮小系 ...
分类:    2025-3-10 08:59
三相三電平維也納PFC的控制地的選擇分析
三相三電平維也納PFC的控制地的選擇分析
本文今天要講的三相三電平維也納PFC控制地的選擇,在大功率充電樁的充電模塊的方案設計中,控制地的選擇會影響電源控制板信號採樣運算的可靠性,從而決定電源模塊工作安全穩定性。在傳統的單相有橋PFC中,一般把PFC ...
分类:    2025-3-10 08:48
電源實現智能化的意義
電源實現智能化的意義
電源轉換應用無處不在。小到使用升壓轉換器調節紐扣電池(電量逐漸減小)電壓的便攜式設備,大到進行大量冗餘 AC-DC 轉換的蜂窩基站:一切都需要電力。業界對數字電源的討論有很多;例如,將電源轉換移軟體,最終用 ...
分类:    2025-3-10 08:47
實現可靠的高性能數字電源(1)
實現可靠的高性能數字電源(1)
如今對數字電源的性能、效率和功率密度設定了極高的標準。本文將闡述可供設計人員采 納以實現上述目標的實踐技巧。首先討論如何選擇合適的硬體架構。文中還將展示數字信 號控制器(Digital Signal Controller,DSC) ...
分类:    2025-3-10 08:46
三相三電平維也納PFC的器件應力分析
三相三電平維也納PFC的器件應力分析
本文今天要講的三相三電平維也納PFC器件應力分析,在大功率充電樁的充電模塊的方案設計中,器件選型及參數控制關係重大,會決定電源模塊工作可靠性及穩定性。PFC 電感應力從上面的工作狀態,我們可以知道,PFC 電感 ...
分类:    2025-3-10 08:45
三相三電平維也納PFC的控制方案分析
三相三電平維也納PFC的控制方案分析
本文今天要講的三相三電平維也納PFC控制方案分析,在大功率充電樁的充電模塊的方案設計中,控制方案及環路參數控制關係重大,會決定電源模塊工作可靠性及穩定性。這種控制電路一般採取雙環的控制方式,即電壓外環+電 ...
分类:    2025-3-10 08:44
三相交流電源的相序
三相交流電源的相序
三相電源概念:三相電源系統是全世界最常見的發電、輸電、配電和用電方式。三相電源包含三個交流相位,通常用L1、L2 和L3 表示。這三個相位均生成等幅、等頻(以地電位為參考)的交流電壓。這三個電壓的相位彼此相差 ...
分类:    2025-3-10 08:43
關於驅動Microchip SiC MOSFET的說明-2
關於驅動Microchip SiC MOSFET的說明-2
大家已熟知Microchip 收購了全球知名功率半導體器件廠商Microsemi,其SiC MOS管器件編號為MSCXXXSMAXXX 。VGSon 小於20V 的設計由於SiC 的帶隙較寬,所以反轉MOS 柵極電晶體半導體需要使用比矽片更高的電場。我們可 ...
分类:    2025-3-10 08:42
關於驅動Microchip SiC MOSFET的說明-1
關於驅動Microchip SiC MOSFET的說明-1
大家已熟知Microchip 收購了全球知名功率半導體器件廠商Microsemi,其MOS管器件編號為MSCXXXSMAXXX 。本文將針對如何在設計中正確選擇Microchip SiC MOSFET 產品的柵- 源電壓作出說明,此外還提供了相關器件的性能和 ...
分类:    2025-3-10 08:41
Toshiba - CMOS邏輯IC的使用注意事項(一)
Toshiba - CMOS邏輯IC的使用注意事項(一)
在現今的電子設計領域,CMOS邏輯IC因其低功耗、高整合度和良好的雜訊抑制能力而廣泛應用。然而,要充分發揮CMOS邏輯IC的性能優勢,確保系統的穩定可靠運行,必須嚴格遵守一系列使用注意事項。向大家奉上一份詳細的設 ...
分类:    2025-2-27 10:16
技術洞察 | 英飛凌CoolSiC™和CoolGaN™產品,升級電源和機架架構,滿足AI服務器的需 ...
技術洞察 | 英飛凌CoolSiC™和CoolGaN™產品,升級電源和機架架構,滿足AI服務器的需 ...
前言人工智慧(AI)的迅猛發展推動了數據中心處理能力的顯著增長。如圖1所示,英飛凌預測單台GPU的功耗將呈指數級上升,預計到2030年將達到約2000W,而AI服務器機架的峰值功耗將突破驚人的300kW。這一趨勢促使數據中 ...
分类:    2025-2-27 10:14

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