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基于芯干线氮化镓与碳化硅的100W电源适配器方案

2025-6-5 11:28| 发布者: 闪电| 查看: 3| 评论: 0

摘要: 半导体器件作为现代电子技术的核心元件,广泛应用于集成电路、消费电子及工业设备等场景,其性能直接影响智能终端与装备的运行效能。以氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)为代表的第三代宽禁带半导体,凭借高功率密度与能 ...

半导体器件作为现代电子技术的核心元件,广泛应用于集成电路消费电子及工业设备等场景,其性能直接影响智能终端与装备的运行效能。以氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)为代表的第三代宽禁带半导体,凭借高功率密度与能效优势,正推动电子设备技术革新。

本次评测对象为搭载了芯干线前沿技术的氮化镓与碳化硅的100W电源适配器方案(12V/8.33A),将重点测试转换效率、开机延迟及掉电保持时长等关键性能指标,查看第三代宽禁带半导体互相搭配下的优势。

1方案介绍

芯干线12V 8.33A 100WDemo方案

实物图

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正面

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背面

尺寸为:81.5*56*24mm

其裸板功率密度为:0.91W/平方厘米

方案参数

X电容334 X2
NTC2.5Ω Φ9mm
整流桥GBU1508
PFC MOSX3G6516B5
PFC 二极管XD065A0065
高压电解100uF 450V
LLC MOS管X3G6516B5
变压器ATQ2516
主ICTEA2017
次级整流MOSGN014N04AL
次级电解共3700uF,
工字电感滤波

原理图

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2方案实测

转换功率

测试说明:

在冷机,短路NTC 20%至满载的情况下分别输入110v和220v电压。

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测试结果:

在110V电压输入,20%负载至满载的情况下,通过计算得出其转换功率为92.0%、93.3%、93.6%、93.8%、93.9%。

在220v电压输入,20%负载至满载情况下,通过计算得出其转换效率为93.0%、95.0%、95.7%、95.8%、96.0%。

待机功耗

输入电压/VAC待机功耗/W测试说明
110 60Hz0.0089空载,积分时间>60秒
220 50Hz0.0217空载,积分时间>60秒

开机延迟时间

测试说明:

分别输入电压110V和220V,系统满载状态下查看开机延迟时间

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测试结果:

110V电压输入下,其自运行开机延迟时间为524ms。

220V电压输入下,其自运行开机延迟时间为583ms。

掉电保持时间

测试说明:

分别输入电压110V和220V,系统满载运行下查看掉电保持时间。

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测试结果:

110V电压输入下,其掉电保持时间为34.6ms。

220V电压输入下,其掉电保持时间为35.4ms。

动态测试

测试说明:

在输入电压110V和220V,25~75%负载状态下,分别测试最小输出电压和最大输出电压数值

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测试结果:

在分别输入110V和220V电压后,最小输出电压和最大输出电压均为12.02v、12.32v。

空载纹波

测试说明:

在输入电压110V和220V,使用探头加

10uF+0.1uF电容,20MHz带宽,空载状态下分别测试输出电压峰峰值

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测试结果:

在分别输入110V和220V电压后,空载纹波输出电压峰峰值分别为30mv和40mv。。

满载纹波低频

测试说明:

在输入电压110V和220V,使用探头加10uF+0.1uF电容,20MHz带宽,满载状态下分别测试输出电压峰峰值。

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测试结果:

在分别输入110V和220V电压后,满载波纹低频输出电压峰峰值均为20mv。

满载纹波高频

测试说明:

在输入电压110V和220V,探头加10uF+0.1uF电容,20MHz带宽,满载状态下分别测试纹波高频输出电压峰峰值

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测试结果:

在分别输入110V和220V电压后,满载纹波低频输出电压峰峰值均为20mv。

电子锐评

在这个功率等级,且在输出为12V的情况下,能达到高输入96%的效率和低输入93%的效率。板上所使用的GaN MOS及SiC二极管在其中起了关键作用

3产品特点

本次测评该款Demo当中的氮化镓和碳化硅是采用了芯干线的两款产品,分别是X3G6516B5氮化镓开关管以及XD065A0065碳化硅二极管。

下面我们看一下这两款产品的功能特点

X3G6516B5氮化镓开关管

核心参数

650V增强型耐压设计,导通电阻150mΩ,工作电流13A

性能优势

低导通电阻与输入电容,提升能效表现

零反向恢复损耗,支持高频电路运行

适用于PFC升压拓扑结构,优化电源系统功率密度

应用领域列举

消费电子:

快充设备与无线充电模块—利用高频特性提升能量传输效率,实现更紧凑的轻量化设计。

工业电子:

功放—高频特性提升能量传输效率,实现更小体积,更轻重量,发热现象大幅减少,功率密度高。

逆变器—耐高温特性保障户外环境稳定性,同时提升能源转换效率并缩减系统体积。

适配器—可实现更高的电子迁移率、禁带宽度、更低的导通电阻。

服务器电源—高频特性优化电源模块设计,减少元器件数量并提升功率密度。

车载电子:

车载充电器—适配高压平台的高效电能转换,显著缩小器件体积,满足电动汽车空间约束。

XD065A0065碳化硅二极管

核心参数

650V耐压等级,163℃高温环境下稳定输出6A电流

性能优势

零反向恢复电流特性,降低开关损耗

正温度系数特性,支持多器件并联扩容

高频开关兼容性,配合低散热需求设计

应用领域列举

工业电子:

功放—良好的散热能力,高输出状态更可稳定运行。

逆变器—高热导与耐高温特性优化散热能力,支持复杂环境下的高效能源转换场景,更可提供更长续航能力。

适配器—提供优异的高温性能和可靠性,并支持更高的功率和更高的电压。

服务器电源—优异的热管理能力带来更高的可靠性,保障系统整体的稳定运行。

车载电子:

车载充电器—具有极高的击穿电场强度,可适应更高的工作温度,可提高系统的可靠性和寿命。

协同应用价值

两款器件在PFC电路中搭配,共同构建高可靠性、高功率密度的第三代半导体解决方案,适用于工业电源、新能源设备等高性能场景。因此使其该款Demo方案在高集成微型化、高功率密度与高能量效率上均保持着优异的数值。

4总结

第三代宽禁带半导体技术起源于20世纪50年代,历经材料创新、场景适配、规模降本和生态构建的发展路径。当前在超宽禁带材料突破与碳中和目标驱动下,正重塑能源、通信等领域的底层技术架构。

芯干线作为专注氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)及半导体领域以技术为核心驱动力的国产企业,依托全产业链能力布局,产品已覆盖消费电子、工业控制及新能源等多领域,持续支撑推动着国内半导体产业自主化进程。


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