半导体器件作为现代电子技术的核心元件,广泛应用于集成电路、消费电子及工业设备等场景,其性能直接影响智能终端与装备的运行效能。以氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)为代表的第三代宽禁带半导体,凭借高功率密度与能效优势,正推动电子设备技术革新。 本次评测对象为搭载了芯干线前沿技术的氮化镓与碳化硅的100W电源适配器方案(12V/8.33A),将重点测试转换效率、开机延迟及掉电保持时长等关键性能指标,查看第三代宽禁带半导体互相搭配下的优势。 1方案介绍 芯干线12V 8.33A 100WDemo方案 实物图 正面 背面 尺寸为:81.5*56*24mm 其裸板功率密度为:0.91W/平方厘米 方案参数
原理图 2方案实测 转换功率 测试说明: 在冷机,短路NTC 20%至满载的情况下分别输入110v和220v电压。 测试结果: 在110V电压输入,20%负载至满载的情况下,通过计算得出其转换功率为92.0%、93.3%、93.6%、93.8%、93.9%。 在220v电压输入,20%负载至满载情况下,通过计算得出其转换效率为93.0%、95.0%、95.7%、95.8%、96.0%。 待机功耗
开机延迟时间 测试说明: 分别输入电压110V和220V,系统满载状态下查看开机延迟时间 测试结果: 110V电压输入下,其自运行开机延迟时间为524ms。 220V电压输入下,其自运行开机延迟时间为583ms。 掉电保持时间 测试说明: 分别输入电压110V和220V,系统满载运行下查看掉电保持时间。 测试结果: 110V电压输入下,其掉电保持时间为34.6ms。 220V电压输入下,其掉电保持时间为35.4ms。 动态测试 测试说明: 在输入电压110V和220V,25~75%负载状态下,分别测试最小输出电压和最大输出电压数值 测试结果: 在分别输入110V和220V电压后,最小输出电压和最大输出电压均为12.02v、12.32v。 空载纹波 测试说明: 在输入电压110V和220V,使用探头加 10uF+0.1uF电容,20MHz带宽,空载状态下分别测试输出电压峰峰值 测试结果: 在分别输入110V和220V电压后,空载纹波输出电压峰峰值分别为30mv和40mv。。 满载纹波低频 测试说明: 在输入电压110V和220V,使用探头加10uF+0.1uF电容,20MHz带宽,满载状态下分别测试输出电压峰峰值。 测试结果: 在分别输入110V和220V电压后,满载波纹低频输出电压峰峰值均为20mv。 满载纹波高频 测试说明: 在输入电压110V和220V,探头加10uF+0.1uF电容,20MHz带宽,满载状态下分别测试纹波高频输出电压峰峰值 测试结果: 在分别输入110V和220V电压后,满载纹波低频输出电压峰峰值均为20mv。 电子锐评 在这个功率等级,且在输出为12V的情况下,能达到高输入96%的效率和低输入93%的效率。板上所使用的GaN MOS及SiC二极管在其中起了关键作用 3产品特点 本次测评该款Demo当中的氮化镓和碳化硅是采用了芯干线的两款产品,分别是X3G6516B5氮化镓开关管以及XD065A0065碳化硅二极管。 下面我们看一下这两款产品的功能特点 X3G6516B5氮化镓开关管 核心参数 650V增强型耐压设计,导通电阻150mΩ,工作电流13A 性能优势 低导通电阻与输入电容,提升能效表现 零反向恢复损耗,支持高频电路运行 适用于PFC升压拓扑结构,优化电源系统功率密度 应用领域列举 消费电子: 快充设备与无线充电模块—利用高频特性提升能量传输效率,实现更紧凑的轻量化设计。 工业电子: 功放—高频特性提升能量传输效率,实现更小体积,更轻重量,发热现象大幅减少,功率密度高。 逆变器—耐高温特性保障户外环境稳定性,同时提升能源转换效率并缩减系统体积。 适配器—可实现更高的电子迁移率、禁带宽度、更低的导通电阻。 服务器电源—高频特性优化电源模块设计,减少元器件数量并提升功率密度。 车载电子: 车载充电器—适配高压平台的高效电能转换,显著缩小器件体积,满足电动汽车空间约束。 XD065A0065碳化硅二极管 核心参数 650V耐压等级,163℃高温环境下稳定输出6A电流 性能优势 零反向恢复电流特性,降低开关损耗 正温度系数特性,支持多器件并联扩容 高频开关兼容性,配合低散热需求设计 应用领域列举 工业电子: 功放—良好的散热能力,高输出状态更可稳定运行。 逆变器—高热导与耐高温特性优化散热能力,支持复杂环境下的高效能源转换场景,更可提供更长续航能力。 适配器—提供优异的高温性能和可靠性,并支持更高的功率和更高的电压。 服务器电源—优异的热管理能力带来更高的可靠性,保障系统整体的稳定运行。 车载电子: 车载充电器—具有极高的击穿电场强度,可适应更高的工作温度,可提高系统的可靠性和寿命。 协同应用价值 两款器件在PFC电路中搭配,共同构建高可靠性、高功率密度的第三代半导体解决方案,适用于工业电源、新能源设备等高性能场景。因此使其该款Demo方案在高集成微型化、高功率密度与高能量效率上均保持着优异的数值。 4总结 第三代宽禁带半导体技术起源于20世纪50年代,历经材料创新、场景适配、规模降本和生态构建的发展路径。当前在超宽禁带材料突破与碳中和目标驱动下,正重塑能源、通信等领域的底层技术架构。 芯干线作为专注氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)及半导体领域以技术为核心驱动力的国产企业,依托全产业链能力布局,产品已覆盖消费电子、工业控制及新能源等多领域,持续支撑推动着国内半导体产业自主化进程。 |
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